真空金属溅射镀膜系统成交结果公告

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真空金属溅射镀膜系统成交结果公告


成交供应商：北京 (略)
成交金额：#.0
成交理由：符合要求，价格最低
项目名称 真空金属溅射镀膜系统 项目编号 GY#
公告开始日期 # 公告截止日期 #
采购单位 山东大学 付款方式 签订合同后支付70%，货到验收合格后支付30%
联系人 中标后在我参与的项目中查看 联系电话 中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求 无 到货时间要求 签订合同4个月
预 算 #.0
收货地址 山东大学半导体大楼102
供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
真空薄膜溅射镀膜系统 1 台 电子工业生产设备
品牌 创世威纳
型号 DISC-SP-3200
品牌2 无
型号 无
品牌3 无
型号 无
预算 #.0
技术参数及配置要求 1. 设备采用 Load-Lock 室（进样室） +镀膜室的双腔室结构，两腔室间由一矩形超高真空密封锁隔开， 送取样品由进口伺服电机 驱动的高精度机械手实现。 2. 配置 3 个靶位，2个直流靶（其中一个为强磁靶）、1个射频靶。溅射距离及靶角度均可手动调节，可根据样 (略) 要求选择磁控靶大小。每只靶配有独立的靶挡板， 用于预溅射并防止靶材交叉污染 3. 配备 Ar、 O2、 (略) 工艺气体。 4. 工件盘为φ 6 英寸， 由旋转电机驱动进行自转，转速可调，工件盘可以加热，温度最高600°C。 5. 设备配备偏压电源，用于偏压辅助沉积，增强膜层质量 6. 设备采用基于 PLC、上位机及软件的控制方式，包含完备的安全报警系统，系统具有完备的系统在线数据采集功能，完善的系统日志。 7. 设备通用指标及参数 (1) Load-Lock 室尺寸： L280mm× W300mm× H230mm (2) 镀膜室尺寸：Φ450mm× H420mm (3) 整机尺寸： L2600mm× W1600mm× H1900mm (4) 整机重量： 950Kg (5) 溅射方向：靶在上，样品在下 (6) 磁控靶大小及数量：φ 3 英寸磁控靶 3 只 (7) 工件盘大小及数量： φ 6 英寸 1 个 (8) 电源配置： a) 1000W 直流电源 1 台 b) 600W 射频电源 1 台 c) -300V 偏压电源 1 台 (9) 机械手：机械手精度：≤0.1mm，机械手悬垂：≤0.5mm (10) 抽口大小：φ 150mm 8. 极限真空度： (1) Load-Lock 室： ≤6.7× 10-1Pa (2) 镀膜室：≤6.7× 10-5Pa (3) 系统漏率： ≤5× 10-7Pa· L/s (4) 静态升压：系统停泵关机 12 小时后，真空度≤5Pa (5) 抽气速率（通过 load-lock 送样后开始抽气） ： (6) 至 9× 10-4Pa≤10min (7) 至 6.7× 10-4Pa≤15min 9. 设备参数及工艺指标 (1) 靶材3英寸、 (略) 域6英寸的厚度不均匀性≤±5% (2) 溅射距离调节范围： 8-12cm (3) 靶角度调节精度： 1° 10. 温度指标 (1) 样片表面最高温度： 600℃ (2) 控温精度： 1℃ (3) 温度不均匀性： ≤±1% 11. 硬件配置 真空溅射室系统、Load-Lock 室系统、样品及工件盘系统、真空获得系统（分子泵、干泵、挡板阀、超高真空电动调节阀）、真空测量系统（全量程复合真空计、电阻规、冷规等）、恒压控制系统、电源系统（强磁直流电源、普通直流电源、射频电源、偏压电源等）、磁控靶系统（溅射靶、挡板、角度调节器各3套）、加热系统、气路系统、 (略) 、电气系统、自动控制系统等
售后服务 (略) 点:当地;质保期限:1年;响应期限:报修后2小时;

成交供应商：北京 (略)
成交金额：#.0
成交理由：符合要求，价格最低
项目名称 真空金属溅射镀膜系统 项目编号 GY#
公告开始日期 # 公告截止日期 #
采购单位 山东大学 付款方式 签订合同后支付70%，货到验收合格后支付30%
联系人 中标后在我参与的项目中查看 联系电话 中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求 无 到货时间要求 签订合同4个月
预 算 #.0
收货地址 山东大学半导体大楼102
供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
真空薄膜溅射镀膜系统 1 台 电子工业生产设备
品牌 创世威纳
型号 DISC-SP-3200
品牌2 无
型号 无
品牌3 无
型号 无
预算 #.0
技术参数及配置要求 1. 设备采用 Load-Lock 室（进样室） +镀膜室的双腔室结构，两腔室间由一矩形超高真空密封锁隔开， 送取样品由进口伺服电机 驱动的高精度机械手实现。 2. 配置 3 个靶位，2个直流靶（其中一个为强磁靶）、1个射频靶。溅射距离及靶角度均可手动调节，可根据样 (略) 要求选择磁控靶大小。每只靶配有独立的靶挡板， 用于预溅射并防止靶材交叉污染 3. 配备 Ar、 O2、 (略) 工艺气体。 4. 工件盘为φ 6 英寸， 由旋转电机驱动进行自转，转速可调，工件盘可以加热，温度最高600°C。 5. 设备配备偏压电源，用于偏压辅助沉积，增强膜层质量 6. 设备采用基于 PLC、上位机及软件的控制方式，包含完备的安全报警系统，系统具有完备的系统在线数据采集功能，完善的系统日志。 7. 设备通用指标及参数 (1) Load-Lock 室尺寸： L280mm× W300mm× H230mm (2) 镀膜室尺寸：Φ450mm× H420mm (3) 整机尺寸： L2600mm× W1600mm× H1900mm (4) 整机重量： 950Kg (5) 溅射方向：靶在上，样品在下 (6) 磁控靶大小及数量：φ 3 英寸磁控靶 3 只 (7) 工件盘大小及数量： φ 6 英寸 1 个 (8) 电源配置： a) 1000W 直流电源 1 台 b) 600W 射频电源 1 台 c) -300V 偏压电源 1 台 (9) 机械手：机械手精度：≤0.1mm，机械手悬垂：≤0.5mm (10) 抽口大小：φ 150mm 8. 极限真空度： (1) Load-Lock 室： ≤6.7× 10-1Pa (2) 镀膜室：≤6.7× 10-5Pa (3) 系统漏率： ≤5× 10-7Pa· L/s (4) 静态升压：系统停泵关机 12 小时后，真空度≤5Pa (5) 抽气速率（通过 load-lock 送样后开始抽气） ： (6) 至 9× 10-4Pa≤10min (7) 至 6.7× 10-4Pa≤15min 9. 设备参数及工艺指标 (1) 靶材3英寸、 (略) 域6英寸的厚度不均匀性≤±5% (2) 溅射距离调节范围： 8-12cm (3) 靶角度调节精度： 1° 10. 温度指标 (1) 样片表面最高温度： 600℃ (2) 控温精度： 1℃ (3) 温度不均匀性： ≤±1% 11. 硬件配置 真空溅射室系统、Load-Lock 室系统、样品及工件盘系统、真空获得系统（分子泵、干泵、挡板阀、超高真空电动调节阀）、真空测量系统（全量程复合真空计、电阻规、冷规等）、恒压控制系统、电源系统（强磁直流电源、普通直流电源、射频电源、偏压电源等）、磁控靶系统（溅射靶、挡板、角度调节器各3套）、加热系统、气路系统、 (略) 、电气系统、自动控制系统等
售后服务 (略) 点:当地;质保期限:1年;响应期限:报修后2小时;
    
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