测试加工采购

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测试加工（XF-WSBX- 点击查看>> ）采购公告
发布时间： 点击查看>> * : * : * 阅读量：1次
项目名称测试加工项目编号XF-WSBX- 点击查看>>
公告开始日期 点击查看>> * : * : * 公告截止日期 点击查看>> * : * : *
采购单位 (略) 付款方式货到付款。境内供货的， * 方在到货验收后 * 日内向 * 方 * 次性支付本项目的总款项。 境外供货需要由 * 方办理进口减免税业务的，也必须以人民币报价，且包含货送到用户指定 (略) 有费用。 * (略) 在 * 方到货验收后 * 日内 (略) * 次性支付款项。支付方式在《技术参数及配置要求》栏内另有约定的，从其约定。
联系人中标后在我参与的项目中查看联系电话中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求成交后3天到货时间要求
预算总价￥ 点击查看>> . *
收货地址
供应商资质要求

符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件


采购清单1
采购商品采购数量计量单位所属分类
测试加工1项 (略) 业

预算单价￥ 点击查看>> . *
技术参数及配置要求我们制作的芯片工序需要用到以下机器：
1.MA6 工艺说明：制作光刻胶掩膜 需要时间： * 小时
2.NIKON-I * 步进光刻机 工艺说明：制作高精度光刻胶掩膜 需要时间： * 小时
3.电子束光刻机 工艺说明：高精度精细结构制作 需要时间： * 小时
4.冷场发射扫描电镜 工艺说明：观察器件精细形貌 需要时间： * 小时
5.等离子去胶机 工艺说明：芯片表面清洁 需要时间： * 小时
6.PECVD 工艺说明：薄膜生长 需要时间： * 小时
7.NLD * 工艺说明：刻蚀特定材料 需要时间： * 小时
8.金属干法 工艺说明：金属刻蚀 需要时间： * 小时
9.磁控溅射 工艺说明：金属薄膜生长 需要时间： * 小时
* .电子束蒸发（Cr、Al、Ni等）工艺说明： (略) 分金属 需要时间： * 小时
* .电子束蒸发（Au及合金） 工艺说明：生长金及其合金 需要时间： * 小时
* 划片机 工艺说明：得到特定尺寸芯片 需要时间： * 小时
售后服务无;

(略)

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项目名称测试加工项目编号XF-WSBX- 点击查看>>
公告开始日期 点击查看>> * : * : * 公告截止日期 点击查看>> * : * : *
采购单位 (略) 付款方式货到付款。境内供货的， * 方在到货验收后 * 日内向 * 方 * 次性支付本项目的总款项。 境外供货需要由 * 方办理进口减免税业务的，也必须以人民币报价，且包含货送到用户指定 (略) 有费用。 * (略) 在 * 方到货验收后 * 日内 (略) * 次性支付款项。支付方式在《技术参数及配置要求》栏内另有约定的，从其约定。
联系人中标后在我参与的项目中查看联系电话中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求成交后3天到货时间要求
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收货地址
供应商资质要求

符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件


采购清单1
采购商品采购数量计量单位所属分类
测试加工1项 (略) 业

预算单价￥ 点击查看>> . *
技术参数及配置要求我们制作的芯片工序需要用到以下机器：
1.MA6 工艺说明：制作光刻胶掩膜 需要时间： * 小时
2.NIKON-I * 步进光刻机 工艺说明：制作高精度光刻胶掩膜 需要时间： * 小时
3.电子束光刻机 工艺说明：高精度精细结构制作 需要时间： * 小时
4.冷场发射扫描电镜 工艺说明：观察器件精细形貌 需要时间： * 小时
5.等离子去胶机 工艺说明：芯片表面清洁 需要时间： * 小时
6.PECVD 工艺说明：薄膜生长 需要时间： * 小时
7.NLD * 工艺说明：刻蚀特定材料 需要时间： * 小时
8.金属干法 工艺说明：金属刻蚀 需要时间： * 小时
9.磁控溅射 工艺说明：金属薄膜生长 需要时间： * 小时
* .电子束蒸发（Cr、Al、Ni等）工艺说明： (略) 分金属 需要时间： * 小时
* .电子束蒸发（Au及合金） 工艺说明：生长金及其合金 需要时间： * 小时
* 划片机 工艺说明：得到特定尺寸芯片 需要时间： * 小时
售后服务无;

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