感内去噪图像传感器芯片光刻制作项目科研急需采购结果公告

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感内去噪图像传感器芯片光刻制作项目科研急需采购结果公告

一、项目编号：KYJX*

二、项目名称：复旦大学感内去噪图像传感器芯片光刻制作项目科研急需采购

三、成交信息

供应商名称： 上海 (略)

成交金额：77（万元）

四、主要标的信息


服务名称 服务范围 服务要求 服务时间 服务标准
感内去噪图像传感器芯片光刻制作项目 为*方提供基于 55nm 背照式 CIS工艺的感内去噪图像传感器芯片光刻制作服务 1)*方按照*方要求安排工作日程，并于2025年12月前完成。
2)*方向*方提交感内去噪图像传感器芯片的光刻要求数据。
3)*方为*方提供基于 55nm 背照式 CIS工艺的光刻制作，满足感内去噪图像传感器芯片的光刻尺寸要求。
4）*方向*方交付光刻后的产物12套。		 2024年12月 光刻制作工艺精度达标，安全稳定。

五、科研项目负责人：王明宇

六、公告期限

自本公告发布之日起1个工作日。

七、凡对本次公告内容提出疑问，请按以下方式联系

采购人名 称：复旦大学　　　　　

地址： (略) (略) (略) 220号　　　　　　　　

联系方式：陈老师 021-*

信息来源:http://**

一、项目编号：KYJX*

二、项目名称：复旦大学感内去噪图像传感器芯片光刻制作项目科研急需采购

三、成交信息

供应商名称： 上海 (略)

成交金额：77（万元）

四、主要标的信息


服务名称 服务范围 服务要求 服务时间 服务标准
感内去噪图像传感器芯片光刻制作项目 为*方提供基于 55nm 背照式 CIS工艺的感内去噪图像传感器芯片光刻制作服务 1)*方按照*方要求安排工作日程，并于2025年12月前完成。
2)*方向*方提交感内去噪图像传感器芯片的光刻要求数据。
3)*方为*方提供基于 55nm 背照式 CIS工艺的光刻制作，满足感内去噪图像传感器芯片的光刻尺寸要求。
4）*方向*方交付光刻后的产物12套。		 2024年12月 光刻制作工艺精度达标，安全稳定。

五、科研项目负责人：王明宇

六、公告期限

自本公告发布之日起1个工作日。

七、凡对本次公告内容提出疑问，请按以下方式联系

采购人名 称：复旦大学　　　　　

地址： (略) (略) (略) 220号　　　　　　　　

联系方式：陈老师 021-*

信息来源:http://**
    
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