序号

原磁盘阵列（存储）技术参数

更正磁盘阵列（存储）技术参数

1

产品类型: FC光纤存储

产品类型: FC光纤存储

2

处理器: 单控制器

处 理 器：单控制器。配置≥1颗 (略) 理器

3

内存: 2GB ECC以上

内 存：2GB ECC以上。配置≥8GB ，最大支持扩展 * GB内存

4

★硬盘: * TB*8H系列

★4. 硬 盘： * TB*8H系列。配置≥ * 块SAS * T 3.5 " * GB;扩容最大容量 * TB

5

管理: 存储管理软件

管 理：存储管理软件

6

机构: 3U机架式

网络接口：配置≥1Gb x4 ISCSI主机通道+ (略) 络管理接口×1,光纤接口： * Gb x4 FC光纤通道；扩充接口： * Gb SAS Mini-SAS（SFF- * ）×1

7

电源: * W×3(N+1冗余）

机构: 3U机架式

8

操作系统: 存储软件/系统

电源: * W×3(N+1冗余）

9

存储可实现:

在线容量扩充;

数据预先迁移(PDM);

磁盘阵列等级转移;

磁盘漫游;

SSH/SSL安全管理;

(略) 络时间协议;

效能监控;

WEB远程管理套件

操作系统: 存储软件/系统

*

/

存储可实现:

透过 PCIe Gen3 的高级快取镜像，LUN 遮罩和映射，非对称 LUN 单元存取（ALUA）PerfectFlash - 非中断式软件更 新，I/O 效能和电源监控工具，USB 服务纪录，资料服务：精简配置、快照和复制。预测式资料转移（PDM），智慧坏磁区重新对应，SMART (略) 理，NVRAM 错误记录，磁盘插槽电源控制；预测式资料转移（PDM）；OPAS(One Plug Auto Service )；NAS/SAN * 体式存储智慧坏磁区重新对应 SMART (略) 理 NVRAM 错误记录；磁盘插槽电源控制

序号

原磁盘阵列（存储）技术参数

更正磁盘阵列（存储）技术参数

1

产品类型: FC光纤存储

产品类型: FC光纤存储

2

处理器: 单控制器

处 理 器：单控制器。配置≥1颗 (略) 理器

3

内存: 2GB ECC以上

内 存：2GB ECC以上。配置≥8GB ，最大支持扩展 * GB内存

4

★硬盘: * TB*8H系列

★4. 硬 盘： * TB*8H系列。配置≥ * 块SAS * T 3.5 " * GB;扩容最大容量 * TB

5

管理: 存储管理软件

管 理：存储管理软件

6

机构: 3U机架式

网络接口：配置≥1Gb x4 ISCSI主机通道+ (略) 络管理接口×1,光纤接口： * Gb x4 FC光纤通道；扩充接口： * Gb SAS Mini-SAS（SFF- * ）×1

7

电源: * W×3(N+1冗余）

机构: 3U机架式

8

操作系统: 存储软件/系统

电源: * W×3(N+1冗余）

9

存储可实现:

在线容量扩充;

数据预先迁移(PDM);

磁盘阵列等级转移;

磁盘漫游;

SSH/SSL安全管理;

(略) 络时间协议;

效能监控;

WEB远程管理套件

操作系统: 存储软件/系统

*

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存储可实现:

透过 PCIe Gen3 的高级快取镜像，LUN 遮罩和映射，非对称 LUN 单元存取（ALUA）PerfectFlash - 非中断式软件更 新，I/O 效能和电源监控工具，USB 服务纪录，资料服务：精简配置、快照和复制。预测式资料转移（PDM），智慧坏磁区重新对应，SMART (略) 理，NVRAM 错误记录，磁盘插槽电源控制；预测式资料转移（PDM）；OPAS(One Plug Auto Service )；NAS/SAN * 体式存储智慧坏磁区重新对应 SMART (略) 理 NVRAM 错误记录；磁盘插槽电源控制