电信学院生命信号团队采购MPW流片服务

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竞价结果(JJ*)
开始时间:** 11:45:57 截止时间:** 11:45:00 截止时间已过
成交单位: (略) (略)
成交价:*.00元
说明:各有关当事人对竞价结果有异议的,可以在竞价结果公告发布之日起3天内通过规定途径提起异议,逾期将视为无异议,不予受理。
采购单位:华南师范大学
联系人:*老师
E-mail:*@*q.com
联系电话:*
传真:无
联系手机:无
邮编:无
平台联系电话(异议):020-*;*@*q.com
项目名称:
电信学院生命信号团队采购MPW流片服务
竞价编号:JJ*
采购类型:货物类
开始时间:** 11:45:57
项目预算(元):250,000.00
结束时间:** 11:45:00
质保期及售后要求:1年质保
其他要求:投标供应商应提供设计所需的PDK和eeprom bitcell
响应情况
资格及商务响应情况
项目竞价要求响应情况
资格条件投标供应商应上传售后服务认证证书5星证书及连续3年的守合同重信用企业证书我司已上传售后服务认证证书5星证书及连续3年的守合同重信用企业证书
付款方式服务完成后支付100%的服务款项服务完成后支付100%的服务款项
交付时间签订合同后15天送货签订合同后15天送货。
交付地址华南师范大学南海校区行政楼
质保期及售后要求1年质保1年质保
其他要求:投标供应商应提供设计所需的PDK和eeprom bitcell我司提供设计所需的PDK和eeprom bitcell
报价情况
标的名称品牌/型号数量响应情况单价(元/%)
MPW流片服务中芯国际1.00中芯国际*.000元
总报价*.00元
技术响应
标的名称技术要求响应情况
MPW流片服务芯片的GDS数据,应采用SMIC 130nm EEPROM工艺制造,完成1次MPW流片服务;芯片代工制造商应为中芯国际;芯片IO接口电压为3.3V或者5V,金属层数为6层,包括模拟电路、数字电路和存储电路;提供DRC、LVS验证服务,提供数据上传,数据比对跟进服务。工艺信息:0.13um,2 Poly,6 Metal,1 Top Metal,Adv. Emb-EEPROM (Cu-BEOL),Low leakage;SMIC设计规则: TD-EE13-DR-2003;内核电压:1.5V;IO接口电压:3.3V/5V;是否有HV Device:Yes;是否存在SRAM:NO;是否存在Bipolar:YES,1.5V BJT VPNP;Clamp Diode类型:Others;电阻类型:Non-Silicide P+ Poly Resistor;Capacitor MIM:面积为1.0fF/um2,位置介于TM和TM-1之间;Capacitor MOM:NO;Capacitor PIP:Single PIP;ESD:NO;EEPROM:Cell Size 1.64um2;是否需要SMIC插入dummy:否;Seal Ring:Use customer"s seal Ring;Assembly:Au wire bond。最终交付形态:50颗芯片。完全响应
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成交价:*.00元
说明:各有关当事人对竞价结果有异议的,可以在竞价结果公告发布之日起3天内通过规定途径提起异议,逾期将视为无异议,不予受理。
采购单位:华南师范大学
联系人:*老师
E-mail:*@*q.com
联系电话:*
传真:无
联系手机:无
邮编:无
平台联系电话(异议):020-*;*@*q.com
项目名称:
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竞价编号:JJ*
采购类型:货物类
开始时间:** 11:45:57
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结束时间:** 11:45:00
质保期及售后要求:1年质保
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响应情况
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资格条件投标供应商应上传售后服务认证证书5星证书及连续3年的守合同重信用企业证书我司已上传售后服务认证证书5星证书及连续3年的守合同重信用企业证书
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交付地址华南师范大学南海校区行政楼
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MPW流片服务中芯国际1.00中芯国际*.000元
总报价*.00元
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标的名称技术要求响应情况
MPW流片服务芯片的GDS数据,应采用SMIC 130nm EEPROM工艺制造,完成1次MPW流片服务;芯片代工制造商应为中芯国际;芯片IO接口电压为3.3V或者5V,金属层数为6层,包括模拟电路、数字电路和存储电路;提供DRC、LVS验证服务,提供数据上传,数据比对跟进服务。工艺信息:0.13um,2 Poly,6 Metal,1 Top Metal,Adv. Emb-EEPROM (Cu-BEOL),Low leakage;SMIC设计规则: TD-EE13-DR-2003;内核电压:1.5V;IO接口电压:3.3V/5V;是否有HV Device:Yes;是否存在SRAM:NO;是否存在Bipolar:YES,1.5V BJT VPNP;Clamp Diode类型:Others;电阻类型:Non-Silicide P+ Poly Resistor;Capacitor MIM:面积为1.0fF/um2,位置介于TM和TM-1之间;Capacitor MOM:NO;Capacitor PIP:Single PIP;ESD:NO;EEPROM:Cell Size 1.64um2;是否需要SMIC插入dummy:否;Seal Ring:Use customer"s seal Ring;Assembly:Au wire bond。最终交付形态:50颗芯片。完全响应
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