序号

采购项目名称

需求概况

初步技术参数

预算金额（万元）

预计采购时间

备注

1

超高真空氮化物分子束外延生长系统

计划采购超高真空氮化物分子束外延生长系统1套该系统专门针对氮化铝薄膜的高质量外延生长，必须经过专门设计和配备射频等离子体源等特殊部件，具有必要性和紧迫性。该系统供货范围不限于上述系统的设备设计、安装 、调试 、培训及售后等.。

1. 生长腔

（1）系统最大可外延单片3英寸衬底，兼容单片2英寸、1英寸或更小衬底。

（2）腔内安装液氮冷屏。

（3）配套冷凝泵和离子泵，均配备闸板阀，经充分烘烤冷却后，基础真空低于5×10^-10 Torr，极限真空优于2×10^-10 Torr。

（4）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。

（5）安装束流规，可自动定位于测试位置和收回位置。

（6）安装RGA及电子放大器模块。

（7）配置蒸发源观察视窗和传样观察视窗，均配备挡板。

（8）配置传样闸板阀，用于隔绝生长 (略) 理腔。

（9）安装1个热唇蒸发源、1个冷唇蒸发源和1个高通量射频等离子源，每个源均配备蒸发源挡板。

（10）热唇蒸发源、冷唇蒸发源：坩埚容量≥ 110 cc， (略) 独立加热，最高加热温度≥ 1350 ℃，温度稳定性≤ ±0.2 ℃。

（11）高通量射频等离子源：满足N₂的等离子激发，射频功率≥ 500 W，气体流量0.1~10 sccm。

（12）安装RHEED，电子能量≥ 15 keV，具有X、Y、Rocking和Beam blanking功能，配备远程控制模块，配套荧光屏和荧光屏挡板，配套CCD相机和图像分析软件。

（13）安装衬底加热器，可加热最大单片3英寸衬底。最高加热温度可达1100 ℃。配备热偶及PID控温，温度稳定性≤ ±0.2 ℃。衬底可连续旋转，最大转速≥ 60 RPM。配套直流电源。配备衬底挡板。

2. 预处理腔

（1）连接生长腔和进样腔，配置水平传样杆，实现衬底托盘传递。

（2）配备视窗及挡板，可以查看衬底传至衬底加热台。

（3）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。

（4）配套离子泵，极限真空优于5×10^-10 Torr。

（5）配置衬底加热台，可加热最大3英寸衬底，加热温度不低于600 ℃。

（6）可存放不少于2个3英寸衬底托盘。

3. 进样腔

（1）配置闸板阀，用于隔离进样 (略) 理腔。

（2）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。

（3）配置分子泵和前级泵，分子泵配置闸板阀，极限真空优于5×10^-8 Torr。

（4）配置红外烘烤灯，最高加热温度不低于150℃。

（5）可一次性放入4个3英寸衬底托盘。

（6）可自动vent和抽气。

4. 设备及生长控制系统

（1）图形化软件控制系统，含配套PC及硬件，包括生长工艺程序编写、自动生长控制、不间断数据记录等功能。

（2）PLC系统可实现真空互锁、水流量互锁等功能。

5. 其它

（1）系统支架、烘烤设备及铜垫圈、衬底托盘等其他配件

（2）系统安装及运行的必备部件，包括液氮循环系统、冷水机、安装工具、控制软件等。

（3）设备设计、安装、调试、培训及售后。

300.00

2024.07

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需求概况

初步技术参数

预算金额（万元）

预计采购时间

备注

1

超高真空氮化物分子束外延生长系统

计划采购超高真空氮化物分子束外延生长系统1套该系统专门针对氮化铝薄膜的高质量外延生长，必须经过专门设计和配备射频等离子体源等特殊部件，具有必要性和紧迫性。该系统供货范围不限于上述系统的设备设计、安装 、调试 、培训及售后等.。

1. 生长腔

（1）系统最大可外延单片3英寸衬底，兼容单片2英寸、1英寸或更小衬底。

（2）腔内安装液氮冷屏。

（3）配套冷凝泵和离子泵，均配备闸板阀，经充分烘烤冷却后，基础真空低于5×10^-10 Torr，极限真空优于2×10^-10 Torr。

（4）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。

（5）安装束流规，可自动定位于测试位置和收回位置。

（6）安装RGA及电子放大器模块。

（7）配置蒸发源观察视窗和传样观察视窗，均配备挡板。

（8）配置传样闸板阀，用于隔绝生长 (略) 理腔。

（9）安装1个热唇蒸发源、1个冷唇蒸发源和1个高通量射频等离子源，每个源均配备蒸发源挡板。

（10）热唇蒸发源、冷唇蒸发源：坩埚容量≥ 110 cc， (略) 独立加热，最高加热温度≥ 1350 ℃，温度稳定性≤ ±0.2 ℃。

（11）高通量射频等离子源：满足N₂的等离子激发，射频功率≥ 500 W，气体流量0.1~10 sccm。

（12）安装RHEED，电子能量≥ 15 keV，具有X、Y、Rocking和Beam blanking功能，配备远程控制模块，配套荧光屏和荧光屏挡板，配套CCD相机和图像分析软件。

（13）安装衬底加热器，可加热最大单片3英寸衬底。最高加热温度可达1100 ℃。配备热偶及PID控温，温度稳定性≤ ±0.2 ℃。衬底可连续旋转，最大转速≥ 60 RPM。配套直流电源。配备衬底挡板。

2. 预处理腔

（1）连接生长腔和进样腔，配置水平传样杆，实现衬底托盘传递。

（2）配备视窗及挡板，可以查看衬底传至衬底加热台。

（3）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。

（4）配套离子泵，极限真空优于5×10^-10 Torr。

（5）配置衬底加热台，可加热最大3英寸衬底，加热温度不低于600 ℃。

（6）可存放不少于2个3英寸衬底托盘。

3. 进样腔

（1）配置闸板阀，用于隔离进样 (略) 理腔。

（2）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。

（3）配置分子泵和前级泵，分子泵配置闸板阀，极限真空优于5×10^-8 Torr。

（4）配置红外烘烤灯，最高加热温度不低于150℃。

（5）可一次性放入4个3英寸衬底托盘。

（6）可自动vent和抽气。

4. 设备及生长控制系统

（1）图形化软件控制系统，含配套PC及硬件，包括生长工艺程序编写、自动生长控制、不间断数据记录等功能。

（2）PLC系统可实现真空互锁、水流量互锁等功能。

5. 其它

（1）系统支架、烘烤设备及铜垫圈、衬底托盘等其他配件

（2）系统安装及运行的必备部件，包括液氮循环系统、冷水机、安装工具、控制软件等。

（3）设备设计、安装、调试、培训及售后。

300.00

2024.07