磁控溅射薄膜沉积系统自购结果公示
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磁控溅射薄膜沉积系统自购结果公示
| 供应商： | (略) 沈阳 (略) |
|---|---|
| 中标金额： | * |
| 公示开始日期 | 2023-11-24 | 公示截止日期 | 2023-11-25 09:34:53 |
|---|---|---|---|
| 采购单位 | (略) | 付款方式 | 货到验收合格后付款 |
| 签约时间要求 | 到货时间要求 | ||
| 收货地址 | (略) 高新区舜华路1500号山东大学软件园校区教研楼3B-B104 | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 |
|---|---|---|
| 磁控溅射薄膜沉积系统 | 1 | 台 |
| 品牌 | (略) 沈阳 (略) | 规格型号 | TRP450 |
|---|---|---|---|
| 技术参数 | 一、系统组成及设备结构 高真空磁控溅射薄膜沉积系统为单室结构，主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转加热基片台、加热系统、直流电源、射频电源、工作气路、真空获得系统、安装机台、真空测量、水冷却及报警系统、设备电控系统和控制系统等部分组成。 二、系统主要功能 高真空磁控溅射薄膜沉积系统通过直流溅射及射频溅射方式进行镀膜，可以实现各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜的制备。可溅射材料包括各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜。 溅射模式： 1) 直流溅射 2) 反应溅射 3) 斜靶共溅射 系统采用计算机控制，液晶显示屏、鼠标键盘操作，Windows 会话界面，操作简单方便，并支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程全自动化操作。 三、系统的主要参数 1.反应室为单室，不锈钢真空室尺寸不小于40 cm×40 cm，配不锈钢防污染内衬。可内烘烤到100～150℃。 2.工艺室真空：真空室极限真空优于10-5Pa(经烘烤除气后)，从大气抽真空到5×10-4Pa小于30分钟。 3.至少为四英寸片可旋转样品盘，带有电控气动挡板。四英寸范围内沉积均匀性≤±5%；批次间重复性≤±3%。 4. 3个共焦3英寸溅射源靶枪，靶枪和工件盘距离可调。每个靶枪带一个独立的电控气动挡板。 5.采用3台质量流量控制器控制3 路气体进气，气体流量范围0-100 sccm可调。 6.至少2个直流源，输出功率0-500 W；一个射频电源且自动匹配，输出功率0-500 W，任意两个靶枪可以实现共溅射。 7.加热：普通可旋转样品盘，转速5-20 rpm，转速可调，最大加热温度可达：600 °C，精度±1%。 8.真空计探测器寿命长于2年，测量范围：1×105Pa-1×10-9Pa。 9.兼具全自动、手动、维修控制模式 10.提供彩色可视图形化全自动控制系统，软件设计界面简易友好，权限分级明确，有效防止误操作。工艺程序可预存，参数有记录。 11.提供一次免费对设备拆和装服务，不包含运输费。 四、售后以及质保期等： 1) 验收合格之日起1年为质保期； 2) 保修期内产品如有质量问题，提供免费维修及更换配件； 3) 售后电话响应时间为24小时之内，现场响应时间为3-6天。 | ||
| 售后服务 | 服务网点:外地;质保期限:1年;响应期限:报修后24小时; | ||
资产与实验室管理部
2023-11-24
| 供应商： | (略) 沈阳 (略) |
|---|---|
| 中标金额： | * |
| 公示开始日期 | 2023-11-24 | 公示截止日期 | 2023-11-25 09:34:53 |
|---|---|---|---|
| 采购单位 | (略) | 付款方式 | 货到验收合格后付款 |
| 签约时间要求 | 到货时间要求 | ||
| 收货地址 | (略) 高新区舜华路1500号山东大学软件园校区教研楼3B-B104 | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 |
|---|---|---|
| 磁控溅射薄膜沉积系统 | 1 | 台 |
| 品牌 | (略) 沈阳 (略) | 规格型号 | TRP450 |
|---|---|---|---|
| 技术参数 | 一、系统组成及设备结构 高真空磁控溅射薄膜沉积系统为单室结构，主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转加热基片台、加热系统、直流电源、射频电源、工作气路、真空获得系统、安装机台、真空测量、水冷却及报警系统、设备电控系统和控制系统等部分组成。 二、系统主要功能 高真空磁控溅射薄膜沉积系统通过直流溅射及射频溅射方式进行镀膜，可以实现各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜的制备。可溅射材料包括各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜。 溅射模式： 1) 直流溅射 2) 反应溅射 3) 斜靶共溅射 系统采用计算机控制，液晶显示屏、鼠标键盘操作，Windows 会话界面，操作简单方便，并支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程全自动化操作。 三、系统的主要参数 1.反应室为单室，不锈钢真空室尺寸不小于40 cm×40 cm，配不锈钢防污染内衬。可内烘烤到100～150℃。 2.工艺室真空：真空室极限真空优于10-5Pa(经烘烤除气后)，从大气抽真空到5×10-4Pa小于30分钟。 3.至少为四英寸片可旋转样品盘，带有电控气动挡板。四英寸范围内沉积均匀性≤±5%；批次间重复性≤±3%。 4. 3个共焦3英寸溅射源靶枪，靶枪和工件盘距离可调。每个靶枪带一个独立的电控气动挡板。 5.采用3台质量流量控制器控制3 路气体进气，气体流量范围0-100 sccm可调。 6.至少2个直流源，输出功率0-500 W；一个射频电源且自动匹配，输出功率0-500 W，任意两个靶枪可以实现共溅射。 7.加热：普通可旋转样品盘，转速5-20 rpm，转速可调，最大加热温度可达：600 °C，精度±1%。 8.真空计探测器寿命长于2年，测量范围：1×105Pa-1×10-9Pa。 9.兼具全自动、手动、维修控制模式 10.提供彩色可视图形化全自动控制系统，软件设计界面简易友好，权限分级明确，有效防止误操作。工艺程序可预存，参数有记录。 11.提供一次免费对设备拆和装服务，不包含运输费。 四、售后以及质保期等： 1) 验收合格之日起1年为质保期； 2) 保修期内产品如有质量问题，提供免费维修及更换配件； 3) 售后电话响应时间为24小时之内，现场响应时间为3-6天。 | ||
| 售后服务 | 服务网点:外地;质保期限:1年;响应期限:报修后24小时; | ||
资产与实验室管理部
2023-11-24
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