1.55微米波段InP基单片集成半导体激光器芯片代加工服务延期公告
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1.55微米波段InP基单片集成半导体激光器芯片代加工服务延期公告
| 延期理由： | 因报价情况不满足要求，采购方决定延期 |
| 项目名称 | 1. * 微米波段InP基单片集成半导体激光器芯片代加工服务 | 项目编号 | TYLGJJCG 点击查看>> | ||
| 公告发布日期 | 点击查看>> * : * | 公告截止日期 | 点击查看>> * : * | ||
| 采购单位 | (略) | 付款条款 | 货到验收合格后 * 次性支付全款 | ||
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 | ||
| 是否本地化服务 | 否 | 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||||
| 采购预算 | ￥ * , * . * | ||||
| 送货/施工/服务期限 | 合同生效之日起 * 日内 | ||||
| 送货/施工/服务地址 | (略) 明向校区科技楼 | ||||
| 采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务 | |
| 1. * 微米波段InP基外延片 | 否 | 个 | * | 质保期 * 年 | |
| 参考品牌及型号 | 定制 | ||||
| 技术参数要求 | 服务内容：1、提供2英寸，n型掺杂的InP晶圆；2、 (略) 提出的器件需求，提 (略) ，具体包括外延工艺的确定，以及缓冲层、限制层和量子阱层的外延材料、层厚度、掺杂元素和掺杂浓度；3、根据既定的外延结构，基于InP晶圆，利用金属有机化合物化学气相 (略) 材料外延生长；4、实验前后采用半导体标准清洗工艺 (略) 处理；5、提供以下表征数据：PL谱（包括微区图和mapping图）、XRD测试数据、SIMS测试数据。技术参数：5、提供的产品为包括衬底、缓冲层、限制层和量子阱层的InP基外延片；6、尺寸：2英寸；厚度控制≤±2.5%；厚度均匀性≤±2%； (略) 波长：1. * 微米；PL波长均匀性≤±2 nm。 | ||||
| 采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务 | |
| 单片集成激光器芯片加工技术服务 | 否 | 次 | 6 | 质保期两年 | |
| 参考品牌及型号 | 定制 | ||||
| 技术参数要求 | 服务内容：1、 (略) 提出的器件需求，提供单片集成激光器芯片工 (略) ，具体包括有源＼无源区域集成方案确定和芯片加工工艺流程设计；2、根据既定的工艺流程，提供相应的光刻版；3、根据既定的工艺流程，针对2英寸外延片，进行离子注入、刻蚀、光栅制作、材料 * 次外延生长、电极制作、减薄和退火等半导体工艺实验加工，并提供相应步骤的SEM图像和显微镜照片；4、工艺流程期间提供必要 (略) 理；5、工艺流程结束后提供芯片解理、打线等服务；6、提供器件测试数据：功率-电流曲线，小信号响应曲线，光谱和线宽；7、服务期间可提供工艺线培训；8、服务期间可随时提取样品和测试结果。9、光子集成激光器性能需满足： * 5℃≤ * mA；调制带宽≥ * GHz；工作波长：1. * 微米；输出功率≥5 mW。 | ||||
| 延期理由： | 因报价情况不满足要求，采购方决定延期 |
| 项目名称 | 1. * 微米波段InP基单片集成半导体激光器芯片代加工服务 | 项目编号 | TYLGJJCG 点击查看>> | ||
| 公告发布日期 | 点击查看>> * : * | 公告截止日期 | 点击查看>> * : * | ||
| 采购单位 | (略) | 付款条款 | 货到验收合格后 * 次性支付全款 | ||
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 | ||
| 是否本地化服务 | 否 | 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||||
| 采购预算 | ￥ * , * . * | ||||
| 送货/施工/服务期限 | 合同生效之日起 * 日内 | ||||
| 送货/施工/服务地址 | (略) 明向校区科技楼 | ||||
| 采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务 | |
| 1. * 微米波段InP基外延片 | 否 | 个 | * | 质保期 * 年 | |
| 参考品牌及型号 | 定制 | ||||
| 技术参数要求 | 服务内容：1、提供2英寸，n型掺杂的InP晶圆；2、 (略) 提出的器件需求，提 (略) ，具体包括外延工艺的确定，以及缓冲层、限制层和量子阱层的外延材料、层厚度、掺杂元素和掺杂浓度；3、根据既定的外延结构，基于InP晶圆，利用金属有机化合物化学气相 (略) 材料外延生长；4、实验前后采用半导体标准清洗工艺 (略) 处理；5、提供以下表征数据：PL谱（包括微区图和mapping图）、XRD测试数据、SIMS测试数据。技术参数：5、提供的产品为包括衬底、缓冲层、限制层和量子阱层的InP基外延片；6、尺寸：2英寸；厚度控制≤±2.5%；厚度均匀性≤±2%； (略) 波长：1. * 微米；PL波长均匀性≤±2 nm。 | ||||
| 采购内容 | 是否进口 | 计量单位 | 采购数量 | 售后服务 | |
| 单片集成激光器芯片加工技术服务 | 否 | 次 | 6 | 质保期两年 | |
| 参考品牌及型号 | 定制 | ||||
| 技术参数要求 | 服务内容：1、 (略) 提出的器件需求，提供单片集成激光器芯片工 (略) ，具体包括有源＼无源区域集成方案确定和芯片加工工艺流程设计；2、根据既定的工艺流程，提供相应的光刻版；3、根据既定的工艺流程，针对2英寸外延片，进行离子注入、刻蚀、光栅制作、材料 * 次外延生长、电极制作、减薄和退火等半导体工艺实验加工，并提供相应步骤的SEM图像和显微镜照片；4、工艺流程期间提供必要 (略) 理；5、工艺流程结束后提供芯片解理、打线等服务；6、提供器件测试数据：功率-电流曲线，小信号响应曲线，光谱和线宽；7、服务期间可提供工艺线培训；8、服务期间可随时提取样品和测试结果。9、光子集成激光器性能需满足： * 5℃≤ * mA；调制带宽≥ * GHz；工作波长：1. * 微米；输出功率≥5 mW。 | ||||
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