序号 | 货物名称 | 招标技术要求 |
1 | 感应耦合干法刻蚀机 | 1主机要求 |
1.1 感应耦合 (略) 度等离子体干法刻蚀机，主要用于 * mm及以下尺寸晶片的硅高深宽比刻蚀，淡化硅,氧化硅,碳的刻蚀。 |
1.2本设备TM传输模块、PM工艺模块、 (略) 模块： TM传输模块由手动传输系统构成 PM工艺模块由真空反应室、等离子体系统、气路输送系统、排气系统、温度控制系统构成； (略) 模块由反应室粗真空系统、反应室热交换系统、电源供给系统组成 |
2 PM 工艺模块 晶片在工 (略) 刻蚀，主要由真空反应室系统、等离子体控制系统、气体输送系统、排气系统、温度控制系统关键功能系统组成 |
| (略) 等离子刻蚀；反应室系统具备加热控温能力，外部具备热防护；。反应室系统腔室本底真空：＜腔室漏气率：＜控压范围：控压精度： * ~ * W |
▲2.2.7匹配器匹配稳定时间：< 3 s |
▲2.2.8匹配器匹配精确度： 上电极：±1%设定值或±5W，下电极：± * %设定值 |
2.3工艺气体输送系统 |
2.3.1气体输送柜Gasbox 与PM整机集成，无需独立安装；减少气柜与反应腔室件距离，便于维护，减少占地； |
2.3.2反 (略) 和边缘双区进气的方式，保证更优的刻蚀均匀性和更佳的均匀性调节空间； |
2.3.3工艺气体输送柜具备Ar、C4F8、O2、SF6 ，CF4,CHF3气体供气能力 |
2.3.4采用质量流量计控制（MFC），设定气体流量与实际输出流量偏差小于设定值的1% |
2.3.5每路气体独立MFC控制，具备独立检漏能力； |
2.3.6工艺气体能够实现软件自校准功能； |
▲2.3.7 Gas box漏气率< 0.5 mTorr/min； |
▲2.3.8 单 * 分支漏率< 0.5 mTorr/min； |
2.4下电极系统 |
2.4.1采用静电卡 (略) 吸附； |
2.4.2静电卡盘采用He (略) 冷却，并具有He气流量异常的监控功能； |
2.4.3静电卡盘温度可调，下电极连接真空冷却循环系统（Chiller），并通 (略) 控温； |
▲2.4.4下电极温度范围(CHILLER)：- * ~ * ℃ |
▲2.4.5下电极温度精度(CHILLER)：±0.5℃ |
▲2.4.6下电极控温均匀性(ESC)：±0.5℃ |
2.5真空&排气系统 |
2.5.1反应室系统、隔离阀、干泵、 (略) 位均配置加热 系统，有效减少刻蚀副产物的沉积，保证副产物顺利排出，减 少系统维护频率； |
2.5.2真空系统为闭环压力控制系统，由高精度真空压力检测开 关、高精度真空规、高精度摆阀组成，实现反应室压力实时检 测&控制；该压力控制系统具有控制精度高、反应速度快的优点； |
2.5.3真空系统由进口干泵泵组、进口摆阀、隔膜阀、压力传感器、真空规及不锈钢管路组成； |
2.5.4独立控制器，响应更快，控制更精准，更省电； |
2.5.5安全周密的逻辑互锁，保证设备使用与维护时人身安全； |
▲2.5.6分子泵抽速 * L/S； |
| 2.6.1 反应室系统具备模块温度控制能力；超温报警、工艺结束报警；极限超温报警，同时自动切断炉丝加热电源；软件界面同时显示控制热偶温度 |
▲2.6.3反应腔室壁控制室温~ * ℃ |
▲2.6.5立 (略) ~ * ℃ |
3传输系统 |
3.1.1采用手动开盖，自动机械手传片方式； |
3.1.2传输系统具备真空环境，具备自动抽、充气及检测能力； |
3.1.3 传输系统具备可观察窗口，便于观察wafer状态； |
▲3.1.4传输类型为手动传输 |
▲3.1.5机械手指规格 * mm（8 inch） |
▲3.1.7压升率<1.0mTorr /min。 |
4 辅助 (略) 系统 |
4.1.1 辅助系统由干泵、chiller、电源柜、变压器、伴热供电模块组成，为工艺系统提供真空、供电； |
7软件控制系统 |
| | 7.3手动模式：能够实现手动传片和手动工艺，方便工艺实验和生产过程中的异常恢复； |
7.4自动模式，能够实现全自动传片 (略) 工艺流程作业，全自动加工模式与手动加工模式能够方便切换； |
7.5功能兼容：具备Bosch刻蚀工艺及非Bosch刻蚀工艺功能 |
7.6配备集成控制系统，实现对机台的 (略) 件控制，并 提供人机界面实现生产、调试、维护等操作； |
7.7 数据记录：系统自动记录工艺过程中的重要参数，并且可以生成Excel文件，方便用户查询。 |
7.8实时数据：提供给用户重要参数的实时变化，并且以曲线的 形式显示，辅助用户分析和监测。 |
7.9部件生命周期管理： (略) 件的生命周期管理，当达 | 8报警与互锁 |
8.1系统提供完备的报警和安全互锁功能。互锁是为保证人员和设备的安全，对某些有潜在 (略) 进行的软硬件限制。对于有互锁限制的操作，只有当互锁条件满 (略) 。 这些潜在危险包括：高频辐射、高温（烫伤、器件损伤甚至引发火灾等）、危险气体（毒性、腐蚀性、易燃、易爆）、 (略) 件、危险电压、气压差等。 |
8.2当互锁被触发时，系统会发出报警，操作屏上会提示报警信息，并有声音提示。在安全级别较高的互锁条件或自动模式下触发互锁后，工艺会被终止，这时需要操作员排除问题并清除报警，之后重新初始化系统。互锁功能在手动模式下依然有效。系统 (略) 报警和错误日志，可以在日志系统中查找历史记录 |
8.3 工艺异常（工艺状态下的压力、流量、射频功率超出正常范围）后会立即终止工艺，关闭射频电源， (略) 气路阀门，隔离腔室。 |
8.4 紧急情况发生时，可以通过EMO回路紧急停止设备，减少人员设备伤害。EMO按钮为黄色背景红色蘑菇头形状，在设备前面板和后面板安装， (略) ，当按下时，EMO回路就会切断机台供电。在断电情况下，系统主电源会自动关断，除Slot阀之外，所有阀门会自动关闭。恢复供电的时候设备不会自动启动。 |
8.5 标识：射频、高温、 (略) 分都贴有危险标记以提醒注意；可活动和 (略) 分都贴有危险标记以提醒注意。 |
8.6 报警接口：系统提供连接特气泄漏检测报警装置的接口（系统不提供该检测报警装置）。 |
▲9工艺验收指标 Si方槽刻蚀（8寸，CD= * μm方槽） | 刻蚀深度 | * ~ * μm | 侧壁角度 | * ±2° | 刻蚀速率 | 4μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%（片内，片间） 开口率 * % ~ * % | 选择比（PR） | * ：1 | 选择比（oxide） | * ：1 | 侧壁粗糙度 | * nm | 底部notch | (略) 有截止层 |
Si圆槽刻蚀（8寸，CD= * μm圆方槽） | 刻蚀深度 | * ~ * μm | 侧壁角度 | * ±2° | 刻蚀速率 | 4μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%（片内，片间） 开口率 * %~ * % | 选择比（PR） | * ：1 | 选择比（oxide） | * ：1 | 侧壁粗糙度 | * nm | 底部notch | (略) 有截止层 |
si-trench刻蚀（8寸CD= * μm trench） | 刻蚀深度 | * ~ * μm | 侧壁角度 | * ±2° | 刻蚀速率 | 4μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%（片内，片间） 开口率＜ * % | 选择比（PR） | * ：1 | 选择比（oxide） | * ：1 | 侧壁粗糙度 | * nm | 底部notch | (略) 有截止层 |
si-trench刻蚀（8寸CD=2μm trench） | 刻蚀深度 | * um | 侧壁角度 | * ±1° | 刻蚀速率 | 2μm/min | 刻蚀均匀性 | 5%（片内，片间） 开口率＜ * % | 选择比（PR） | * ：1 | 选择比（oxide） | * ：1 | 侧壁粗糙度 | * nm | 底部notch | (略) 有截止层 | 截止层损耗 | * nm 底部oxide截止层 |
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