1

原子层沉积ALD

1台

SUPERALD

ExploiterE200SP

1. 工作条件1.1 电源电压：AC 380V±10%，50Hz，三相五线。1.2 长时间连续工作（满足7×24，即每周7天、每天24小时运行）。2. 设备基础规格2.1 适用于8英寸、6英寸、4英寸、3英寸、2英寸及破片加工。2.2 设备运行过程中，整机外壳温度均不高于60℃，以保证操作的安全性。2.3.1 真空腔材质为不锈钢，腔体表面经过电解抛光处理。2.3.2 样品台室温至500℃可控，尺寸不小于φ200mm，可放样品高度不小于10mm。2.3.3 腔体进气方式：前驱体蒸汽通过喷淋头进入真空腔，蒸汽自上而下流经衬底。2.3.4 腔体开关方式：可通过界面操作系统自动开关腔门，配备安全互锁检测功能，确保腔门在安全状态下开关；耐腐蚀O-ring密封。2.3.5 腔体具备快速开关真空隔离装置，防止前驱体气体和等离子体活性自由基交叉污染，避免污染电感耦合等离子体反应装置。2.3.6 真空腔体上方具备独立的反应气扩散区域，配备活动式结构，腔体上方所有结构可完全打开，便于清洁。2.3.7 反应腔体内部配备可更换式内衬，维护时便于更换。2.4.1 至少配备6路前驱体源管路：2路常温源、4路加热源（不低于150℃）；其中常温源管路需加配耐腐蚀微调阀。2.4.2 每个前驱体源气路至少配备1个源瓶（≥250mL）和2个进口阀门。2.4.3 阀门配备安全互锁检测功能，在真空腔门打开时处于强制关闭状态，防止前驱体暴露在空气中。2.4.4 配备2路反应物管路，反应物包含H2O和NH3，每路反应物管路分别配备1个进口阀门，阀门最高耐温不小于150℃。2.4.5 反应物管路需加配微调阀。2.4.6 反应物H2O管路需配备1个经过电解抛光处理且体积不小于75mL的不锈钢源瓶。2.4.7 前驱体管路配有载气（N2），载气管路前端需配备计量调压阀、气动阀等。2.4.8 吹扫管路采用1个质量流量控制器和1个进口阀门（阀门最高耐温不小于150℃）用于控制惰性气体。2.4.9 管路及接头均采用EP级电解抛光不锈钢材料，所有气体管路连接处采用金属VCR密封。2.5 源瓶系统：室温至150℃可控，控制精度：±1℃。2.6 加热箱：室温至150℃可控，控制精度：±1℃，要求所有管路放置在加热箱内实现一体式加热，加热箱内管路温度均匀性±5℃。2.7 采用固态继电器用于控制加热，符合 UL、CSA、ROHS标准。2.8 真空泵采用双级油封式旋片真空泵，抽速65m3/h，噪音不大于62dB。2.9 真空测量：至少配备2个真空压力计，包含一个高真空压力计和一个大气真空压力计。2.10 真空压力计采用薄膜规，要求高精度，长寿命，必须对腐蚀性介质具有极高的耐受性，可在工艺进行的同时进行压力监测，精度：±0.25%读数；响应时间：<20ms；分辨率：≤0.005%FS；符合CE，ROHS规范。3. 设备软硬件规格3.1 控制系统配备工控机和PLC，工控机配备SSD固态硬盘，安装正版操作系统；PLC可支持2ms扫描周期。3.2 输入设备配备鼠标、键盘和触摸显示器，显示器尺寸不小于19inch，可360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停。3.3 界面操作系统支持历史数据、报警日志的存储和导入导出功能。3.4 界面操作系统需实时展示系统加热状态、所有阀门开关状态、腔室压力状态。3.5 界面操作系统具备配方编辑功能，可对工艺参数沉积温度、循环次数、脉冲时间等进行编辑。3.6 用户可设定设备及工艺运行时的报警参数，包括但不限于温度、压力、流量等。3.7 用户可设定设备及工艺运行时的提醒参数，包括前驱体源用量追踪及提醒功能。3.8 界面操作系统具备用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，针对操作人员分级管理。3.9 界面操作系统支持多个配方交替运行，实现单一和多层薄膜材料的制备。3.10 界面操作系统可自动完成Thermal-ALD和PEALD的单一或多层配方运行。3.11 界面操作系统配备独立的维护界面，所有管路具备自动清洗功能，确保ALD阀门与真空腔之间的管路没有前驱体残留。3.12阀门配备电磁阀，电磁阀响应时间<5ms，带过电压保护回路，带动作指示灯。4. 热阱加热器4.1 设备配备热阱加热器用于处理反应残余气。4.2 热阱加热器内部阱芯可更换。4.3 热阱加热器最高可加热温度不小于400℃，控温精度±1℃。5. 臭氧系统5.1 臭氧发生器输入端至少配备1个质量流量控制器和1个气动阀门，用于调节氧气的流量。5.2 臭氧发生器输出端至少配备1个微调阀和1个进口阀门，阀门最高耐温不小于150℃。5.3 臭氧发生器产量不小于7g/h，产生臭氧浓度最低不小于23g/m3。5.4 臭氧发生器集成臭氧尾气处理器，具备处理残余臭氧功能。6. 工艺及服务6.1.1 工艺验收标准：8英寸 (?200mm) 单晶硅片基底上沉积30 nm Al2O3薄膜，薄膜的不均匀性 ＜ 2％（均匀九点）。

卖方拥有完善的售后服务团队和专业技术人员，并承诺： ⑴卖方所售出的产品，均由卖方负责所有产品的安装、调试，工程验收合格后由技术人员进行有关设备的使用、维护培训，时间为期1-2天，食宿费自理； ⑵售出的仪器设备从使用人验收合格之日起*年内，用户正常使用而引起的故障及其他事项，卖方负责免费联络原厂进行维护、修理的；所提供的设备、零部件均符合国家相应质量标准。 ⑶定期巡检，由卖方售出的仪器设备承诺将在保修期内为用户提供每年一次上门免费保养服务；⑷对于用户的报修，卖方承诺自接到用户报修时起，4小时内响应，24小时内提出解决方案，如方案仍不能解决问题，保证在72小时内到达现场解决问题. ⑸超过免费保修期限的产品维修，卖方将提供有偿的技术、维修服务；

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1台

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ExploiterE200SP

1. 工作条件1.1 电源电压：AC 380V±10%，50Hz，三相五线。1.2 长时间连续工作（满足7×24，即每周7天、每天24小时运行）。2. 设备基础规格2.1 适用于8英寸、6英寸、4英寸、3英寸、2英寸及破片加工。2.2 设备运行过程中，整机外壳温度均不高于60℃，以保证操作的安全性。2.3.1 真空腔材质为不锈钢，腔体表面经过电解抛光处理。2.3.2 样品台室温至500℃可控，尺寸不小于φ200mm，可放样品高度不小于10mm。2.3.3 腔体进气方式：前驱体蒸汽通过喷淋头进入真空腔，蒸汽自上而下流经衬底。2.3.4 腔体开关方式：可通过界面操作系统自动开关腔门，配备安全互锁检测功能，确保腔门在安全状态下开关；耐腐蚀O-ring密封。2.3.5 腔体具备快速开关真空隔离装置，防止前驱体气体和等离子体活性自由基交叉污染，避免污染电感耦合等离子体反应装置。2.3.6 真空腔体上方具备独立的反应气扩散区域，配备活动式结构，腔体上方所有结构可完全打开，便于清洁。2.3.7 反应腔体内部配备可更换式内衬，维护时便于更换。2.4.1 至少配备6路前驱体源管路：2路常温源、4路加热源（不低于150℃）；其中常温源管路需加配耐腐蚀微调阀。2.4.2 每个前驱体源气路至少配备1个源瓶（≥250mL）和2个进口阀门。2.4.3 阀门配备安全互锁检测功能，在真空腔门打开时处于强制关闭状态，防止前驱体暴露在空气中。2.4.4 配备2路反应物管路，反应物包含H2O和NH3，每路反应物管路分别配备1个进口阀门，阀门最高耐温不小于150℃。2.4.5 反应物管路需加配微调阀。2.4.6 反应物H2O管路需配备1个经过电解抛光处理且体积不小于75mL的不锈钢源瓶。2.4.7 前驱体管路配有载气（N2），载气管路前端需配备计量调压阀、气动阀等。2.4.8 吹扫管路采用1个质量流量控制器和1个进口阀门（阀门最高耐温不小于150℃）用于控制惰性气体。2.4.9 管路及接头均采用EP级电解抛光不锈钢材料，所有气体管路连接处采用金属VCR密封。2.5 源瓶系统：室温至150℃可控，控制精度：±1℃。2.6 加热箱：室温至150℃可控，控制精度：±1℃，要求所有管路放置在加热箱内实现一体式加热，加热箱内管路温度均匀性±5℃。2.7 采用固态继电器用于控制加热，符合 UL、CSA、ROHS标准。2.8 真空泵采用双级油封式旋片真空泵，抽速65m3/h，噪音不大于62dB。2.9 真空测量：至少配备2个真空压力计，包含一个高真空压力计和一个大气真空压力计。2.10 真空压力计采用薄膜规，要求高精度，长寿命，必须对腐蚀性介质具有极高的耐受性，可在工艺进行的同时进行压力监测，精度：±0.25%读数；响应时间：<20ms；分辨率：≤0.005%FS；符合CE，ROHS规范。3. 设备软硬件规格3.1 控制系统配备工控机和PLC，工控机配备SSD固态硬盘，安装正版操作系统；PLC可支持2ms扫描周期。3.2 输入设备配备鼠标、键盘和触摸显示器，显示器尺寸不小于19inch，可360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停。3.3 界面操作系统支持历史数据、报警日志的存储和导入导出功能。3.4 界面操作系统需实时展示系统加热状态、所有阀门开关状态、腔室压力状态。3.5 界面操作系统具备配方编辑功能，可对工艺参数沉积温度、循环次数、脉冲时间等进行编辑。3.6 用户可设定设备及工艺运行时的报警参数，包括但不限于温度、压力、流量等。3.7 用户可设定设备及工艺运行时的提醒参数，包括前驱体源用量追踪及提醒功能。3.8 界面操作系统具备用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，针对操作人员分级管理。3.9 界面操作系统支持多个配方交替运行，实现单一和多层薄膜材料的制备。3.10 界面操作系统可自动完成Thermal-ALD和PEALD的单一或多层配方运行。3.11 界面操作系统配备独立的维护界面，所有管路具备自动清洗功能，确保ALD阀门与真空腔之间的管路没有前驱体残留。3.12阀门配备电磁阀，电磁阀响应时间<5ms，带过电压保护回路，带动作指示灯。4. 热阱加热器4.1 设备配备热阱加热器用于处理反应残余气。4.2 热阱加热器内部阱芯可更换。4.3 热阱加热器最高可加热温度不小于400℃，控温精度±1℃。5. 臭氧系统5.1 臭氧发生器输入端至少配备1个质量流量控制器和1个气动阀门，用于调节氧气的流量。5.2 臭氧发生器输出端至少配备1个微调阀和1个进口阀门，阀门最高耐温不小于150℃。5.3 臭氧发生器产量不小于7g/h，产生臭氧浓度最低不小于23g/m3。5.4 臭氧发生器集成臭氧尾气处理器，具备处理残余臭氧功能。6. 工艺及服务6.1.1 工艺验收标准：8英寸 (?200mm) 单晶硅片基底上沉积30 nm Al2O3薄膜，薄膜的不均匀性 ＜ 2％（均匀九点）。

卖方拥有完善的售后服务团队和专业技术人员，并承诺： ⑴卖方所售出的产品，均由卖方负责所有产品的安装、调试，工程验收合格后由技术人员进行有关设备的使用、维护培训，时间为期1-2天，食宿费自理； ⑵售出的仪器设备从使用人验收合格之日起*年内，用户正常使用而引起的故障及其他事项，卖方负责免费联络原厂进行维护、修理的；所提供的设备、零部件均符合国家相应质量标准。 ⑶定期巡检，由卖方售出的仪器设备承诺将在保修期内为用户提供每年一次上门免费保养服务；⑷对于用户的报修，卖方承诺自接到用户报修时起，4小时内响应，24小时内提出解决方案，如方案仍不能解决问题，保证在72小时内到达现场解决问题. ⑸超过免费保修期限的产品维修，卖方将提供有偿的技术、维修服务；