反应离子刻蚀机

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反应离子刻蚀机

项目名称 反应离子刻蚀机 项目编号 XJD*
公告开始日期 2024-09-19 16:06:54 公告截止日期 2024-09-23 12:00:00
采购单位 西安交通大学 付款方式 货到安装、调试、验收合格后，付全款。
签约时间要求 发布竞价结果后7天内签订合同 到货时间要求 发布竞价结果后7天内送达
预算总价 币种 人民币
收货地址 (略) 秦都区
供应商资质要求 无
采购清单 1
采购商品 采购数量 计量单位 附件
反应离子刻蚀机 1.00 无
品牌 创世威纳
型号 无
预算单价
规格参数 1、主要功能 设备刻蚀材料广泛，包括并不限于单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等。 2、主要技术指标 2.1腔体尺寸：Φ300mmH300mm，经氧化处理的铝质桶形卧式结构，上盖自动开闭。 2.2极限真空度：≤5.0×10-4Pa； 2.3刻蚀室系统漏率：5×10-7Pa.l/s； 2.4刻蚀室静态升压：系统停泵关机后12小时后，真空度≤5Pa 2.5系统充干燥N2解除真空，短时暴露大气后抽气抽至5×10-3Pa时间小于20min。 2.6射频阴极尺寸：Φ200mm。 2.7刻蚀均匀性：≤±5%（Φ6英寸） 2.8主要工艺气体配置：SF6、CHF3、CF4、O2、Ar、N2（视具体刻蚀工艺） 2.9电源配置：13.56MHz，600W，自动匹配 2.10自动压力控制系统：包含。 2.11刻蚀距离自动调节范围：60mm-120mm，调节精度：1mm 2.12水冷工作台温度：-10℃～室温 2.13控制方式：基于PLC及工控机的全自动、半自动控制方式，包含安全报警系统。 3、主要配置 3.1耐氟基气体腐蚀的真空刻蚀腔体，一体化机架、辅助设施，1套 3.2复合分子泵，抽速600L/s，1台 3.3机械泵，抽速8L/，1台 3.3超高真空电动调节插板阀1台 3.4真空测量系统，一高两低，1套 3.5自动压力控制系统，含薄膜规，1套 3.6射频电源及自动匹配器：600W，1套 3.7质量流量控制器：6台 3. (略) ：6条 3.9静音空气压缩机1台 3.10冷却循环水机1台 3.11工作台冷却水机1台
售后服务 按行业标准提供服务，质保期12个月。
,陕西, (略) ,秦都区,西安,咸阳
项目名称 反应离子刻蚀机 项目编号 XJD*
公告开始日期 2024-09-19 16:06:54 公告截止日期 2024-09-23 12:00:00
采购单位 西安交通大学 付款方式 货到安装、调试、验收合格后，付全款。
签约时间要求 发布竞价结果后7天内签订合同 到货时间要求 发布竞价结果后7天内送达
预算总价 币种 人民币
收货地址 (略) 秦都区
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反应离子刻蚀机 1.00 无
品牌 创世威纳
型号 无
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规格参数 1、主要功能 设备刻蚀材料广泛，包括并不限于单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等。 2、主要技术指标 2.1腔体尺寸：Φ300mmH300mm，经氧化处理的铝质桶形卧式结构，上盖自动开闭。 2.2极限真空度：≤5.0×10-4Pa； 2.3刻蚀室系统漏率：5×10-7Pa.l/s； 2.4刻蚀室静态升压：系统停泵关机后12小时后，真空度≤5Pa 2.5系统充干燥N2解除真空，短时暴露大气后抽气抽至5×10-3Pa时间小于20min。 2.6射频阴极尺寸：Φ200mm。 2.7刻蚀均匀性：≤±5%（Φ6英寸） 2.8主要工艺气体配置：SF6、CHF3、CF4、O2、Ar、N2（视具体刻蚀工艺） 2.9电源配置：13.56MHz，600W，自动匹配 2.10自动压力控制系统：包含。 2.11刻蚀距离自动调节范围：60mm-120mm，调节精度：1mm 2.12水冷工作台温度：-10℃～室温 2.13控制方式：基于PLC及工控机的全自动、半自动控制方式，包含安全报警系统。 3、主要配置 3.1耐氟基气体腐蚀的真空刻蚀腔体，一体化机架、辅助设施，1套 3.2复合分子泵，抽速600L/s，1台 3.3机械泵，抽速8L/，1台 3.3超高真空电动调节插板阀1台 3.4真空测量系统，一高两低，1套 3.5自动压力控制系统，含薄膜规，1套 3.6射频电源及自动匹配器：600W，1套 3.7质量流量控制器：6台 3. (略) ：6条 3.9静音空气压缩机1台 3.10冷却循环水机1台 3.11工作台冷却水机1台
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