天津大学-竞价公告(CB100562022001939)
发送至邮箱
天津大学-竞价公告(CB100562022001939)
申购单号:CB*
申购主题:微波等离子体发生系统
采购单位:天津大学
报价要求:
发票类型:增值税专用发票
币种:人民币
预算:
签约时间:发布竞价结果后7天内签约合同
送货时间:合同签订后120天内送达
安装要求:免费上门安装（含材料费）
收货地址: (略) /市辖区/津南区/点击查看>>*
付款方式:合同签订后预付全款
备注说明:申购明细：
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 1 | 微波等离子体发生系统 | 1.0 | |
| 品牌 | 定制 | ||
| 型号 | 定制 | ||
| 规格参数 | 一、多端口等离子体真空放电腔本系统采用了由不锈钢焊接而成带双层水冷结构的大容积真空放电腔，上端与微波耦合腔相连接，具有以下功能端口：1、腔正前面开设旋转门式进出料窗口，可方便放入小于 50mm 基片样品， 并带网状微波屏蔽窗口，工作时清楚观察腔内放电工作情况。基片测温采用红外测温 600~1200℃。2、采用特殊设计的充气法兰，提供主要的混气、充气管道以及基片附近的充气环，作辅助充气管道构成的双层气体馈送系统。以上设计使得该端口水冷放电腔具有容积大，功能齐全，特别适合小批量等离子体工艺加工的需要。二、基片台调节系统该装置对样品基片台进行电动连续调节，使等离子体放电区域达到最佳状态，简便可靠，易于控制。可满足多种等离子体加工工艺的要求。三、真空获得和测量单元系统选用抽速 8L/s 的双极真空泵作为抽气系统，极限真空优于 5×10-1Pa。系统备有从大气到 10-2Pa 的中低压强测量规管和 0~50kPa 的压阻真空规管。测量仪表置于机柜之中，方便控制和读数。静态密封均采用硅橡胶和金属密封；动态密封采用金属波纹管结构。腔体气压的控制通过电动蝶阀和微调阀完成，气压控制稳定，调节方便。四、多路气体质量流量控制单元为保证 MPCVD 的工艺要求，系统采用由 H2、CH4、O2 和 N2 组成的 4 路精确可控气体质量流量控制系统供给和控制系统（MFC），采用可靠的 EP 级管路及 1/4’VCR 接口内置于设备机柜中，气路短、紧凑、控制调节方便。五、控制系统与机柜系统采用紧凑简洁的主体结构，以及独立的控制单元。采用 PLC 及触摸屏多参数控制，机柜为标准碳钢喷塑结构，外形美观，操作简便可靠。总控制柜设置有过流，过温，断水自动保护以及电源指示、故障指示等功能。微波泄漏优于国家标准。1、微波真空放电腔尺寸和工作模式：Φ200 × 300（H）TM 模式有效沉积区域：Φ50mm压力控制范围： 0.5KPa~30KPa压力控制精度： ±15Pa2、生产能力单晶生长：生长速度 10-15μm/H，单轮生长厚度大于等于 1.6mm 单晶质量：肉眼下基本无缺陷3、真空系统破空方式： 充入 N2.极限真空度： 优于 5×10-1Pa真 空 漏 率 ： ≤10-9Pa.m3/s，压升： 24 小时平均压升小于 1Pa/H4、气体质量流量系统控制范围： 2%-100%F.S.，入口压力 0.2-0.3MPa气体种类及量程：H2(1SLM)、CH4(100SCCM)、O2(10SCCM)、N2(20SCCM)5、样品台系统样品台直径：Φ60 mm, 水冷结构； 样品台调节范围：0~15 mm腔板调节范围：0~60 mm6、基片测温温度控制范围：600~1200℃（红外测温）温度控制精度：控温精度±5℃;恒温区控制范围： 钼台各点温度差≤30℃7、绝缘电阻：≥5MΩ8、可靠性：正常条件下的连续稳定工作时间不低于 24H9、设备接口进出水：G1"外丝气体接口：1/4"VCR 外丝废气排出接口：3/4"外丝电源线：TB*、总电源：380VAC±5%/50Hz，三相五线，14kW11、总冷却水： 34L/min，清洁软水，进口水温 20℃±5℃；水压 0.2~0.4Mpa12、外形尺寸：1.95(L) x 0.8 (W) x 1.90 (H) | ||
| 质保及售后服务 | 按行业标准提供服务（提供本地化安装调试及售后服务） | ||
申购单号:CB*
申购主题:微波等离子体发生系统
采购单位:天津大学
报价要求:
发票类型:增值税专用发票
币种:人民币
预算:
签约时间:发布竞价结果后7天内签约合同
送货时间:合同签订后120天内送达
安装要求:免费上门安装（含材料费）
收货地址: (略) /市辖区/津南区/点击查看>>*
付款方式:合同签订后预付全款
备注说明:申购明细：
| 序号 | 采购内容 | 数量 | 预算单价 |
| 1 | 微波等离子体发生系统 | 1.0 | |
| 品牌 | 定制 | ||
| 型号 | 定制 | ||
| 规格参数 | 一、多端口等离子体真空放电腔本系统采用了由不锈钢焊接而成带双层水冷结构的大容积真空放电腔，上端与微波耦合腔相连接，具有以下功能端口：1、腔正前面开设旋转门式进出料窗口，可方便放入小于 50mm 基片样品， 并带网状微波屏蔽窗口，工作时清楚观察腔内放电工作情况。基片测温采用红外测温 600~1200℃。2、采用特殊设计的充气法兰，提供主要的混气、充气管道以及基片附近的充气环，作辅助充气管道构成的双层气体馈送系统。以上设计使得该端口水冷放电腔具有容积大，功能齐全，特别适合小批量等离子体工艺加工的需要。二、基片台调节系统该装置对样品基片台进行电动连续调节，使等离子体放电区域达到最佳状态，简便可靠，易于控制。可满足多种等离子体加工工艺的要求。三、真空获得和测量单元系统选用抽速 8L/s 的双极真空泵作为抽气系统，极限真空优于 5×10-1Pa。系统备有从大气到 10-2Pa 的中低压强测量规管和 0~50kPa 的压阻真空规管。测量仪表置于机柜之中，方便控制和读数。静态密封均采用硅橡胶和金属密封；动态密封采用金属波纹管结构。腔体气压的控制通过电动蝶阀和微调阀完成，气压控制稳定，调节方便。四、多路气体质量流量控制单元为保证 MPCVD 的工艺要求，系统采用由 H2、CH4、O2 和 N2 组成的 4 路精确可控气体质量流量控制系统供给和控制系统（MFC），采用可靠的 EP 级管路及 1/4’VCR 接口内置于设备机柜中，气路短、紧凑、控制调节方便。五、控制系统与机柜系统采用紧凑简洁的主体结构，以及独立的控制单元。采用 PLC 及触摸屏多参数控制，机柜为标准碳钢喷塑结构，外形美观，操作简便可靠。总控制柜设置有过流，过温，断水自动保护以及电源指示、故障指示等功能。微波泄漏优于国家标准。1、微波真空放电腔尺寸和工作模式：Φ200 × 300（H）TM 模式有效沉积区域：Φ50mm压力控制范围： 0.5KPa~30KPa压力控制精度： ±15Pa2、生产能力单晶生长：生长速度 10-15μm/H，单轮生长厚度大于等于 1.6mm 单晶质量：肉眼下基本无缺陷3、真空系统破空方式： 充入 N2.极限真空度： 优于 5×10-1Pa真 空 漏 率 ： ≤10-9Pa.m3/s，压升： 24 小时平均压升小于 1Pa/H4、气体质量流量系统控制范围： 2%-100%F.S.，入口压力 0.2-0.3MPa气体种类及量程：H2(1SLM)、CH4(100SCCM)、O2(10SCCM)、N2(20SCCM)5、样品台系统样品台直径：Φ60 mm, 水冷结构； 样品台调节范围：0~15 mm腔板调节范围：0~60 mm6、基片测温温度控制范围：600~1200℃（红外测温）温度控制精度：控温精度±5℃;恒温区控制范围： 钼台各点温度差≤30℃7、绝缘电阻：≥5MΩ8、可靠性：正常条件下的连续稳定工作时间不低于 24H9、设备接口进出水：G1"外丝气体接口：1/4"VCR 外丝废气排出接口：3/4"外丝电源线：TB*、总电源：380VAC±5%/50Hz，三相五线，14kW11、总冷却水： 34L/min，清洁软水，进口水温 20℃±5℃；水压 0.2~0.4Mpa12、外形尺寸：1.95(L) x 0.8 (W) x 1.90 (H) | ||
| 质保及售后服务 | 按行业标准提供服务（提供本地化安装调试及售后服务） | ||
招投标大数据
最近搜索
无
热门搜索
无
