2025年3至6月政府采购意向-高温SiC功率器件动态和鲁棒性测试系统详细情况万元人民币

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2025年3至6月政府采购意向-高温SiC功率器件动态和鲁棒性测试系统详细情况万元人民币

高温SiC功率器件动态和鲁棒性测试系统
项目所在采购意向: (略) 微电子研究所2025年3至6月政府采购意向
采购单位: (略) 微电子研究所
采购项目名称: 高温SiC功率器件动态和鲁棒性测试系统
预算金额: 196.(略)万元(人民币)
采购品目:
A(略)-设备(略)仪器仪表(略)试验仪器及装置(略)电子可靠性试验设备
采购需求概况 :
开展基于SiC宽禁带半导体材料的高温功率器件技术研究,突破高温下SiC功率器件电流增强技术、长时稳定工作的SiC栅氧关键工艺技术,形成自主可控的高温SiC功率器件研制方案,产出225℃高温SiC二极管和SiC MOSFET功率器件产品,满足智能导钻装备对高工作温度与长寿命要求的SiC功率器件的需求,支撑智能导钻装备的创新发展。在高温SiC功率器件研制中,高温225℃环境下SiC功率器件的动态和鲁棒性特性的测试评估是优化和提升SiC功率器件高温可靠性的必要内容。目前针对功率器件的动态和鲁棒性测试系统,可实现的测试温度最高温度在175℃。无法用于满足评估高温225℃ SiC功率器件特性的需求。
预计采购时间: 2025-03
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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高温SiC功率器件动态和鲁棒性测试系统
项目所在采购意向: (略) 微电子研究所2025年3至6月政府采购意向
采购单位: (略) 微电子研究所
采购项目名称: 高温SiC功率器件动态和鲁棒性测试系统
预算金额: 196.(略)万元(人民币)
采购品目:
A(略)-设备(略)仪器仪表(略)试验仪器及装置(略)电子可靠性试验设备
采购需求概况 :
开展基于SiC宽禁带半导体材料的高温功率器件技术研究,突破高温下SiC功率器件电流增强技术、长时稳定工作的SiC栅氧关键工艺技术,形成自主可控的高温SiC功率器件研制方案,产出225℃高温SiC二极管和SiC MOSFET功率器件产品,满足智能导钻装备对高工作温度与长寿命要求的SiC功率器件的需求,支撑智能导钻装备的创新发展。在高温SiC功率器件研制中,高温225℃环境下SiC功率器件的动态和鲁棒性特性的测试评估是优化和提升SiC功率器件高温可靠性的必要内容。目前针对功率器件的动态和鲁棒性测试系统,可实现的测试温度最高温度在175℃。无法用于满足评估高温225℃ SiC功率器件特性的需求。
预计采购时间: 2025-03
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。

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