材料基因芯片制备工艺模块等设备采购

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材料基因芯片制备工艺模块等设备采购




( * )项目基本信息

项目名称

材料基因芯片制备工艺模块等设备采购

采购预算(元)

* 万元

是否接受进口设备

( * )货物清单

序号

设备名称

数量

单位

1

材料基因芯片制备工艺模块

1

2

连续掩膜模块

1

3

分立掩膜模块

1

4

多元材料电子束蒸发源

1

5

材料基因芯片转移过渡腔

1

6

多样品超高真空更换模块

1

7

多靶材更换模块

1

( * )商务需求

序号

商务需求

1

交货期的要求:签订合同后 * 天内。

2

质保期:1年

3

付款方式:合同生效并收到相应发票后支付合同总额的 * %作为进度款;设备到达 (略) 且安装、调试验收合格并提供全额发票后支付合同总额的 * %;余款5% (略) 确认后支付

( * )技术需求

序号

设备名称

技术参数或功能要求

1

材料基因芯片制备工艺模块

基础真空度优于5E-8 Torr。

1.2基片直径 ≥ 4 inch,膜厚均匀性优于±3%

1.3电控气动真空阀,全量程真空规

1.4 材料基因芯片制备过程操作模式:手动、自动、和维护

1.5▲可以制备5元及以上组合材料芯片, * 元及 * 元以上连续镀膜材料基因芯片, * 元及 * 元以上阶梯镀膜材料基因芯片

1.6抽真空系统:低温泵和离子泵,各腔体之间使用高真空插板阀连接;机械真空泵和腔体使用电控气动真空阀连接

1.7系统文件: * 个包含系统文件U盘 (操作手册,机械图,电路图)

1.8▲系统电控和自动控制:1 )制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制;2)控制模块化;3)提供控制软件;4)带平板显示器, (略) 的状态、数据、和警告;5) (略) 有 (略) 时的数据,工艺数据采集频率 < 1s

1.9电控系统:1) 3相电源的输入和控制;2)真空系统自锁; 3)各真空腔内的机械传动系统的限位; 4)电子束蒸发源系统的保护; 5)真空系统保护; 6)报警 :失水, 失气, 过压,过流 ,温度

2

连续掩膜模块

2.1使用 * 不锈钢制造, (略) 抛光,满足 * ^-8 torr 真空设计要求

2.2▲步进精度≤ * μm,移动速度:0~2.5 mm/s 可调

2.3成分分布连续,0- * %成分分布范围可控

2.4▲分辨率可达0.1%

2.5 ★含1套固定掩膜装置

3

分立掩膜模块

3.1▲样品台旋转角度0- * °,样品台旋转精度≤0. * °

3.2▲掩模转角定位精度≤0. * °

3.3▲ (略) 定位精度≤ * μm

3.4单个沉积微区边长≤1mm,组合通量 ≥ *

3.5▲掩膜板尺寸可以根据需求在1-4英寸之间变化

3.6▲系统掩膜板数量可以根据需要增加

4

多元材料电子束蒸发源

4.1功率≥6 kW,

4.2连续蒸发材料种类 ≥ 6

4.3单层薄膜最小厚度1 nm的连续沉积

4.4膜厚均匀性优于±3%

4.5▲ UHV电子束蒸发源

5

材料基因芯片转移过渡腔

5.1▲真空度优于5E- * Torr

5.2▲样品定位精度 ≤ 1μm

5.3材料基因芯片转移自动化

6

多样品超高真空更换模块

6.1真空度优于5E-6 Torr

6.2自动向转移腔取送样品

6.3 样品溅射清洗

7

多靶材更换模块

7.1水含量≤ 1ppm,

7.2氧含量≤1 ppm

7.3泄漏率< 0. * vol%/h

7.4 ★机械手更换蒸发材料

( * )公示期限

* 日至 * 日

对公示内容有异议的,请在公示期内以书面形式将意见反馈至采购人。

联系人:吴老师

联系电话: 点击查看>>

质疑投诉邮箱:zhaobzyts@ 点击查看>>





( * )项目基本信息

项目名称

材料基因芯片制备工艺模块等设备采购

采购预算(元)

* 万元

是否接受进口设备

( * )货物清单

序号

设备名称

数量

单位

1

材料基因芯片制备工艺模块

1

2

连续掩膜模块

1

3

分立掩膜模块

1

4

多元材料电子束蒸发源

1

5

材料基因芯片转移过渡腔

1

6

多样品超高真空更换模块

1

7

多靶材更换模块

1

( * )商务需求

序号

商务需求

1

交货期的要求:签订合同后 * 天内。

2

质保期:1年

3

付款方式:合同生效并收到相应发票后支付合同总额的 * %作为进度款;设备到达 (略) 且安装、调试验收合格并提供全额发票后支付合同总额的 * %;余款5% (略) 确认后支付

( * )技术需求

序号

设备名称

技术参数或功能要求

1

材料基因芯片制备工艺模块

基础真空度优于5E-8 Torr。

1.2基片直径 ≥ 4 inch,膜厚均匀性优于±3%

1.3电控气动真空阀,全量程真空规

1.4 材料基因芯片制备过程操作模式:手动、自动、和维护

1.5▲可以制备5元及以上组合材料芯片, * 元及 * 元以上连续镀膜材料基因芯片, * 元及 * 元以上阶梯镀膜材料基因芯片

1.6抽真空系统:低温泵和离子泵,各腔体之间使用高真空插板阀连接;机械真空泵和腔体使用电控气动真空阀连接

1.7系统文件: * 个包含系统文件U盘 (操作手册,机械图,电路图)

1.8▲系统电控和自动控制:1 )制备工艺使用PLC+触摸屏实现自动化控制;2)控制模块化;3)提供控制软件;4)带平板显示器, (略) 的状态、数据、和警告;5) (略) 有 (略) 时的数据,工艺数据采集频率 < 1s

1.9电控系统:1) 3相电源的输入和控制;2)真空系统自锁; 3)各真空腔内的机械传动系统的限位; 4)电子束蒸发源系统的保护; 5)真空系统保护; 6)报警 :失水, 失气, 过压,过流 ,温度

2

连续掩膜模块

2.1使用 * 不锈钢制造, (略) 抛光,满足 * ^-8 torr 真空设计要求

2.2▲步进精度≤ * μm,移动速度:0~2.5 mm/s 可调

2.3成分分布连续,0- * %成分分布范围可控

2.4▲分辨率可达0.1%

2.5 ★含1套固定掩膜装置

3

分立掩膜模块

3.1▲样品台旋转角度0- * °,样品台旋转精度≤0. * °

3.2▲掩模转角定位精度≤0. * °

3.3▲ (略) 定位精度≤ * μm

3.4单个沉积微区边长≤1mm,组合通量 ≥ *

3.5▲掩膜板尺寸可以根据需求在1-4英寸之间变化

3.6▲系统掩膜板数量可以根据需要增加

4

多元材料电子束蒸发源

4.1功率≥6 kW,

4.2连续蒸发材料种类 ≥ 6

4.3单层薄膜最小厚度1 nm的连续沉积

4.4膜厚均匀性优于±3%

4.5▲ UHV电子束蒸发源

5

材料基因芯片转移过渡腔

5.1▲真空度优于5E- * Torr

5.2▲样品定位精度 ≤ 1μm

5.3材料基因芯片转移自动化

6

多样品超高真空更换模块

6.1真空度优于5E-6 Torr

6.2自动向转移腔取送样品

6.3 样品溅射清洗

7

多靶材更换模块

7.1水含量≤ 1ppm,

7.2氧含量≤1 ppm

7.3泄漏率< 0. * vol%/h

7.4 ★机械手更换蒸发材料

( * )公示期限

* 日至 * 日

对公示内容有异议的,请在公示期内以书面形式将意见反馈至采购人。

联系人:吴老师

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