项目简介

高纯金、高纯铂蒸发材料是半导体、集成电路芯片制造工艺中薄膜制备的重要基础材料之一。随着大数据、云计算和5G等电子信息技术的不断进步和升级，电子材料开始向多功能化、复合化、低维化和智能化方向发展，半导体工艺技术水平日益提高，特征尺寸的缩小需要应用新的高性能高纯材料，对半导体、集成电路芯片制造用金和铂蒸发材料的质量提出更加苛刻的要求，其纯度和杂质含量直接影响着电子薄膜性能，如金蒸发材料要求纯度Au≥99.999%，且能有效控制特定杂质元素C，S，Fe等，同时对几何形状及尺寸也有特殊的要求。目前，高端芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料制备技术被国外企业掌握，技术严格保密， (略) 等。我国金、铂蒸发材料主要应用于LED照明、太阳能电池、微波半导体器件、电极等领域，尚不能用于高端半导体芯片制造领域，高端半导体芯片制造用高纯金、高纯铂蒸发材料依赖进口，严重制约着我国集成电路等电子信息产业的发展。针对上述问题，本项目通过系统研究，全面革新现有高纯金、高纯铂蒸发材料生产的技术及工艺流程：开发出选择性沉淀除杂-电位调控制备高纯金原料新工艺，获得了纯度Au＞99.999%的高纯海绵金，生产周期短，常温还原、能耗低。开发全湿法制备高纯铂原料新工艺，获得了纯度Pt＞99.999%的高纯海绵铂，该工艺杂质去除效果好，产品纯度高，流程简短，省去了氯铂酸铵煅烧工序，减少NOx、HCl等有害物质排放，清洁环保。国内首创芯片用高纯金蒸发材料规则颗粒短流程制备新工艺，获得的产品的纯度Au＞99.999%，C、S含量小于2ppm，产品粒径2?4mm，满足了半导体、集成电路等高端芯片制造产业的要求，实现进口替代；通过短流程制备工艺大幅度降低能耗降低、生产成本，生产周期仅为传统工艺的3%。开发芯片用高纯铂蒸发材料新方法，获得的高纯铂蒸发材料的纯度Pt＞99.999%，缺陷少，性能满足芯片制造行业要求，材料成品率由传统的70%-80%提高至90%-95%，单位蒸发材料产品生产成本降低46%。项目整体技术水平处于国际先进，部分技术指标达到国际领先。获授权专利发明5件，建成了芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料吨级生产线。2020年-2022年间，累计生产高纯金蒸发材料1810公斤、高纯铂蒸发材料1087公斤，累计实现销售总收入8.84亿元，利税总额1.36亿元。该成果实现了芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料国产化制备，解决了高纯金和高纯铂蒸发材料依赖进口问题，为国内芯片制造企业提供了高品质产品，推动了我国贵金属新材料产业发展。

主要知识产权、标准等目录

代表性论文（专著）目录

项目简介

高纯金、高纯铂蒸发材料是半导体、集成电路芯片制造工艺中薄膜制备的重要基础材料之一。随着大数据、云计算和5G等电子信息技术的不断进步和升级，电子材料开始向多功能化、复合化、低维化和智能化方向发展，半导体工艺技术水平日益提高，特征尺寸的缩小需要应用新的高性能高纯材料，对半导体、集成电路芯片制造用金和铂蒸发材料的质量提出更加苛刻的要求，其纯度和杂质含量直接影响着电子薄膜性能，如金蒸发材料要求纯度Au≥99.999%，且能有效控制特定杂质元素C，S，Fe等，同时对几何形状及尺寸也有特殊的要求。目前，高端芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料制备技术被国外企业掌握，技术严格保密， (略) 等。我国金、铂蒸发材料主要应用于LED照明、太阳能电池、微波半导体器件、电极等领域，尚不能用于高端半导体芯片制造领域，高端半导体芯片制造用高纯金、高纯铂蒸发材料依赖进口，严重制约着我国集成电路等电子信息产业的发展。针对上述问题，本项目通过系统研究，全面革新现有高纯金、高纯铂蒸发材料生产的技术及工艺流程：开发出选择性沉淀除杂-电位调控制备高纯金原料新工艺，获得了纯度Au＞99.999%的高纯海绵金，生产周期短，常温还原、能耗低。开发全湿法制备高纯铂原料新工艺，获得了纯度Pt＞99.999%的高纯海绵铂，该工艺杂质去除效果好，产品纯度高，流程简短，省去了氯铂酸铵煅烧工序，减少NOx、HCl等有害物质排放，清洁环保。国内首创芯片用高纯金蒸发材料规则颗粒短流程制备新工艺，获得的产品的纯度Au＞99.999%，C、S含量小于2ppm，产品粒径2?4mm，满足了半导体、集成电路等高端芯片制造产业的要求，实现进口替代；通过短流程制备工艺大幅度降低能耗降低、生产成本，生产周期仅为传统工艺的3%。开发芯片用高纯铂蒸发材料新方法，获得的高纯铂蒸发材料的纯度Pt＞99.999%，缺陷少，性能满足芯片制造行业要求，材料成品率由传统的70%-80%提高至90%-95%，单位蒸发材料产品生产成本降低46%。项目整体技术水平处于国际先进，部分技术指标达到国际领先。获授权专利发明5件，建成了芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料吨级生产线。2020年-2022年间，累计生产高纯金蒸发材料1810公斤、高纯铂蒸发材料1087公斤，累计实现销售总收入8.84亿元，利税总额1.36亿元。该成果实现了芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料国产化制备，解决了高纯金和高纯铂蒸发材料依赖进口问题，为国内芯片制造企业提供了高品质产品，推动了我国贵金属新材料产业发展。

主要知识产权、标准等目录

代表性论文（专著）目录