（1）激光器：半导体激光器，波长650nm；功率10mW；（2）电光调制器：电压0-1000V可调，内置方波、正弦等调制信号，频率0-10K连续可调；（3）电光晶体：LiNbO3晶体；尺寸5x5x30mm，两侧镀银电极，增加导电橡胶；（4）波片：石英晶体，λ/4；650nm；Φ25.4mm；（5）偏振片：Φ25.4mm，通光孔径22mm，厚度2mm，波长范围400-700nm；视场角＞±45°，入射光为平行偏振光时单个偏振片透过率大于50%，消光比500:1，含镜架；（6）激光功率指示器：标定波长λ650nm，测量范围2uw、20um、200uw、2mw、20mw、200mw等可选，测量精度0.01uw；（7）光电探测器：探测器类型Si,可测波长500-1050nm，灵敏度0.*mV/uW；放大倍数：10倍，1000倍可调；（8）精密光学导轨：800mm（长）×100mm（宽），可搭载GCM系列精密光机调整部件；（9）精密机械调整架：角度精度±4′，分辨率0.005mm，调节机构保证等双轴等高，横向偏差1′，纵向偏差1′；（10）光学元件: BK7 A级精密退火材料，焦距±2%，直径-0.2mm，中心偏差3′，光圈1-5；局部误差0.2-0.5，面粗糙度60/40（Scratch/Dig），MgF2单层增透膜，有效孔径90%Ф； 

（1）激光器：半导体激光器，波长650nm；功率10mW；（2）电光调制器：电压0-1000V可调，内置方波、正弦等调制信号，频率0-10K连续可调；（3）电光晶体：LiNbO3晶体；尺寸5x5x30mm，两侧镀银电极，增加导电橡胶；（4）波片：石英晶体，λ/4；650nm；Φ25.4mm；（5）偏振片：Φ25.4mm，通光孔径22mm，厚度2mm，波长范围400-700nm；视场角＞±45°，入射光为平行偏振光时单个偏振片透过率大于50%，消光比500:1，含镜架；（6）激光功率指示器：标定波长λ650nm，测量范围2uw、20um、200uw、2mw、20mw、200mw等可选，测量精度0.01uw；（7）光电探测器：探测器类型Si,可测波长500-1050nm，灵敏度0.*mV/uW；放大倍数：10倍，1000倍可调；（8）精密光学导轨：800mm（长）×100mm（宽），可搭载GCM系列精密光机调整部件；（9）精密机械调整架：角度精度±4′，分辨率0.005mm，调节机构保证等双轴等高，横向偏差1′，纵向偏差1′；（10）光学元件: BK7 A级精密退火材料，焦距±2%，直径-0.2mm，中心偏差3′，光圈1-5；局部误差0.2-0.5，面粗糙度60/40（Scratch/Dig），MgF2单层增透膜，有效孔径90%Ф；