* 、资格条件合格供应商须具备以下资格条件，并具备承担本项目的相应能力：（1）在中华人民共和国境内合法注册，法律上和财务上独立于需求方，并能够提供项目拟采购货物和服务的独立法人；（2）具有良好的商业信誉和健全的财务制度，能够提供 * 年度的经审计的财务报表或 * 年度的财务会计报表（包括资产负债表、现金流量表、利润表）；（3） (略) 于被责令停业，财产被接管、冻结、破产状态的承诺书， (略) 拟定；（4）具有良好的售后服务能力和业内良好口碑且无重 (略) 为，能提供 (略) 为承诺书并加盖公章， (略) 拟定。 * 、其他预算金额 * 万元，联系人：张雷兴 点击查看>> ";

本设备可用于4英寸、6英寸（半绝缘/低阻）砷化镓单晶生长，同时兼容VGF/VB两种工艺。推荐采用的工艺是：引晶、放肩和前端等径生长阶段采用VGF工艺，后端等径生长阶段采用VB工艺。

* 、设备组成

本设备由 * 段电阻丝加热器、加热器支架（快速、慢速升降功能）、控制柜（变压器、可控硅模块及控制电路）、英国欧 * T * 温控器系统及控制计算机（同时控制 * 个加热器） (略) 分组成。加热器采用无冷点绕丝技术，控制柜可根据客户要求尺寸订制，推荐使用 * * * * * mm的尺寸，便于散热。

* 、主要技术参数

最高加热温度： * ℃

控温精度：±0.1℃；

升降速率：慢速升降0.1～ * mm/h可调；快速升降；

设备最大加热功率： * KW；

尺寸及重量：加热器及支架 * × * × * （mm）、 * kg；

配电柜 * × * × * （mm）、 * kg。

配套提供砷化镓晶体生长控制软件，提供砷化镓6寸晶体生长技术支持，用于4英寸和6英寸砷化镓单晶生长，每套控制系统同时控制 * 个加热器。

* 、资格条件合格供应商须具备以下资格条件，并具备承担本项目的相应能力：（1）在中华人民共和国境内合法注册，法律上和财务上独立于需求方，并能够提供项目拟采购货物和服务的独立法人；（2）具有良好的商业信誉和健全的财务制度，能够提供 * 年度的经审计的财务报表或 * 年度的财务会计报表（包括资产负债表、现金流量表、利润表）；（3） (略) 于被责令停业，财产被接管、冻结、破产状态的承诺书， (略) 拟定；（4）具有良好的售后服务能力和业内良好口碑且无重 (略) 为，能提供 (略) 为承诺书并加盖公章， (略) 拟定。 * 、其他预算金额 * 万元，联系人：张雷兴 点击查看>> ";

本设备可用于4英寸、6英寸（半绝缘/低阻）砷化镓单晶生长，同时兼容VGF/VB两种工艺。推荐采用的工艺是：引晶、放肩和前端等径生长阶段采用VGF工艺，后端等径生长阶段采用VB工艺。

* 、设备组成

本设备由 * 段电阻丝加热器、加热器支架（快速、慢速升降功能）、控制柜（变压器、可控硅模块及控制电路）、英国欧 * T * 温控器系统及控制计算机（同时控制 * 个加热器） (略) 分组成。加热器采用无冷点绕丝技术，控制柜可根据客户要求尺寸订制，推荐使用 * * * * * mm的尺寸，便于散热。

* 、主要技术参数

最高加热温度： * ℃

控温精度：±0.1℃；

升降速率：慢速升降0.1～ * mm/h可调；快速升降；

设备最大加热功率： * KW；

尺寸及重量：加热器及支架 * × * × * （mm）、 * kg；

配电柜 * × * × * （mm）、 * kg。

配套提供砷化镓晶体生长控制软件，提供砷化镓6寸晶体生长技术支持，用于4英寸和6英寸砷化镓单晶生长，每套控制系统同时控制 * 个加热器。