[1] 成果名称：集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法

完成人：徐弘毅; 盛况; 任娜

权利人：浙江大学

成果类型：发明专利

成果号：ZL*.4

成果简介：本公开涉及集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法。该方法包括：在预制半导体结构形成第一槽，预制半导体结构包括叠层结构和第二 (略) ，第一槽与第二 (略) 被第一 (略) 隔开，第一槽贯穿第一 (略) 和沟道层并延伸入第 (略) ；形成具有第一掺杂类型的第 (略) ，第 (略) 至少自第一槽的底面沿堆叠方向贯穿保护层并延伸入复合衬底；在预制半导体结构形成第二槽，第二槽贯穿第一 (略) 及沟道层，第二槽暴露出第 (略) ；形成位于第一槽内的栅氧结构；以及形成位于第二槽内的源极延伸部，其中，源极延伸部与第 (略) 实现电性接触。该方法可以制造退化风险较低的集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管。

[2] 成果名称：异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件

完成人：盛况; 任娜; 徐弘毅

权利人：浙江大学

成果类型：发明专利

成果号：ZL*.6

成果简介：本公开涉及异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件。该异质结绝缘栅场效应管包括：第一材料结构；第二材料结构，与第一材料结构堆叠构成半导体结构，第二材料结构的碳含量小于第一材料结构的碳含量；栅极，沿堆叠的方向贯穿第二材料结构；以及氧化层，位于栅极与半导体结构之间，包括：对应第一材料结构的第一氧化部和对应第二材料结构的第二氧化部。该异质结绝缘栅场效应管可以实现较高的沟道迁移率，并且保证了异质结材料间的能带差没有明显影响器件整体的导通电压。

[1] 成果名称：集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法

完成人：徐弘毅; 盛况; 任娜

权利人：浙江大学

成果类型：发明专利

成果号：ZL*.4

成果简介：本公开涉及集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法。该方法包括：在预制半导体结构形成第一槽，预制半导体结构包括叠层结构和第二 (略) ，第一槽与第二 (略) 被第一 (略) 隔开，第一槽贯穿第一 (略) 和沟道层并延伸入第 (略) ；形成具有第一掺杂类型的第 (略) ，第 (略) 至少自第一槽的底面沿堆叠方向贯穿保护层并延伸入复合衬底；在预制半导体结构形成第二槽，第二槽贯穿第一 (略) 及沟道层，第二槽暴露出第 (略) ；形成位于第一槽内的栅氧结构；以及形成位于第二槽内的源极延伸部，其中，源极延伸部与第 (略) 实现电性接触。该方法可以制造退化风险较低的集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管。

[2] 成果名称：异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件

完成人：盛况; 任娜; 徐弘毅

权利人：浙江大学

成果类型：发明专利

成果号：ZL*.6

成果简介：本公开涉及异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件。该异质结绝缘栅场效应管包括：第一材料结构；第二材料结构，与第一材料结构堆叠构成半导体结构，第二材料结构的碳含量小于第一材料结构的碳含量；栅极，沿堆叠的方向贯穿第二材料结构；以及氧化层，位于栅极与半导体结构之间，包括：对应第一材料结构的第一氧化部和对应第二材料结构的第二氧化部。该异质结绝缘栅场效应管可以实现较高的沟道迁移率，并且保证了异质结材料间的能带差没有明显影响器件整体的导通电压。