深圳大学-竞价公告(CB105902022001091)
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深圳大学-竞价公告(CB105902022001091)
申购单号:CB*
申购主题:CGSim模拟仿真软件
采购单位:深圳大学
报价要求:
发票类型:增值税专用发票
币种:人民币
预算:*.0
签约时间:发布竞价结果后7天内签约合同
送货时间:合同签订后7天内送达
安装要求:免费上门安装（含材料费）
收货地址:广东省/ (略) /南山区/点击查看>>*
付款方式:货到验收合格后付款
备注说明:申购明细：
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 1 | CGSim模拟仿真软件 | 1.0 | 套*.0 |
| 品牌 | STR | ||
| 型号 | Basic Module | ||
| 规格参数 | 1基本模块：1.1 适合垂直布里奇曼（VB）和垂直梯度凝固（VGF）晶体生长过程；1.2 采用有限元法；1.3 可以进行晶体生长的动态模拟；1.4 可以模拟相变过程；1.5 能进行单晶生长全局热场仿真，包括整个体系内的热传导，对流和热辐射效应；1.6 二维轴对称稳态和非稳态模型；1.7 透明和半透明介质中辐射热传递；1.8 导热热传递；1.9 感应射频加热器包括移动射频线圈和传感器的计算；1.10熔体和气体中耦合对流热交换，不同湍流模型；1.11加热器功率调整，以提供所需的结晶率或温度的参考点；1.12通过标量变量的通量计算结晶率；1.13结晶面几何图形的计算；1.14几种晶体位置的几何结构的自动重建；1.15材料各向异性特性模型；1.16标量传递模拟，特别是杂质传递和分离；1.17非稳态问题下的回融和再结晶；1.18非稳态模型基础上的晶体生长速度、加热器功率或参考温度的时间分布；1.19非稳态模型基础上的生长速度、加热器功率或晶体高度的参考温度的依赖性；1.20模拟Si的生长中化学反应；1.21调节加热功率灵活性的设置及结晶面的修正；1. (略) 格计算的重新启动；1.23获得灵活和多变输出数据；1.24监测点；1.25设置随时间变化的材料性能和工业参数；1.26模拟交流（或/和直流）的磁场产生和计算洛伦兹力对熔体流动的影响；1.27模拟热弹性应力；1.28位错的形成和叠加的热应力的释放、和残余应力的形成；1.29结合用于典型的生长工艺的多种选择项；1.30结果可视化工具：CGSimTM Viewer和View 2D。2 缺陷模块：2.1 热弹性应力分布；2.2 初始缺陷，如硅晶体中的自填隙缺陷和空位缺陷；2.3 锗晶体中的团簇（空隙和氧沉淀）。3 流体模块：用于三维或二维对结晶区包括熔融、结晶、坩埚、气体或密封剂区域湍流和层流分析。3.1 传导热传递；3.2 透明和半透明介质中辐射热传递；3.3 层流；3.4 湍流流动；3.5不稳定流动；3.6 预测结晶前形状；3.7 磁场效应；3.8 杂质运输、扩散和隔离；3.9 应力计算；4 软件的结果可视化：允许用户观察晶体模拟结果中热和质的通量的一维和二维分布，V / G比和结晶面的温度梯度。此外，沿边界的一维分布可以显示为一个图，并存储在一个文件中。各种工具，如点探针、线探头服务，特殊的边界工具和许多其他工具都使用户可更有效地分析结果。内置的动画工具有助于分析三维熔体对流和非稳态的计算区域的瞬时变化。5基本参数（带*的条款为报价必要条款，必须满足）：*5.1 可适用于晶体生长过程中掺杂（B、P、As、Ga）均匀性计算*5.2 流体间剪切应力耦合(熔体-气体、封装体-熔体)；*5.3 湍流计算（熔体和气体中）；*5.4 用于CZ法的肩部和尾部的准稳态模型计算；高级的内置湍流模型（至少6种不同的湍流计算模型）；*5.5 针对扩散和对流的高阶近似计算要求：扩散（2阶和4阶）、对流（1阶，2阶，3阶和4阶）；*5.6 针对Cz法有完备的内置形核和沉积生长的化学模型(SiO, CO, N，....)；*5.7 完备的物质输运耦合模型； *5.8 需要计算交流加热器在熔体中产生的洛伦兹力；*5.9 所有特征的三维稳态/非稳态建模，包括水平(横向)MFs；*5.10 2D和3D高级辐射传热包括吸收、反射和散射；*5.11 热弹性应力和缺陷模型：包括缺陷团簇计算；5.12 可以使用平行运算功能；Parallel computations；5.13操作系统要求：可以在Windows, Linux solvers 运行。 | ||
| 质保及售后服务 | 按行业标准提供服务 | ||
申购单号:CB*
申购主题:CGSim模拟仿真软件
采购单位:深圳大学
报价要求:
发票类型:增值税专用发票
币种:人民币
预算:*.0
签约时间:发布竞价结果后7天内签约合同
送货时间:合同签订后7天内送达
安装要求:免费上门安装（含材料费）
收货地址:广东省/ (略) /南山区/点击查看>>*
付款方式:货到验收合格后付款
备注说明:申购明细：
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 1 | CGSim模拟仿真软件 | 1.0 | 套*.0 |
| 品牌 | STR | ||
| 型号 | Basic Module | ||
| 规格参数 | 1基本模块：1.1 适合垂直布里奇曼（VB）和垂直梯度凝固（VGF）晶体生长过程；1.2 采用有限元法；1.3 可以进行晶体生长的动态模拟；1.4 可以模拟相变过程；1.5 能进行单晶生长全局热场仿真，包括整个体系内的热传导，对流和热辐射效应；1.6 二维轴对称稳态和非稳态模型；1.7 透明和半透明介质中辐射热传递；1.8 导热热传递；1.9 感应射频加热器包括移动射频线圈和传感器的计算；1.10熔体和气体中耦合对流热交换，不同湍流模型；1.11加热器功率调整，以提供所需的结晶率或温度的参考点；1.12通过标量变量的通量计算结晶率；1.13结晶面几何图形的计算；1.14几种晶体位置的几何结构的自动重建；1.15材料各向异性特性模型；1.16标量传递模拟，特别是杂质传递和分离；1.17非稳态问题下的回融和再结晶；1.18非稳态模型基础上的晶体生长速度、加热器功率或参考温度的时间分布；1.19非稳态模型基础上的生长速度、加热器功率或晶体高度的参考温度的依赖性；1.20模拟Si的生长中化学反应；1.21调节加热功率灵活性的设置及结晶面的修正；1. (略) 格计算的重新启动；1.23获得灵活和多变输出数据；1.24监测点；1.25设置随时间变化的材料性能和工业参数；1.26模拟交流（或/和直流）的磁场产生和计算洛伦兹力对熔体流动的影响；1.27模拟热弹性应力；1.28位错的形成和叠加的热应力的释放、和残余应力的形成；1.29结合用于典型的生长工艺的多种选择项；1.30结果可视化工具：CGSimTM Viewer和View 2D。2 缺陷模块：2.1 热弹性应力分布；2.2 初始缺陷，如硅晶体中的自填隙缺陷和空位缺陷；2.3 锗晶体中的团簇（空隙和氧沉淀）。3 流体模块：用于三维或二维对结晶区包括熔融、结晶、坩埚、气体或密封剂区域湍流和层流分析。3.1 传导热传递；3.2 透明和半透明介质中辐射热传递；3.3 层流；3.4 湍流流动；3.5不稳定流动；3.6 预测结晶前形状；3.7 磁场效应；3.8 杂质运输、扩散和隔离；3.9 应力计算；4 软件的结果可视化：允许用户观察晶体模拟结果中热和质的通量的一维和二维分布，V / G比和结晶面的温度梯度。此外，沿边界的一维分布可以显示为一个图，并存储在一个文件中。各种工具，如点探针、线探头服务，特殊的边界工具和许多其他工具都使用户可更有效地分析结果。内置的动画工具有助于分析三维熔体对流和非稳态的计算区域的瞬时变化。5基本参数（带*的条款为报价必要条款，必须满足）：*5.1 可适用于晶体生长过程中掺杂（B、P、As、Ga）均匀性计算*5.2 流体间剪切应力耦合(熔体-气体、封装体-熔体)；*5.3 湍流计算（熔体和气体中）；*5.4 用于CZ法的肩部和尾部的准稳态模型计算；高级的内置湍流模型（至少6种不同的湍流计算模型）；*5.5 针对扩散和对流的高阶近似计算要求：扩散（2阶和4阶）、对流（1阶，2阶，3阶和4阶）；*5.6 针对Cz法有完备的内置形核和沉积生长的化学模型(SiO, CO, N，....)；*5.7 完备的物质输运耦合模型； *5.8 需要计算交流加热器在熔体中产生的洛伦兹力；*5.9 所有特征的三维稳态/非稳态建模，包括水平(横向)MFs；*5.10 2D和3D高级辐射传热包括吸收、反射和散射；*5.11 热弹性应力和缺陷模型：包括缺陷团簇计算；5.12 可以使用平行运算功能；Parallel computations；5.13操作系统要求：可以在Windows, Linux solvers 运行。 | ||
| 质保及售后服务 | 按行业标准提供服务 | ||
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