半导体蒸镀仪招标变更

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半导体蒸镀仪招标变更



半导体蒸镀仪（JJ 点击查看>> ）延期公告
发布时间： 点击查看>> * : * : * 阅读量：2次
延期信息
延期理由：由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : *

项目名称半导体蒸镀仪项目编号JJ 点击查看>>
公告开始日期 点击查看>> * : * : * 公告截止日期 点击查看>> * : * : *
采购单位 (略) 付款方式合同签定生效后，预付合同总额的 * %；货物到达需方指定地点并安装验收合格，双方签字确认后， * 个工作日内支付合同总额的 * %余款。
联系人中标后在我参与的项目中查看联系电话中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求到货时间要求合同签定生效后3个工作日内
预算总价未公布
收货地址 (略) * 里台校区
供应商资质要求

符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件

公告说明由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : *

采购清单1
采购商品采购数量计量单位所属分类
半导体蒸镀仪1台无

品牌 (略) (略)
型号KC-ZD *
技术参数及配置要求 * 、设备性能：
镀膜设备以蒸发源为主体，适用于实验室制备金属单质、氧化物等，也可用作教学及生产线前期工艺试验等，整套设备操作简便，综合功能多，扩展空间大，适合 (略) 校的教学与科研工作。
* 、设备基本结构：
镀膜设备由真空室腔体，蒸发源系统，样品台系统，真空泵机组，膜厚检测系统，设备机架和电控系统组成，采用 * 体化的设计方案，整套设备结构紧凑、布局简洁，避免实验设备外观凌乱的现象。
* 、设备技术指标：
1、真空室腔体：1套
1) 外形：优质 * 不锈钢D形前后开门真空室腔体1套，内部尺寸长D * *高 * mm，前门采用横拉方门可与手套箱连接，后门采用铰链式方门，方便清洗真空腔体， (略) 调试，维修以及取放物品，门配DN * 视窗1套；
2) 底部：蒸发源接口2套，Hipace * 分子泵接口1套以及美国MCVAC水冷膜厚探头接口1套, CF * 照明接口2套；
3) 顶部：样品台接口1套，气动挡板接口1套；
4) 侧壁：JCDQ-J * B-CF超高真空气动挡板阀接口1套，GDQ-J * B-KF高真空气动挡板阀接口1套；
5) 腔体漏率：整体漏率优于5× * - * Pa.m3/S，保压 * 小时，压强小于5 Pa。
2、蒸发源系统：1套
1) 蒸发源2套：水冷铜电极2组，兼容蒸发舟（钨、钼，钽舟）和螺旋丝，可蒸镀金属和氧化物等，采用气缸挡板，翻盖开关，1KW直流电源2台，数字显示，蒸发电源可以通过软件控制，也可以手动控制；
2) 隔板：蒸发源采用隔板分隔，避免交叉污染，部分隔板可免工具拆卸。
3、样品台系统：1套
1) 基片旋转：采用磁流体密封，保证密封可靠性，转速5～ * 转／分，通过触摸屏控制连续可调；
2) 基片升降：衬底与蒸发源间距 点击查看>> mm，电动升降，通过触摸屏控制连续可调；
3) 基片挂架：采用冷水机接入水冷盘， * * * mm插入式样品托架，可承载 * * * mm基片1片；
4) 基片挡板：采用磁流体密封，在基片旋转的任意角度均可挡住或打开，通过软件控制，旋转开关，速度平稳。
4、真空泵机组：1套
1) DDC-JQ * -KF真空电磁充气阀1台；
2) KF * 泵阀连接软管1套；
3) GDQ-J * B-KF高真空气动挡板阀1台；
4) Hipace * 分子泵1台；
5) CCQ- * CF气动超高真空插板阀1台；
6) CDQ-J * B-CF超高真空气动挡板阀1台；
7) GDQ-J * B-KF高真空气动挡板阀1台；
8) ZDF- * 数显真空计1台（测量范围：1× * ～1× * -5Pa）。
5、膜厚检测系统：1套
1) 膜厚仪：采用美国英福康SQM * C石英晶振膜厚监控仪1台，模式：顺序镀膜；
2) 膜厚探头：美国MCVAC进口水冷膜厚探头1套，6MHz，采用快速卡扣式结构更换晶振片，避免用螺纹压紧式结构损坏晶振片，采用胶圈锁紧密封结构。
6、设备机架：1套
1) * 碳钢方管焊接机架1套，表面喷塑；
2) 3英寸万向轮4件，移动调整；
3) M * 地脚4件，锁紧定位。
7、其他电控系统：1套（电气控制采用设备机架内置）
1) 烘烤照明电源：1台；
2) 总控制电源1台，配 * 英寸触摸屏，PLC控制器，样品台及挡板控制器，蒸发源挡板控制器，泵阀开关、相序检测，以及电缆开关接头等。
8、其他技术参数：
1) 缺相保护、误操作保护，联动互锁以及 * 键真空启停等功能；
2) 供电：～ * V两相供电系统（峰值3KW）；
3) 供水：小型循环制冷水机，冷却水温度5℃～ * ℃，工作环境温度： * ℃～ * ℃；
4) 供气：小型无油静音气泵，提供0.2-0.3MPa气压，驱动气动阀门；
5) 极限真空：优于3× * -5Pa，大气至6× * -4Pa时间小于 * 分，充干燥氮气。
* 、技术服务及质量保证
1) 按ISO * 质量管理体系组织设计、加工、装调、检验、包装、运输；
2) 提供该设备的技术使用说明书及外购配件仪器仪表说明书；
3) (略) 验收后， * 年内免费维修正常使用出现的故障，非正常的故障维修支核收工本费及差旅费，终身维修支核收工本费及差旅费。
* 、现场安装具备的条件
1) 电源 * V * Hz 功率大于5KW，波动范围：小于±6％，配置多路接线插座；
2) 可靠地线, 对地电阻小于2Ω；
3) (略) 地面积大于2.5M2,高度要求高于2.4M；
4) (略) 地的标准温度为 * ℃～ * ℃，标准相对湿度为 * %～ * %；
5) 要求有普通氮气，压强要在2～3个大气压之间；
6) 外排废气管道。
* 、培训
1) 培训时间：2～3天；培训人数：2～3人
2) 培训内容及要求：
a) 了解设备的工作原理、 (略) 组件、控制系统的工作原理和使用方法，熟练掌握整套系统的操作规程；
b) 能够对设备的 (略) 诊断和简单维修，进行易损件的更换；
对 (略) 日常的维护和保养
售后服务按 (略) 业要求提供售后服务。

(略)

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发布时间： 点击查看>> * : * : * 阅读量：2次
延期信息
延期理由：由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : *

项目名称半导体蒸镀仪项目编号JJ 点击查看>>
公告开始日期 点击查看>> * : * : * 公告截止日期 点击查看>> * : * : *
采购单位 (略) 付款方式合同签定生效后，预付合同总额的 * %；货物到达需方指定地点并安装验收合格，双方签字确认后， * 个工作日内支付合同总额的 * %余款。
联系人中标后在我参与的项目中查看联系电话中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求到货时间要求合同签定生效后3个工作日内
预算总价未公布
收货地址 (略) * 里台校区
供应商资质要求

符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件

公告说明由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至 点击查看>> * : *

采购清单1
采购商品采购数量计量单位所属分类
半导体蒸镀仪1台无

品牌 (略) (略)
型号KC-ZD *
技术参数及配置要求 * 、设备性能：
镀膜设备以蒸发源为主体，适用于实验室制备金属单质、氧化物等，也可用作教学及生产线前期工艺试验等，整套设备操作简便，综合功能多，扩展空间大，适合 (略) 校的教学与科研工作。
* 、设备基本结构：
镀膜设备由真空室腔体，蒸发源系统，样品台系统，真空泵机组，膜厚检测系统，设备机架和电控系统组成，采用 * 体化的设计方案，整套设备结构紧凑、布局简洁，避免实验设备外观凌乱的现象。
* 、设备技术指标：
1、真空室腔体：1套
1) 外形：优质 * 不锈钢D形前后开门真空室腔体1套，内部尺寸长D * *高 * mm，前门采用横拉方门可与手套箱连接，后门采用铰链式方门，方便清洗真空腔体， (略) 调试，维修以及取放物品，门配DN * 视窗1套；
2) 底部：蒸发源接口2套，Hipace * 分子泵接口1套以及美国MCVAC水冷膜厚探头接口1套, CF * 照明接口2套；
3) 顶部：样品台接口1套，气动挡板接口1套；
4) 侧壁：JCDQ-J * B-CF超高真空气动挡板阀接口1套，GDQ-J * B-KF高真空气动挡板阀接口1套；
5) 腔体漏率：整体漏率优于5× * - * Pa.m3/S，保压 * 小时，压强小于5 Pa。
2、蒸发源系统：1套
1) 蒸发源2套：水冷铜电极2组，兼容蒸发舟（钨、钼，钽舟）和螺旋丝，可蒸镀金属和氧化物等，采用气缸挡板，翻盖开关，1KW直流电源2台，数字显示，蒸发电源可以通过软件控制，也可以手动控制；
2) 隔板：蒸发源采用隔板分隔，避免交叉污染，部分隔板可免工具拆卸。
3、样品台系统：1套
1) 基片旋转：采用磁流体密封，保证密封可靠性，转速5～ * 转／分，通过触摸屏控制连续可调；
2) 基片升降：衬底与蒸发源间距 点击查看>> mm，电动升降，通过触摸屏控制连续可调；
3) 基片挂架：采用冷水机接入水冷盘， * * * mm插入式样品托架，可承载 * * * mm基片1片；
4) 基片挡板：采用磁流体密封，在基片旋转的任意角度均可挡住或打开，通过软件控制，旋转开关，速度平稳。
4、真空泵机组：1套
1) DDC-JQ * -KF真空电磁充气阀1台；
2) KF * 泵阀连接软管1套；
3) GDQ-J * B-KF高真空气动挡板阀1台；
4) Hipace * 分子泵1台；
5) CCQ- * CF气动超高真空插板阀1台；
6) CDQ-J * B-CF超高真空气动挡板阀1台；
7) GDQ-J * B-KF高真空气动挡板阀1台；
8) ZDF- * 数显真空计1台（测量范围：1× * ～1× * -5Pa）。
5、膜厚检测系统：1套
1) 膜厚仪：采用美国英福康SQM * C石英晶振膜厚监控仪1台，模式：顺序镀膜；
2) 膜厚探头：美国MCVAC进口水冷膜厚探头1套，6MHz，采用快速卡扣式结构更换晶振片，避免用螺纹压紧式结构损坏晶振片，采用胶圈锁紧密封结构。
6、设备机架：1套
1) * 碳钢方管焊接机架1套，表面喷塑；
2) 3英寸万向轮4件，移动调整；
3) M * 地脚4件，锁紧定位。
7、其他电控系统：1套（电气控制采用设备机架内置）
1) 烘烤照明电源：1台；
2) 总控制电源1台，配 * 英寸触摸屏，PLC控制器，样品台及挡板控制器，蒸发源挡板控制器，泵阀开关、相序检测，以及电缆开关接头等。
8、其他技术参数：
1) 缺相保护、误操作保护，联动互锁以及 * 键真空启停等功能；
2) 供电：～ * V两相供电系统（峰值3KW）；
3) 供水：小型循环制冷水机，冷却水温度5℃～ * ℃，工作环境温度： * ℃～ * ℃；
4) 供气：小型无油静音气泵，提供0.2-0.3MPa气压，驱动气动阀门；
5) 极限真空：优于3× * -5Pa，大气至6× * -4Pa时间小于 * 分，充干燥氮气。
* 、技术服务及质量保证
1) 按ISO * 质量管理体系组织设计、加工、装调、检验、包装、运输；
2) 提供该设备的技术使用说明书及外购配件仪器仪表说明书；
3) (略) 验收后， * 年内免费维修正常使用出现的故障，非正常的故障维修支核收工本费及差旅费，终身维修支核收工本费及差旅费。
* 、现场安装具备的条件
1) 电源 * V * Hz 功率大于5KW，波动范围：小于±6％，配置多路接线插座；
2) 可靠地线, 对地电阻小于2Ω；
3) (略) 地面积大于2.5M2,高度要求高于2.4M；
4) (略) 地的标准温度为 * ℃～ * ℃，标准相对湿度为 * %～ * %；
5) 要求有普通氮气，压强要在2～3个大气压之间；
6) 外排废气管道。
* 、培训
1) 培训时间：2～3天；培训人数：2～3人
2) 培训内容及要求：
a) 了解设备的工作原理、 (略) 组件、控制系统的工作原理和使用方法，熟练掌握整套系统的操作规程；
b) 能够对设备的 (略) 诊断和简单维修，进行易损件的更换；
对 (略) 日常的维护和保养
售后服务按 (略) 业要求提供售后服务。

(略)

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