微纳测试加工(XF-WSBX-2100539)延期公告
微纳测试加工(XF-WSBX-2100539)延期公告
项目名称 | 微纳测试加工 | 项目编号 | XF-WSBX- 点击查看>> |
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公告开始日期 | 点击查看>> | 公告截止日期 | 点击查看>> |
采购单位 | (略) | 付款方式 | 货到付款(人民币报价的, * 方在完成验收并获取 * 方支付凭证后 * 日内向 * 方 * 次性支付本项目的总款项。 需由 * 方办理进口减免税业务的,只接受外币报价,汇率风险如无约定由 * 方承担,境内 (略) 有费用由 * 方承担(包括可能加增的关税)。在 * 方完成到货验收后 * 日内由 * (略) (略) * 次性支付外 (略) 款项。也可采用 * 方交5% (略) (略) * %款项)。 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后7天 | 到货时间要求 | 无 |
预 算 | 点击查看>> .0 | ||
收货地址 | 无 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
---|---|---|---|
微纳测试加工 | 1 | 项 | (略) 业 |
品牌 | 无 |
---|---|
型号 | 无 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | 点击查看>> .0 |
技术参数及配置要求 | 1、MA6制作光刻胶掩膜 * 小时2、NIKON-I * 步进光刻机制作高精度光刻胶掩膜 * 小时3、电子束光刻机高精度精细结构制作 * 小时4、冷场发射扫描电镜观察器件精细形貌 * 小时5、等离子去胶机芯片表面清洁 * 小时6、PECVD薄膜生长 * 小时7、NLD * 刻蚀特定材料 * 小时8、金属干法金属刻蚀 * 小时9、磁控溅射金属薄膜生长 * 小时 * 、电子束蒸发(Cr、Al、Ni等) (略) 分金属 * 小时 * 、电子束蒸发(Au及合金)生长金及其合金 * 小时 * 、划片机得到特定尺寸芯片 * 小时 * 、超净间使用费小设备、超净间使用费 * 小时 |
售后服务 | 无; |
项目名称 | 微纳测试加工 | 项目编号 | XF-WSBX- 点击查看>> |
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公告开始日期 | 点击查看>> | 公告截止日期 | 点击查看>> |
采购单位 | (略) | 付款方式 | 货到付款(人民币报价的, * 方在完成验收并获取 * 方支付凭证后 * 日内向 * 方 * 次性支付本项目的总款项。 需由 * 方办理进口减免税业务的,只接受外币报价,汇率风险如无约定由 * 方承担,境内 (略) 有费用由 * 方承担(包括可能加增的关税)。在 * 方完成到货验收后 * 日内由 * (略) (略) * 次性支付外 (略) 款项。也可采用 * 方交5% (略) (略) * %款项)。 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后7天 | 到货时间要求 | 无 |
预 算 | 点击查看>> .0 | ||
收货地址 | 无 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第 * 十 * 条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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微纳测试加工 | 1 | 项 | (略) 业 |
品牌 | 无 |
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型号 | 无 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | 点击查看>> .0 |
技术参数及配置要求 | 1、MA6制作光刻胶掩膜 * 小时2、NIKON-I * 步进光刻机制作高精度光刻胶掩膜 * 小时3、电子束光刻机高精度精细结构制作 * 小时4、冷场发射扫描电镜观察器件精细形貌 * 小时5、等离子去胶机芯片表面清洁 * 小时6、PECVD薄膜生长 * 小时7、NLD * 刻蚀特定材料 * 小时8、金属干法金属刻蚀 * 小时9、磁控溅射金属薄膜生长 * 小时 * 、电子束蒸发(Cr、Al、Ni等) (略) 分金属 * 小时 * 、电子束蒸发(Au及合金)生长金及其合金 * 小时 * 、划片机得到特定尺寸芯片 * 小时 * 、超净间使用费小设备、超净间使用费 * 小时 |
售后服务 | 无; |
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