钽酸锂单晶炉技术研发项目
钽酸锂单晶炉技术研发项目
所有权人 | 专利号 | ||
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拟受让单 (略) 域 | 联系邮箱 | 受让方是否是成果完成人或者其利害关系人 | |
*@*q.com | 否 | ||
出让方式 | 公示备注 | ||
其他许可 | -- |
6英寸钽酸锂单晶炉的改造和生长良率提升的技术方案,使晶体生长良率达到90%以上;#方提供8英寸钽酸锂晶体生长技术方案。
(1)6英寸钽酸锂单晶炉的改造技术方案;
钽酸锂单晶炉采用提拉法和中频感应的方式,用铱坩埚或铂金坩埚生长钽酸锂压电晶体。设备主要由炉体、架台、上称重提拉系统、电源加热控制系统、电气软件控制系统、水冷却循环系统、真空系统等组成。具体改造方案包括:①上提拉系统优化设计,提高直线运动和旋转运动的精度和稳定性:上轴提拉头机构是设备的核心部件,包括称重机构、升降回转机构、恒温模块及籽晶等机构,升降机构采用直线导轨和滚珠丝杠的结构,实现提拉头的平稳精准运动。称重系统采用高精度称重传感器,承受籽晶轴和晶体的重量,最大载荷25kg,分辨精度为0.01g,既保证了引晶时称重的高灵敏度又保证了引晶及长晶过程的称重平稳度。②升降机构的优化设计,提高稳定性和热效率,保证产品质量:设计了一种压电晶体高低速升降机构,包括机架以及安装于机架的动力装置、变速装置、传动装置和托架,托架用于放置坩埚,动力装置连接变速装置,传动装置分别连接变速装置和加热线圈,加热线圈靠近托架布置,且动力装置通过变速装置和传动装置驱动加热线圈相对于托架竖直移动,并通过变速装置调节加热线圈的移动速度。通过调节加热线圈与坩埚的相对位置,进而调节热场的位置,避免热量不能被有效利用,防止加热过度的情况,提高热利用率,保证产品品质,并具有快速和慢速两种档位,安装坩埚时使用快速档位,提高生产效率,加热晶体时使用慢速档位,对热场实时精确调整。
(2)6英寸钽酸锂单晶炉长晶工艺改进,生长良率提升到90%以上;
#方协助#方 (略) 进行6英寸钽酸锂单晶炉的长晶工艺试验,采用改造后的单晶炉,控制系统采用提拉法等径控制软件,基于Windows系统C#编程环境,运用上称重方法来控制晶体直径,晶体形状可随意设计,PID及运动参数可随晶体形状过渡变化,屏幕上数据交叉显示提供生长过程中数据综合分析工具。通过模拟计算晶体生长的情况和实际晶体生长状况进行对比,优化热场材料参数。建立热场模拟情况数据库,建立不同温度条件下晶体生长状况的理论分析,确定最优的晶体生长工艺参数,进而提升长晶的成功率及晶棒的质量,确保设备的长晶良率达到90%以上。
(3)提供8英寸钽酸锂晶体生长技术方案;
#方协助#方完成8英寸钽酸锂单晶炉的开发及钽酸锂单晶晶体的生长,包括总体方案的确定,图纸设计、主关零部件加工、外协件采购、装配工艺编制、控制软件开发、整机装配及调试、长晶工艺匹配等工作。完成1台8英寸钽酸锂晶体炉的试制,成功拉制出合格的8英寸钽酸锂单晶晶锭。
所有权人 | 专利号 | ||
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拟受让单 (略) 域 | 联系邮箱 | 受让方是否是成果完成人或者其利害关系人 | |
*@*q.com | 否 | ||
出让方式 | 公示备注 | ||
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6英寸钽酸锂单晶炉的改造和生长良率提升的技术方案,使晶体生长良率达到90%以上;#方提供8英寸钽酸锂晶体生长技术方案。
(1)6英寸钽酸锂单晶炉的改造技术方案;
钽酸锂单晶炉采用提拉法和中频感应的方式,用铱坩埚或铂金坩埚生长钽酸锂压电晶体。设备主要由炉体、架台、上称重提拉系统、电源加热控制系统、电气软件控制系统、水冷却循环系统、真空系统等组成。具体改造方案包括:①上提拉系统优化设计,提高直线运动和旋转运动的精度和稳定性:上轴提拉头机构是设备的核心部件,包括称重机构、升降回转机构、恒温模块及籽晶等机构,升降机构采用直线导轨和滚珠丝杠的结构,实现提拉头的平稳精准运动。称重系统采用高精度称重传感器,承受籽晶轴和晶体的重量,最大载荷25kg,分辨精度为0.01g,既保证了引晶时称重的高灵敏度又保证了引晶及长晶过程的称重平稳度。②升降机构的优化设计,提高稳定性和热效率,保证产品质量:设计了一种压电晶体高低速升降机构,包括机架以及安装于机架的动力装置、变速装置、传动装置和托架,托架用于放置坩埚,动力装置连接变速装置,传动装置分别连接变速装置和加热线圈,加热线圈靠近托架布置,且动力装置通过变速装置和传动装置驱动加热线圈相对于托架竖直移动,并通过变速装置调节加热线圈的移动速度。通过调节加热线圈与坩埚的相对位置,进而调节热场的位置,避免热量不能被有效利用,防止加热过度的情况,提高热利用率,保证产品品质,并具有快速和慢速两种档位,安装坩埚时使用快速档位,提高生产效率,加热晶体时使用慢速档位,对热场实时精确调整。
(2)6英寸钽酸锂单晶炉长晶工艺改进,生长良率提升到90%以上;
#方协助#方 (略) 进行6英寸钽酸锂单晶炉的长晶工艺试验,采用改造后的单晶炉,控制系统采用提拉法等径控制软件,基于Windows系统C#编程环境,运用上称重方法来控制晶体直径,晶体形状可随意设计,PID及运动参数可随晶体形状过渡变化,屏幕上数据交叉显示提供生长过程中数据综合分析工具。通过模拟计算晶体生长的情况和实际晶体生长状况进行对比,优化热场材料参数。建立热场模拟情况数据库,建立不同温度条件下晶体生长状况的理论分析,确定最优的晶体生长工艺参数,进而提升长晶的成功率及晶棒的质量,确保设备的长晶良率达到90%以上。
(3)提供8英寸钽酸锂晶体生长技术方案;
#方协助#方完成8英寸钽酸锂单晶炉的开发及钽酸锂单晶晶体的生长,包括总体方案的确定,图纸设计、主关零部件加工、外协件采购、装配工艺编制、控制软件开发、整机装配及调试、长晶工艺匹配等工作。完成1台8英寸钽酸锂晶体炉的试制,成功拉制出合格的8英寸钽酸锂单晶晶锭。
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