2025年7至9月政府采购意向-12吋硅锗硅源漏选择性外延系统详细情况万元人民币
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2025年7至9月政府采购意向-12吋硅锗硅源漏选择性外延系统详细情况万元人民币
| 12吋硅锗硅源漏选择性外延系统 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2025年7至9月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 12吋硅锗硅源漏选择性外延系统 |
| 预算金额： | 7500.(略)万元(人民币) |
| 采购品目： | A(略)-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 设备名称：12吋硅锗硅源漏选择性外延系统，该设备用于CFET/GAA器件的源漏外延工艺，面向高性能SRAM的CMOS晶体管研发需要同时引典型的CFET器件结构由上层的NFET和下层的PFET构成。CFE (略) 结构与22/14纳米节点技术有 (略) 别。在工艺方法上，下层的PFET (略) 采用的是掺B的SiGe选择性外延，上层NFET (略) 采用的是SiP选择性外延，上下两个外延层用介质隔离。PFET源漏SiGe外延层中的Ge组分随着器件尺寸的微缩越来越高，源 (略) 域的轮廓形貌也发生了明显的变化。器件结构变化给选择性源漏外延技术带来了非常大的挑战。由于工艺金属沾污管控的影响，此设备不能与12吋硅锗硅超晶格叠层外延系统混用，需要单独购置。采购数量1台。 |
| 预计采购时间： | 2025-07 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
| 12吋硅锗硅源漏选择性外延系统 | |
| 项目所在采购意向： | (略) 微电子研究所2025年7至9月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 12吋硅锗硅源漏选择性外延系统 |
| 预算金额： | 7500.(略)万元(人民币) |
| 采购品目： | A(略)-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 设备名称：12吋硅锗硅源漏选择性外延系统，该设备用于CFET/GAA器件的源漏外延工艺，面向高性能SRAM的CMOS晶体管研发需要同时引典型的CFET器件结构由上层的NFET和下层的PFET构成。CFE (略) 结构与22/14纳米节点技术有 (略) 别。在工艺方法上，下层的PFET (略) 采用的是掺B的SiGe选择性外延，上层NFET (略) 采用的是SiP选择性外延，上下两个外延层用介质隔离。PFET源漏SiGe外延层中的Ge组分随着器件尺寸的微缩越来越高，源 (略) 域的轮廓形貌也发生了明显的变化。器件结构变化给选择性源漏外延技术带来了非常大的挑战。由于工艺金属沾污管控的影响，此设备不能与12吋硅锗硅超晶格叠层外延系统混用，需要单独购置。采购数量1台。 |
| 预计采购时间： | 2025-07 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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