2025年1至4月政府采购意向-大纵深红外探测芯片飞秒光刻机详细情况万元人民币
2025年1至4月政府采购意向-大纵深红外探测芯片飞秒光刻机详细情况万元人民币
大纵深红外探测芯片飞秒光刻机 | |
项目所在采购意向: | 清华大学2025年1至4月政府采购意向 |
采购单位: | 清华大学 |
采购项目名称: | 大纵深红外探测芯片飞秒光刻机 |
预算金额: | 500.(略)万元(人民币) |
采购品目: | A-货物(略)设备(略)仪器仪表(略)光学仪器(略)激光仪器 |
采购需求概况 : | 申请购置的大纵深红外探测芯片飞秒光刻机主要用于红外探测光子芯片的高精度制造与快速优化任务。飞秒光刻机提供高精度加工、像差校正和实时反馈功能。设备通过精准控制光刻工艺中的飞秒激光波长、功率和扫描速度等参数,设备能够优化芯片结构和特性,确保芯片在大规模集成和快速迭代中的一致性与稳定性。1.系统加工性能:可在康宁玻璃内部直写三维光波导,光波导损耗不高于0.05db/cm,直写纵深≥3mm;设备交付时提供上述指标样品一份。 2.一体化高重频飞秒激光器,脉冲宽度调谐范围:260fs–10ps,重复频率:单脉冲-1Mhz可调节,脉冲功率稳定性(RMS):<0.5% over 100 h 3.像差校正模块,波长:1050±50nm,510±50nm各一个 4.功率调控模块,波长:1030nm,515nm,343nm各一个,调节范围:0.3%-99% 5.高精度大 (略) ,行程:XY≥100mm×100mm,Z1≥50mm,Z2≥20m,分辨率:XY≤2.5nm,Z1≤5nm,Z2≤25nm,重复定位精度:XY≤±100nm,Z1≤±100nm,Z2≤±150nm |
预计采购时间: | 2025-04 |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
大纵深红外探测芯片飞秒光刻机 | |
项目所在采购意向: | 清华大学2025年1至4月政府采购意向 |
采购单位: | 清华大学 |
采购项目名称: | 大纵深红外探测芯片飞秒光刻机 |
预算金额: | 500.(略)万元(人民币) |
采购品目: | A-货物(略)设备(略)仪器仪表(略)光学仪器(略)激光仪器 |
采购需求概况 : | 申请购置的大纵深红外探测芯片飞秒光刻机主要用于红外探测光子芯片的高精度制造与快速优化任务。飞秒光刻机提供高精度加工、像差校正和实时反馈功能。设备通过精准控制光刻工艺中的飞秒激光波长、功率和扫描速度等参数,设备能够优化芯片结构和特性,确保芯片在大规模集成和快速迭代中的一致性与稳定性。1.系统加工性能:可在康宁玻璃内部直写三维光波导,光波导损耗不高于0.05db/cm,直写纵深≥3mm;设备交付时提供上述指标样品一份。 2.一体化高重频飞秒激光器,脉冲宽度调谐范围:260fs–10ps,重复频率:单脉冲-1Mhz可调节,脉冲功率稳定性(RMS):<0.5% over 100 h 3.像差校正模块,波长:1050±50nm,510±50nm各一个 4.功率调控模块,波长:1030nm,515nm,343nm各一个,调节范围:0.3%-99% 5.高精度大 (略) ,行程:XY≥100mm×100mm,Z1≥50mm,Z2≥20m,分辨率:XY≤2.5nm,Z1≤5nm,Z2≤25nm,重复定位精度:XY≤±100nm,Z1≤±100nm,Z2≤±150nm |
预计采购时间: | 2025-04 |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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