晶闸管通态电流临界上升率试验台招标预告
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晶闸管通态电流临界上升率试验台招标预告
| 晶闸管通态电流临界上升率试验台 | |
| (略) 在采购意向： | (略) 电 (略) * 年7月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 电 (略) |
| 采购项目名称： | 晶闸管通态电流临界上升率试验台 |
| 预算金额： | * . 点击查看>> 万元(人民币) |
| 采购品目： |
A 点击查看>> 半导体器件参数测量仪 |
| 采购需求概况： |
晶闸管通态电流临界上升率试验台*1技术指标："·断态电压(VDM)：可达 * V ；·通态电流峰值(ITM)：可达 * A；·正弦波及衰减波 ；通态电流上升率(di/dt)： * ～ * A/μs ；·工作方式：手动、自动 ；·工作频率： * Hz；·显示方式：VDM为数字显示；ITM及di/dt为示波器显示"。用于晶闸管通态电流临界上升率的测试 |
| 预计采购时间： | 点击查看>> |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
| 晶闸管通态电流临界上升率试验台 | |
| (略) 在采购意向： | (略) 电 (略) * 年7月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) 电 (略) |
| 采购项目名称： | 晶闸管通态电流临界上升率试验台 |
| 预算金额： | * . 点击查看>> 万元(人民币) |
| 采购品目： |
A 点击查看>> 半导体器件参数测量仪 |
| 采购需求概况： |
晶闸管通态电流临界上升率试验台*1技术指标："·断态电压(VDM)：可达 * V ；·通态电流峰值(ITM)：可达 * A；·正弦波及衰减波 ；通态电流上升率(di/dt)： * ～ * A/μs ；·工作方式：手动、自动 ；·工作频率： * Hz；·显示方式：VDM为数字显示；ITM及di/dt为示波器显示"。用于晶闸管通态电流临界上升率的测试 |
| 预计采购时间： | 点击查看>> |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
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