真空金属溅射镀膜系统采购

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真空金属溅射镀膜系统采购


真空金属溅射镀膜系统（GY202405979）采购公告
发布时间：2024-11-27 15:52:22阅读量：24 次

项目名称真空金属溅射镀膜系统项目编号GY(略)
公告开始日期2024-11-27 15:52:22公告截止日期2024-12-02 16:00:00
采购单位新一代半导 (略) 付款方式签订合同后支付70%，货到验收合格后支付30%
联系人成交后在我参与的项目中查看联系电话成交后在我参与的项目中查看
签约时间要求到货时间要求签订合同4个月
预算总价￥ (略).00
发票要求
收货地址山东大学半导体大楼102
供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件




采购清单1
采购商品采购数量计量单位所属分类
真空薄膜溅射镀膜系统1台电子工业生产设备

品牌创世威纳
型号DISC-SP-3200
预算单价￥ (略).00
技术参数及配置要求1. 设备采用 Load-Lock 室（进样室） +镀膜室的双腔室结构，两腔室间由一矩形超高真空密封锁隔开， 送取样品由进口伺服电机 驱动的高精度机械手实现。
2. 配置 3 个靶位，2个直流靶（其中一个为强磁靶）、1个射频靶。溅射距离及靶角度均可手动调节，可根据样 (略) 要求选择磁控靶大小。每只靶配有独立的靶挡板， 用于预溅射并防止靶材交叉污染
3. 配备 Ar、 O2、 (略) 工艺气体。
4. 工件盘为φ 6 英寸， 由旋转电机驱动进行自转，转速可调，工件盘可以加热，温度最高600°C。
5. 设备配备偏压电源，用于偏压辅助沉积，增强膜层质量
6. 设备采用基于 PLC、上位机及软件的控制方式，包含完备的安全报警系统，系统具有完备的系统在线数据采集功能，完善的系统日志。
7. 设备通用指标及参数
(1) Load-Lock 室尺寸： L280mm× W300mm× H230mm
(2) 镀膜室尺寸：Φ450mm× H420mm
(3) 整机尺寸： L2600mm× W1600mm× H1900mm
(4) 整机重量： 950Kg
(5) 溅射方向：靶在上，样品在下
(6) 磁控靶大小及数量：φ 3 英寸磁控靶 3 只
(7) 工件盘大小及数量： φ 6 英寸 1 个
(8) 电源配置：
a) 1000W 直流电源 1 台
b) 600W 射频电源 1 台
c) -300V 偏压电源 1 台
(9) 机械手：机械手精度：≤0.1mm，机械手悬垂：≤0.5mm
(10) 抽口大小：φ 150mm
8. 极限真空度：
(1) Load-Lock 室： ≤6.7× 10-1Pa
(2) 镀膜室：≤6.7× 10-5Pa
(3) 系统漏率： ≤5× 10-7Pa· L/s
(4) 静态升压：系统停泵关机 12 小时后，真空度≤5Pa
(5) 抽气速率（通过 load-lock 送样后开始抽气） ：
(6) 至 9× 10-4Pa≤10min
(7) 至 6.7× 10-4Pa≤15min
9. 设备参数及工艺指标
(1) 靶材3英寸、 (略) 域6英寸的厚度不均匀性≤±5%
(2) 溅射距离调节范围： 8-12cm
(3) 靶角度调节精度： 1°
10. 温度指标
(1) 样片表面最高温度： 600℃
(2) 控温精度： 1℃
(3) 温度不均匀性： ≤±1%
11. 硬件配置
真空溅射室系统、Load-Lock 室系统、样品及工件盘系统、真空获得系统（分子泵、干泵、挡板阀、超高真空电动调节阀）、真空测量系统（全量程复合真空计、电阻规、冷规等）、恒压控制系统、电源系统（强磁直流电源、普通直流电源、射频电源、偏压电源等）、磁控靶系统（溅射靶、挡板、角度调节器各3套）、加热系统、气路系统、 (略) 、电气系统、自动控制系统等
售后服务 (略) 点:当地;质保期限:1年;响应期限:报修后2小时;

2024-11-27 15:52:22


真空金属溅射镀膜系统（GY202405979）采购公告
发布时间：2024-11-27 15:52:22阅读量：24 次

项目名称真空金属溅射镀膜系统项目编号GY(略)
公告开始日期2024-11-27 15:52:22公告截止日期2024-12-02 16:00:00
采购单位新一代半导 (略) 付款方式签订合同后支付70%，货到验收合格后支付30%
联系人成交后在我参与的项目中查看联系电话成交后在我参与的项目中查看
签约时间要求到货时间要求签订合同4个月
预算总价￥ (略).00
发票要求
收货地址山东大学半导体大楼102
供应商资质要求

符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件




采购清单1
采购商品采购数量计量单位所属分类
真空薄膜溅射镀膜系统1台电子工业生产设备

品牌创世威纳
型号DISC-SP-3200
预算单价￥ (略).00
技术参数及配置要求1. 设备采用 Load-Lock 室（进样室） +镀膜室的双腔室结构，两腔室间由一矩形超高真空密封锁隔开， 送取样品由进口伺服电机 驱动的高精度机械手实现。
2. 配置 3 个靶位，2个直流靶（其中一个为强磁靶）、1个射频靶。溅射距离及靶角度均可手动调节，可根据样 (略) 要求选择磁控靶大小。每只靶配有独立的靶挡板， 用于预溅射并防止靶材交叉污染
3. 配备 Ar、 O2、 (略) 工艺气体。
4. 工件盘为φ 6 英寸， 由旋转电机驱动进行自转，转速可调，工件盘可以加热，温度最高600°C。
5. 设备配备偏压电源，用于偏压辅助沉积，增强膜层质量
6. 设备采用基于 PLC、上位机及软件的控制方式，包含完备的安全报警系统，系统具有完备的系统在线数据采集功能，完善的系统日志。
7. 设备通用指标及参数
(1) Load-Lock 室尺寸： L280mm× W300mm× H230mm
(2) 镀膜室尺寸：Φ450mm× H420mm
(3) 整机尺寸： L2600mm× W1600mm× H1900mm
(4) 整机重量： 950Kg
(5) 溅射方向：靶在上，样品在下
(6) 磁控靶大小及数量：φ 3 英寸磁控靶 3 只
(7) 工件盘大小及数量： φ 6 英寸 1 个
(8) 电源配置：
a) 1000W 直流电源 1 台
b) 600W 射频电源 1 台
c) -300V 偏压电源 1 台
(9) 机械手：机械手精度：≤0.1mm，机械手悬垂：≤0.5mm
(10) 抽口大小：φ 150mm
8. 极限真空度：
(1) Load-Lock 室： ≤6.7× 10-1Pa
(2) 镀膜室：≤6.7× 10-5Pa
(3) 系统漏率： ≤5× 10-7Pa· L/s
(4) 静态升压：系统停泵关机 12 小时后，真空度≤5Pa
(5) 抽气速率（通过 load-lock 送样后开始抽气） ：
(6) 至 9× 10-4Pa≤10min
(7) 至 6.7× 10-4Pa≤15min
9. 设备参数及工艺指标
(1) 靶材3英寸、 (略) 域6英寸的厚度不均匀性≤±5%
(2) 溅射距离调节范围： 8-12cm
(3) 靶角度调节精度： 1°
10. 温度指标
(1) 样片表面最高温度： 600℃
(2) 控温精度： 1℃
(3) 温度不均匀性： ≤±1%
11. 硬件配置
真空溅射室系统、Load-Lock 室系统、样品及工件盘系统、真空获得系统（分子泵、干泵、挡板阀、超高真空电动调节阀）、真空测量系统（全量程复合真空计、电阻规、冷规等）、恒压控制系统、电源系统（强磁直流电源、普通直流电源、射频电源、偏压电源等）、磁控靶系统（溅射靶、挡板、角度调节器各3套）、加热系统、气路系统、 (略) 、电气系统、自动控制系统等
售后服务 (略) 点:当地;质保期限:1年;响应期限:报修后2小时;

2024-11-27 15:52:22

    
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