主要内容

课题 * ：主要指标：(1) 电离辐射剂量 > * krad(Si)。(2) 等效1 MeV中子辐射通量 > * /cm2。(3) 工艺节点<= * 纳米。(研究周期2年；预算金额： * ~ * 万元。对接方式：线下对接报名，对接截止时间 * ，报名联系人：张晓东；联系电话： 点击查看>> 。支持项目数：1~2项)。          课题 * ：主要指标：(1) 给出空间辐射环境下照射前后材料微观结构变化、以及探测器宏观电学性能与探测性能的变化机制；(2) 给出探测材料的辐照损伤和器件老化机理和理论模型，阐明其中的微观物理机制；(3) 给出探测器结构设计的抗辐照优化方案。(研究周期2年；预算金额： * ~ * 万元。对接方式：线下对接报名，对接截止时间 * ，报名联系人：张晓东；联系电话： 点击查看>> 。支持项目数：1~2项)

资格条件

课题 * ：针对硅器件与电路在深空探测领域的应用需求，开展高剂量辐射环境下的硅器件与电路的辐射效应研究工作，主要包括电离辐射效应和位移损伤效应导致的硅器件参数退化、硅器件参数退化的片上偏差、电路的时序参数变化、电路的时序违例以及硅器件与电路在高剂量辐射环境下的考核评价技术研究，为硅器件与电路在深空探测事业中的应用奠定基础。 课题 * ：针对空间辐射探测、空间通信、空间导航等对抗辐射性能强、脉冲响应快、灵敏度高等探测器的需求，开展对碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体探测器的辐照响应和辐照损伤机理的模拟计算和试验研究工作。主要包括空间辐射条件下诱发材料的位错、掺杂、表面态等变化的测试与分析，探测器电学性能和辐射响应特性等的退化评估，探测器结构设计以及材料参数对抗辐射性能的影响，为半导体探测器在深空探测技术中的应用提供重要的理论和技术支撑。

主要内容

课题 * ：主要指标：(1) 电离辐射剂量 > * krad(Si)。(2) 等效1 MeV中子辐射通量 > * /cm2。(3) 工艺节点<= * 纳米。(研究周期2年；预算金额： * ~ * 万元。对接方式：线下对接报名，对接截止时间 * ，报名联系人：张晓东；联系电话： 点击查看>> 。支持项目数：1~2项)。          课题 * ：主要指标：(1) 给出空间辐射环境下照射前后材料微观结构变化、以及探测器宏观电学性能与探测性能的变化机制；(2) 给出探测材料的辐照损伤和器件老化机理和理论模型，阐明其中的微观物理机制；(3) 给出探测器结构设计的抗辐照优化方案。(研究周期2年；预算金额： * ~ * 万元。对接方式：线下对接报名，对接截止时间 * ，报名联系人：张晓东；联系电话： 点击查看>> 。支持项目数：1~2项)

资格条件

课题 * ：针对硅器件与电路在深空探测领域的应用需求，开展高剂量辐射环境下的硅器件与电路的辐射效应研究工作，主要包括电离辐射效应和位移损伤效应导致的硅器件参数退化、硅器件参数退化的片上偏差、电路的时序参数变化、电路的时序违例以及硅器件与电路在高剂量辐射环境下的考核评价技术研究，为硅器件与电路在深空探测事业中的应用奠定基础。 课题 * ：针对空间辐射探测、空间通信、空间导航等对抗辐射性能强、脉冲响应快、灵敏度高等探测器的需求，开展对碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体探测器的辐照响应和辐照损伤机理的模拟计算和试验研究工作。主要包括空间辐射条件下诱发材料的位错、掺杂、表面态等变化的测试与分析，探测器电学性能和辐射响应特性等的退化评估，探测器结构设计以及材料参数对抗辐射性能的影响，为半导体探测器在深空探测技术中的应用提供重要的理论和技术支撑。