集成电路工艺虚拟仿真系统采购

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集成电路工艺虚拟仿真系统采购


项目名称 (略) 工艺虚拟仿真系统项目编号JLU-KC*
公示开始日期2024-05-14 11:14:33公示截止日期2024-05-17 12:00:00
采购单位吉林大学付款方式货到验收合格办理相关手续后100%付款。
联系人中标后在我参与的项目中查看联系电话中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求成交后7个工作日内到货时间要求国内合同签订后30个工作日内
预算￥ 480,000
发票要求增值税发票（一般纳税人须开具增值税专用发票）
供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

须上传生产厂家盖章的针对本项目的授权书和售后服务承诺书。 (必选)

收货地址吉林大学

采购清单1
采购物品采购数量计量单位所属分类
(略) 工艺虚拟仿真系统10套其他试验仪器及装置
品牌常州奥 (略)
规格型号V1.0（ (略) 版）
技术参数技术参数：
1 (略)
1.1加密卡：加密算法AES 128位，受保护功能/应用程序的最大数目( ≥10点)。
1.2工作站：处理器 ≥i5 ；内存容量 ≥8G；硬盘 ≥1T；显存 ≥4G。
1. (略) 教学，要求同时进行10人以上教学。
2 半导体物理
2.1 PN结掺杂浓度仿真：首先根据指标（反向饱和电流等），选择基底材料（硅、锗、砷化镓），再根据内建电势设计要求，通过选择N区和P区掺杂浓度，自动计算内建电势和空间电荷区宽度，通过自动仿真，再设置掺杂浓度范围。
2.2 PN结偏置电压仿真：进行不加偏置电压、仿真外加正向偏压和外加反向偏压仿真，观察内建电势和空间电荷区宽的变化。
2.3 VI特性仿真：根据温度和PN正向电流，下拉选择正向压降（可计算）。观察温度对VI曲线的影响。
3 (略) 工艺设计
3.1 IC器件类型：LED、太阳能电池；NPN三极管、PNP三极管、NMOS三极管、PMOS三极管；HETM铝硼化镓功率器件；CMOS非门、NMOS触发器；MEMS可变电容。
3.2 芯片工艺流程设计和仿真：1） 工艺设计：首先观看各类工艺视频，再按视频运行顺序，下拉选择每个工序，并按工序顺序是否正确打分；2）工艺仿真：根据所设计的工艺流程进行工艺流程和器件结构仿真，检査错误。
3.3 芯片工艺参数设计和仿真：1）参数设计： (略) 的工艺参数设计规范，选择设计IC芯片结构参数(厚度等) 和关键工艺的工艺参数（主要包括：制膜、光刻、刻蚀、掺杂扩散、合金），掌握IC工艺如何实现IC结构设计要求的。
2).结构仿真：通过NPN、CMOS、HETM、MEMS的结构仿真，判断关键工艺的工艺参数设置的正确性。
3.4 版图设计和仿真:1) 版图设计：根据版图设计规则，选择NPN三极管和CMOS非门的设计版图的关键结构几何尺寸。2) 版图仿真：根据尺寸进行结构仿真，直观检查设计的合理性和规范性。
4 (略) 芯片制造
4.1 晶圆制程：
1) 工艺流程：首先观看晶圆制造每个工序视频，再选择常用方法。
2) 设备：单晶炉、划片机、抛光机。
3) 参数设置：首先查看规则库，再按项目要求设置参数，并进行温度曲线所真。
4) 设备操作包括：上料、面板开关的使用、生产模拟运行、生产监控等。
5) VR虚拟车间：在VR虚拟场景中完成设备交互式操作。
4.2 芯片工艺方法
1) 工艺方法种类：通过观看各类工艺原理视频和文字，学坦化系统；清洗机；测试机。
4.4芯片设备参数设置
1) 参数设置：查看规则库，按项目要求设置设备关键参数。
2) 温度曲线仿真：各种炉子的温度曲线的仿真。
3) 厚度仿真：PECVD淀积厚度仿真。
4.5设备操作
1) 上料、面板开关的使用、生产模拟运行、生产监控等。
2) PECVD设备生产过程的模拟运行操作。
5 芯片制造VR工厂
5.1工厂种类：NPN三极管
5.2 VR工厂设备模型
1) 制膜车间：热氧化炉、液态源扩散炉、固态源扩散炉、离子注入掺杂机、外延炉、LPCVD和PECVD化学沉积机、电子束蒸发机、磁控溅射台、真空钨丝蒸发机等；
2) 光刻车间：涂胶机、光学曝光机、电子束曝光机、极紫外光刻机、前烘炉、显影机、后烘炉、湿法刻蚀机、等离子刻蚀机、反应离子刻蚀机、溶剂去胶机、等离子体去胶机；
3) 辅肋车间：烧结炉、化学机械抛光机、化学清洗机、等离子清洗机、测试机、切割机等。
5.3产品模拟生产
1) 工厂漫游：在不同器件的VR虚拟制造工厂的虚拟环境中，按照不同器件的工艺流程，漫游找到每个工序设备。
2) 设备交互操作：开机、上料、生产模拟运行、取料和关机等，完成一个产品生产约计200-860步骤。
3) 产品结构仿真：每台设备的进出料，根据工序不同而不同，制程半产品结构约有50-173个。
6 IC封装工艺设计
6.1封装类型：SOP小外形封装、 BGA球形阵列封装、WBLP引线键和式叠层封装、TSV硅通孔叠层封装、FC (WLCSP)晶圆级倒装片、SIP系统级封装。
6.2封装工艺流程设计
1) 工艺设计：通过观看各类器件封装工艺原理视频， (略) 的封装结构与工艺和设备规则，选择设计不同IC封装的工艺和设备；
2) 工艺仿真：根据所设计的工艺流程进行工艺流程和器件结构的3D仿真，检査错误。
6.3封装工艺参数设计
1) 结构参数： (略) 的工艺参数设计规范，选择设计IC封装结构参数(引脚数等) 。
2) 工艺参数：关键工艺的工艺参数，掌握IC工艺如何实现IC结构设计要求的。
7 IC封装技术
7.1封装工艺方法
1) 封装方法种类：通过观看各类封装工艺原理视频和文字，学时单元实训%+虚拟工厂实训%。
10.3 教学资源
1) 理论教学：包括：碎片化教学资源、视频资源和使用说明书。
信息数据库：规则库（设置和操作标准）和信息MIS库（用户设置和操作答案）
售后服务 (略) 点:外地;电话支持:7x24小时;服务年限:三年;服务时限:报修后12小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;

吉林大学


2024-05-14 11:14:33


项目名称 (略) 工艺虚拟仿真系统项目编号JLU-KC*
公示开始日期2024-05-14 11:14:33公示截止日期2024-05-17 12:00:00
采购单位吉林大学付款方式货到验收合格办理相关手续后100%付款。
联系人中标后在我参与的项目中查看联系电话中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求成交后7个工作日内到货时间要求国内合同签订后30个工作日内
预算￥ 480,000
发票要求增值税发票（一般纳税人须开具增值税专用发票）
供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

须上传生产厂家盖章的针对本项目的授权书和售后服务承诺书。 (必选)

收货地址吉林大学

采购清单1
采购物品采购数量计量单位所属分类
(略) 工艺虚拟仿真系统10套其他试验仪器及装置
品牌常州奥 (略)
规格型号V1.0（ (略) 版）
技术参数技术参数：
1 (略)
1.1加密卡：加密算法AES 128位，受保护功能/应用程序的最大数目( ≥10点)。
1.2工作站：处理器 ≥i5 ；内存容量 ≥8G；硬盘 ≥1T；显存 ≥4G。
1. (略) 教学，要求同时进行10人以上教学。
2 半导体物理
2.1 PN结掺杂浓度仿真：首先根据指标（反向饱和电流等），选择基底材料（硅、锗、砷化镓），再根据内建电势设计要求，通过选择N区和P区掺杂浓度，自动计算内建电势和空间电荷区宽度，通过自动仿真，再设置掺杂浓度范围。
2.2 PN结偏置电压仿真：进行不加偏置电压、仿真外加正向偏压和外加反向偏压仿真，观察内建电势和空间电荷区宽的变化。
2.3 VI特性仿真：根据温度和PN正向电流，下拉选择正向压降（可计算）。观察温度对VI曲线的影响。
3 (略) 工艺设计
3.1 IC器件类型：LED、太阳能电池；NPN三极管、PNP三极管、NMOS三极管、PMOS三极管；HETM铝硼化镓功率器件；CMOS非门、NMOS触发器；MEMS可变电容。
3.2 芯片工艺流程设计和仿真：1） 工艺设计：首先观看各类工艺视频，再按视频运行顺序，下拉选择每个工序，并按工序顺序是否正确打分；2）工艺仿真：根据所设计的工艺流程进行工艺流程和器件结构仿真，检査错误。
3.3 芯片工艺参数设计和仿真：1）参数设计： (略) 的工艺参数设计规范，选择设计IC芯片结构参数(厚度等) 和关键工艺的工艺参数（主要包括：制膜、光刻、刻蚀、掺杂扩散、合金），掌握IC工艺如何实现IC结构设计要求的。
2).结构仿真：通过NPN、CMOS、HETM、MEMS的结构仿真，判断关键工艺的工艺参数设置的正确性。
3.4 版图设计和仿真:1) 版图设计：根据版图设计规则，选择NPN三极管和CMOS非门的设计版图的关键结构几何尺寸。2) 版图仿真：根据尺寸进行结构仿真，直观检查设计的合理性和规范性。
4 (略) 芯片制造
4.1 晶圆制程：
1) 工艺流程：首先观看晶圆制造每个工序视频，再选择常用方法。
2) 设备：单晶炉、划片机、抛光机。
3) 参数设置：首先查看规则库，再按项目要求设置参数，并进行温度曲线所真。
4) 设备操作包括：上料、面板开关的使用、生产模拟运行、生产监控等。
5) VR虚拟车间：在VR虚拟场景中完成设备交互式操作。
4.2 芯片工艺方法
1) 工艺方法种类：通过观看各类工艺原理视频和文字，学坦化系统；清洗机；测试机。
4.4芯片设备参数设置
1) 参数设置：查看规则库，按项目要求设置设备关键参数。
2) 温度曲线仿真：各种炉子的温度曲线的仿真。
3) 厚度仿真：PECVD淀积厚度仿真。
4.5设备操作
1) 上料、面板开关的使用、生产模拟运行、生产监控等。
2) PECVD设备生产过程的模拟运行操作。
5 芯片制造VR工厂
5.1工厂种类：NPN三极管
5.2 VR工厂设备模型
1) 制膜车间：热氧化炉、液态源扩散炉、固态源扩散炉、离子注入掺杂机、外延炉、LPCVD和PECVD化学沉积机、电子束蒸发机、磁控溅射台、真空钨丝蒸发机等；
2) 光刻车间：涂胶机、光学曝光机、电子束曝光机、极紫外光刻机、前烘炉、显影机、后烘炉、湿法刻蚀机、等离子刻蚀机、反应离子刻蚀机、溶剂去胶机、等离子体去胶机；
3) 辅肋车间：烧结炉、化学机械抛光机、化学清洗机、等离子清洗机、测试机、切割机等。
5.3产品模拟生产
1) 工厂漫游：在不同器件的VR虚拟制造工厂的虚拟环境中，按照不同器件的工艺流程，漫游找到每个工序设备。
2) 设备交互操作：开机、上料、生产模拟运行、取料和关机等，完成一个产品生产约计200-860步骤。
3) 产品结构仿真：每台设备的进出料，根据工序不同而不同，制程半产品结构约有50-173个。
6 IC封装工艺设计
6.1封装类型：SOP小外形封装、 BGA球形阵列封装、WBLP引线键和式叠层封装、TSV硅通孔叠层封装、FC (WLCSP)晶圆级倒装片、SIP系统级封装。
6.2封装工艺流程设计
1) 工艺设计：通过观看各类器件封装工艺原理视频， (略) 的封装结构与工艺和设备规则，选择设计不同IC封装的工艺和设备；
2) 工艺仿真：根据所设计的工艺流程进行工艺流程和器件结构的3D仿真，检査错误。
6.3封装工艺参数设计
1) 结构参数： (略) 的工艺参数设计规范，选择设计IC封装结构参数(引脚数等) 。
2) 工艺参数：关键工艺的工艺参数，掌握IC工艺如何实现IC结构设计要求的。
7 IC封装技术
7.1封装工艺方法
1) 封装方法种类：通过观看各类封装工艺原理视频和文字，学时单元实训%+虚拟工厂实训%。
10.3 教学资源
1) 理论教学：包括：碎片化教学资源、视频资源和使用说明书。
信息数据库：规则库（设置和操作标准）和信息MIS库（用户设置和操作答案）
售后服务 (略) 点:外地;电话支持:7x24小时;服务年限:三年;服务时限:报修后12小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年;

吉林大学


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