磷化铟与硅晶圆键合的工艺开发招标变更
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磷化铟与硅晶圆键合的工艺开发招标变更
| 延期理由： | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : * | ||
|---|---|---|---|
| 项目名称 | 用于磷化铟与硅晶圆键合的工艺开发 | 项目编号 | ZJLAB-FS-BX 点击查看>> |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 点击查看>> * : * : * | 公示截止日期 | 点击查看>> * : * : * |
| 采购单位 | 之江实验室 | 付款方式 | 确认研发计划后 * %付款 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后7个工作日内 | 到货时间要求 | |
| 预算 | ￥ * , * | ||
| 收货地址 | |||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件 | ||
| 公告说明 | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : * | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| InP和Si晶圆键合工艺 | 1 | 项 | 其他工程和技术的研究与试验开发服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ * , * | ||
| 技术参数 | 1.实现InP芯片与硅基底的键合：键合表面可使用PECVD等工艺生长 * 氧化硅薄膜作为键合介质层； 2.用于键合的InP芯片尺寸不得超过9mm×9mm； 3.培训 * 名之江实验室工程师，使其可独立完成上述键合工艺； | ||
| 售后服务 | 提供项目相关 (略) 服务; | ||
之江实验室
点击查看>> * : * : *
| 延期理由： | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : * | ||
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| 项目名称 | 用于磷化铟与硅晶圆键合的工艺开发 | 项目编号 | ZJLAB-FS-BX 点击查看>> |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 点击查看>> * : * : * | 公示截止日期 | 点击查看>> * : * : * |
| 采购单位 | 之江实验室 | 付款方式 | 确认研发计划后 * %付款 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后7个工作日内 | 到货时间要求 | |
| 预算 | ￥ * , * | ||
| 收货地址 | |||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件 | ||
| 公告说明 | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : * | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| InP和Si晶圆键合工艺 | 1 | 项 | 其他工程和技术的研究与试验开发服务 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | |||
| 预算 | ￥ * , * | ||
| 技术参数 | 1.实现InP芯片与硅基底的键合：键合表面可使用PECVD等工艺生长 * 氧化硅薄膜作为键合介质层； 2.用于键合的InP芯片尺寸不得超过9mm×9mm； 3.培训 * 名之江实验室工程师，使其可独立完成上述键合工艺； | ||
| 售后服务 | 提供项目相关 (略) 服务; | ||
之江实验室
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