A*-应用软件

1.包含等离子体工艺仿真模块。 2.包含半导体虚拟工艺器件仿真功能。 3.包含MiniMOS求解器, VSP求解器, Si，Ge，MoS，Carbon等材料参数库等，可满足。 支持多种输运模型（drift-diffusion，thermodynamic，hydrodynamic）、复合模型（SRH，Auger，辐射复合，band to band，雪崩）和迁移率模型（包括考虑多种散射如声子散射、库伦散射和界面散射等因素及应力影响下的迁移率模型）。 可仿真半导体器件的电学、光学、热学、应力和电磁学特性。 3.支持分析器件中陷阱对器件性能的影响，可定义不同陷阱分布类型、种类、俘获截面，包括材料内部和两种不同材料界面的陷阱种类。同时针对陷阱问题的分析，该模块还提供几种分析方法来保证整个模拟过程的数值收敛性。 支持泊松方程，以及Boltzmann和Fermi载流子统计模型。 支持带隙/有效质量/态密度模型。 具有接触模型和边界条件，包含欧姆接触、电阻接触、肖特基接触、热边界条件等模型。 提供用Mixed-Mode 分析方法来帮助用 (略) 的分析。 4.支持2D和3D的仿真使用同一仿真器，使得在需要考虑3D效应时，原有的1D/2D设计可以顺畅升级到3D，保持仿真设计工作的延续性。 5.与器件仿真模块在一个界面（WorkBench）里使用，且使用同一种语言及运行方式。

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1.包含等离子体工艺仿真模块。 2.包含半导体虚拟工艺器件仿真功能。 3.包含MiniMOS求解器, VSP求解器, Si，Ge，MoS，Carbon等材料参数库等，可满足。 支持多种输运模型（drift-diffusion，thermodynamic，hydrodynamic）、复合模型（SRH，Auger，辐射复合，band to band，雪崩）和迁移率模型（包括考虑多种散射如声子散射、库伦散射和界面散射等因素及应力影响下的迁移率模型）。 可仿真半导体器件的电学、光学、热学、应力和电磁学特性。 3.支持分析器件中陷阱对器件性能的影响，可定义不同陷阱分布类型、种类、俘获截面，包括材料内部和两种不同材料界面的陷阱种类。同时针对陷阱问题的分析，该模块还提供几种分析方法来保证整个模拟过程的数值收敛性。 支持泊松方程，以及Boltzmann和Fermi载流子统计模型。 支持带隙/有效质量/态密度模型。 具有接触模型和边界条件，包含欧姆接触、电阻接触、肖特基接触、热边界条件等模型。 提供用Mixed-Mode 分析方法来帮助用 (略) 的分析。 4.支持2D和3D的仿真使用同一仿真器，使得在需要考虑3D效应时，原有的1D/2D设计可以顺畅升级到3D，保持仿真设计工作的延续性。 5.与器件仿真模块在一个界面（WorkBench）里使用，且使用同一种语言及运行方式。