多晶硅桥电阻芯片采购
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多晶硅桥电阻芯片采购
| 项目名称 | 多晶硅桥电阻芯片 | 项目编号 | JJ* |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2023-09-19 11:39:28 | 公示截止日期 | 2023-09-22 13:00:00 |
| 采购单位 | 重庆大学 | 付款方式 | 预付款70%，尾款到货验收合格后支付 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后3个工作日内 | 到货时间要求 | 合同签订35个工作日内 |
| 预算 | 未公布 | ||
| 质保金（元） | 无 | 发票要求 | 增值税专用发票(税率13%) |
| 是否外贸 | 否 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 收货地址 | 重庆大学虎溪校区理科楼LC321 | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 多晶硅桥电阻芯片 | 450 | 个 | 无机基础化学原料 |
| 品牌 | 自研 | ||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | 自研 | ||
| 技术参数 | （1）原始单晶硅片 N<100>，电阻率 4-7Ω·cm； （2）晶圆（Wafer）尺寸大于等于4英寸； （3）单片芯片（Die）外观尺寸为9.075mm×9.0 mm（±0.05mm），厚度减薄至（180±10）um，背金； （4）多晶加热环圆心在单片芯片(Die）中心，外环直径为（8.83±0.03）mm；内环直径为 （5.0±0.03）mm; 加热环阻值为 2.0Ω~2.5Ω； （5）两只焊盘在芯片对角线上呈直角边，距离芯片边缘0.085mm; （6） 50倍或 100倍金相显微镜下芯片表面无裂缝，断铝，擦伤，烧伤，沾污等异常; （7） 10倍目检芯片焊盘无明显划痕，满足电性能键合; （8） 焊盘无凸起及气泡物等; （9） 芯片背面崩边不得大于100 um。 | ||
| 售后服务 | 电话支持:7x8小时;质保期限:1年;响应时间:24小时;发票类型:13%增值税专用发票;质保金:无; | ||
重庆大学
2023-09-19 11:39:28
| 项目名称 | 多晶硅桥电阻芯片 | 项目编号 | JJ* |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2023-09-19 11:39:28 | 公示截止日期 | 2023-09-22 13:00:00 |
| 采购单位 | 重庆大学 | 付款方式 | 预付款70%，尾款到货验收合格后支付 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后3个工作日内 | 到货时间要求 | 合同签订35个工作日内 |
| 预算 | 未公布 | ||
| 质保金（元） | 无 | 发票要求 | 增值税专用发票(税率13%) |
| 是否外贸 | 否 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 收货地址 | 重庆大学虎溪校区理科楼LC321 | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 多晶硅桥电阻芯片 | 450 | 个 | 无机基础化学原料 |
| 品牌 | 自研 | ||
|---|---|---|---|
| 规格型号 | 自研 | ||
| 技术参数 | （1）原始单晶硅片 N<100>，电阻率 4-7Ω·cm； （2）晶圆（Wafer）尺寸大于等于4英寸； （3）单片芯片（Die）外观尺寸为9.075mm×9.0 mm（±0.05mm），厚度减薄至（180±10）um，背金； （4）多晶加热环圆心在单片芯片(Die）中心，外环直径为（8.83±0.03）mm；内环直径为 （5.0±0.03）mm; 加热环阻值为 2.0Ω~2.5Ω； （5）两只焊盘在芯片对角线上呈直角边，距离芯片边缘0.085mm; （6） 50倍或 100倍金相显微镜下芯片表面无裂缝，断铝，擦伤，烧伤，沾污等异常; （7） 10倍目检芯片焊盘无明显划痕，满足电性能键合; （8） 焊盘无凸起及气泡物等; （9） 芯片背面崩边不得大于100 um。 | ||
| 售后服务 | 电话支持:7x8小时;质保期限:1年;响应时间:24小时;发票类型:13%增值税专用发票;质保金:无; | ||
重庆大学
2023-09-19 11:39:28
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