中芯绍兴特种晶圆工艺生产线项目第九批——低压退火设备国际招标澄清或变更公告(2)
中芯绍兴特种晶圆工艺生产线项目第九批——低压退火设备国际招标澄清或变更公告(2)
澄清或变更简要说明:投标截止时间延期到 * 日9: * ,投标地点不变。
(略) (略) ,于 点击查看>> - (略) 。 (略) 方式,现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:中芯集成电路制造( (略) )有限公司计划为中芯 (略) 特种晶圆工艺生产线购买 * 批设备
资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位
(略) 条件的说明:具备了招标条件
2、招标内容
招标项目编号: 点击查看>>
招标项目名称:中芯 (略) 特种晶圆工艺生产线项目第 * 批——低压退火设备
项目实施地点:中国 (略) 省
招标产品列表(主要设备):
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | PDFN 压机 | 1 | 1.合模:合模夹紧方式采用交流伺服马达控制,合模压力为 * t~ * t可调2.引线框架方向识别判断3.料饼自动供给并自动检测4.注胶压力3. * ~ * .0knf,可调 | / |
2 | 真空回流炉 | 1 | ﹡1.INPUT1)自动上料,包含slot magazine上料;2)上料系统自带料盒检测,卡料检测;3)上料机至少可以同时放置4个料盒;4)上料机连接真空回流炉子4个轨道。每 * 个轨道都需要安装 * 个扫码枪,读取框架上的 * 维码,按照料盒放料顺序,逐 * 出料;﹡2.真空回流炉1)加热区: 5个预热区+4个高温区+1个真空区;2) * 个冷却区;3)轨道:采用4通道轨道,链条传输无抖动,速度可调;4)炉温测试仪﹡3.OUTPUT1)自动下料,slot magazine下料;2)下料机按照进料顺序收料,4个轨道中的每 * 个轨道都需要安装 * 个扫码枪,读取框架上的 * 维码,顺序不可以打乱;3)下料系统自带料盒检测,卡料检测;4)下料机至少可以同时放置 * 个料盒.﹡4.设备必须带SECS-GEM通讯 | / |
3 | 低压退火设备 | 1 | 修复表面晶格损伤,均匀性好 | / |
4 | 化学气相沉积 | 1 | 实现片内高均匀性的薄膜沉积(W CVD) | / |
5 | 等离子体多晶硅刻蚀机 | 1 | 1.实现多晶硅刻蚀要求etch rate > * A/min2.主刻蚀比氧化层选择比大于 * 点击查看>> r 与chamber 差异小于5%。 | / |
6 | 氧化刻蚀机 | 1 | 1.实现氧化刻蚀要求etch rate > * A/min2.主刻蚀比氧化层选择比大于 * 点击查看>> r 与chamber 差异小于5%。 | / |
7 | 干法去胶机 | 1 | 1.Strip Rate: * 0+/- * A 点击查看>> Rate Uni :<8%3.WPH> * P/H | / |
8 | 光阻固化低温退火炉 | 1 | 实现光阻固化退火,修复表面晶格损伤,均匀性好 | / |
9 | 晶圆背面刻蚀机 | 1 | 1.实现 * 纳米级别清洗2.使用化学 (略) 刻蚀以达到需要的要求 | / |
* | 晶圆清洗机 | 1 | 1.实现 * 纳米级别清洗2.使用化学 (略) 去除以达到需要的要求 | / |
* | 低应力氮化硅生长炉 | 1 | (略) 低应力氮化硅层的生长,达到厚度及均匀性指标 | / |
* | 高束流离子注入机 | 1 | 实现阳离子 (略) ,达到总剂量,厚度分布及均匀性指标 | / |
* | 贴片机 | 3 | 1.采用Stack loading方式自动上料2.可以满足 * 寸, 8寸Wafer生产3.配置点胶或者点锡膏系统4.配备加热系统5.支持SECS-GEM通讯标准(HSMS)6.配备扫码枪,可以扫条形码, * 维码 | / |
澄清或变更简要说明:投标截止时间延期到 * 日9: * ,投标地点不变。
(略) (略) ,于 点击查看>> - (略) 。 (略) 方式,现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:中芯集成电路制造( (略) )有限公司计划为中芯 (略) 特种晶圆工艺生产线购买 * 批设备
资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位
(略) 条件的说明:具备了招标条件
2、招标内容
招标项目编号: 点击查看>>
招标项目名称:中芯 (略) 特种晶圆工艺生产线项目第 * 批——低压退火设备
项目实施地点:中国 (略) 省
招标产品列表(主要设备):
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | PDFN 压机 | 1 | 1.合模:合模夹紧方式采用交流伺服马达控制,合模压力为 * t~ * t可调2.引线框架方向识别判断3.料饼自动供给并自动检测4.注胶压力3. * ~ * .0knf,可调 | / |
2 | 真空回流炉 | 1 | ﹡1.INPUT1)自动上料,包含slot magazine上料;2)上料系统自带料盒检测,卡料检测;3)上料机至少可以同时放置4个料盒;4)上料机连接真空回流炉子4个轨道。每 * 个轨道都需要安装 * 个扫码枪,读取框架上的 * 维码,按照料盒放料顺序,逐 * 出料;﹡2.真空回流炉1)加热区: 5个预热区+4个高温区+1个真空区;2) * 个冷却区;3)轨道:采用4通道轨道,链条传输无抖动,速度可调;4)炉温测试仪﹡3.OUTPUT1)自动下料,slot magazine下料;2)下料机按照进料顺序收料,4个轨道中的每 * 个轨道都需要安装 * 个扫码枪,读取框架上的 * 维码,顺序不可以打乱;3)下料系统自带料盒检测,卡料检测;4)下料机至少可以同时放置 * 个料盒.﹡4.设备必须带SECS-GEM通讯 | / |
3 | 低压退火设备 | 1 | 修复表面晶格损伤,均匀性好 | / |
4 | 化学气相沉积 | 1 | 实现片内高均匀性的薄膜沉积(W CVD) | / |
5 | 等离子体多晶硅刻蚀机 | 1 | 1.实现多晶硅刻蚀要求etch rate > * A/min2.主刻蚀比氧化层选择比大于 * 点击查看>> r 与chamber 差异小于5%。 | / |
6 | 氧化刻蚀机 | 1 | 1.实现氧化刻蚀要求etch rate > * A/min2.主刻蚀比氧化层选择比大于 * 点击查看>> r 与chamber 差异小于5%。 | / |
7 | 干法去胶机 | 1 | 1.Strip Rate: * 0+/- * A 点击查看>> Rate Uni :<8%3.WPH> * P/H | / |
8 | 光阻固化低温退火炉 | 1 | 实现光阻固化退火,修复表面晶格损伤,均匀性好 | / |
9 | 晶圆背面刻蚀机 | 1 | 1.实现 * 纳米级别清洗2.使用化学 (略) 刻蚀以达到需要的要求 | / |
* | 晶圆清洗机 | 1 | 1.实现 * 纳米级别清洗2.使用化学 (略) 去除以达到需要的要求 | / |
* | 低应力氮化硅生长炉 | 1 | (略) 低应力氮化硅层的生长,达到厚度及均匀性指标 | / |
* | 高束流离子注入机 | 1 | 实现阳离子 (略) ,达到总剂量,厚度分布及均匀性指标 | / |
* | 贴片机 | 3 | 1.采用Stack loading方式自动上料2.可以满足 * 寸, 8寸Wafer生产3.配置点胶或者点锡膏系统4.配备加热系统5.支持SECS-GEM通讯标准(HSMS)6.配备扫码枪,可以扫条形码, * 维码 | / |
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