关于南方科技大学前沿与交叉研究院极端样品环境平台-低温超导磁体测试仪（9T）采购项目（重新招标）的更正公告
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关于南方科技大学前沿与交叉研究院极端样品环境平台-低温超导磁体测试仪（9T）采购项目（重新招标）的更正公告
原内容 | 现更正内容 |
(略) 系统（1.1-1. * ） ▲1.1用于中子散射实验分立线圈对超导 (略) 强度：9T； | (略) 系统（1.1-1. * ） ▲1.1用于中子散射实验分立线圈对超导 (略) 强度：9T；其中支撑分裂对磁体的骨架，必须经过有限元分析验证强度的设计在安全范围内，并出示分析报告，其中包含设计中预估的受力、变形大小，含有限元分析报告，并出具工程师对于结构是否安全的结论，原件备查。 |
▲1.2 磁场均匀性：在直径 * mm*高度 * mm (略) 强度的变化不超过总强度的1%； | ▲1.2 磁场均匀性：在直径 * mm*高度 * mm (略) 强度的变化不超过总强度的1%。并请出 (略) 分布， * Guass轴向半径<1.8m，径向半径<1.5m.并请出示实际设计分析软 (略) 分布图，包含 * Gauss， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass 。 |
▲1.9 散射中子通过路径中Al的厚度不超过5.5mm； | ▲1.9 散射中子通过路径中Al的厚度不超过5.5mm，列出散射中子通道上每 * 层铝的厚度（注意，该厚度不是中子直射进入和出射的通道）； |
1. * 样品环境：静态氦气； | ▲1. * 样品环境：静态氦气，并提供证明样品在静态氦气中的产品彩页，原件备查； |
1. * 磁体电源具有防失超保护功能； | ▲1. * 磁体电源具有防失超保护功能，且具有温度互锁功能（如果磁体温度高，不允许励磁）；为保证安全性，磁体和电源须为同 * 品牌，电源不接受贴牌产品（用第 * 方电源贴牌），需提供专用电源的详细说明书，并提供产品彩页及实物照片，原件备查； |
低温制冷功能单元（1. * -1. * ） 1. * 水冷式压缩机1台：氦气管线长度不小于 * 米； | 低温制冷功能单元（1. * -1. * ） 1. * 水冷式压缩机1台：氦气管线长度不小于 * 米； |
原内容 | 现更正内容 |
1. * 冷却VTI的氦气循环为闭路循环，不接触样品； | ▲1. * 冷却VTI的氦气循环为闭路循环，不接触样品，并提供设 (略) 说明和产品彩页，原件备查； |
1. * 控温仪可通过压力、加热器PID回路控制变温样品杆的温度； | ▲1. * 控温仪可通过压力、加热器PID回路控制变温样品杆的温度，为保证安全性，控温仪和磁体为同 * 品牌，不接受贴牌产品，需提供详细的温控仪说明书，并提供产品彩页及实物照片，原件备查； |
▲ 1. * (略) 装样的方式， (略) 于静态低温的氦气环境中，需提供产品彩页，原件备查。 | |
▲1. * 为保证系统的稳定性和测试的准确性，低温系统与磁体必须为 * 体化设计，不接受两套独立系统拼凑，需提供产品彩页，原件备查。 | |
/ | ▲1. * 由于本系统未来将升级稀释制冷机插件，请提供配套稀释制冷机极低温插件的方案和价格，并且稀释制冷机最低温度：<= * mK，并在此套系统预留接口用于下 * 步升级。（投标人需提供稀释制冷机的图纸与产品彩页等相关资料，原件备查） |
/ | ▲1. * 提供配套He3极低温插件的方案，并在此套系统预留接口用于下 * 步升级。（投标人需提供He3极低温插件的图纸与产品彩页等详细资料，原件备查） He3插杆的最低温度：<= * mK |
/ | 1. * 变温 (略) 材料为钒，且在中子区域厚度不超过1.0 mm |
原内容 | 现更正内容 | ||||
评分项目 | 权重 | 评分准则 | 评分项目 | 权重 | 评分准则 |
近 * 年销售业绩 | 3 | 近 * 年（以投标截止日期为准，前推3年）每提供 * 个相关业绩，得1分，满分3分。销售业绩指与投标产品相同品牌相同类型的产品。 非单 * 产品采购项目，以核心产品销售业绩为准。 提供合同扫描件，并加盖公章，原件备查。 评分中出现无证明资料或 (略) 提供资料判断是否得分的情况， * (略) 理。 | 近 * 年销售业绩 | 3 | 近 * 年（以投标截止日期为准，前推5年）每提供 * 个相关业绩，得1分，满分3分。近 * 年成功完成安装的系统的案例，销售业绩指与投标产品相同品牌相同类型的产品（必须为中子散射应用领域，分裂时磁体， (略) 不小于9T且已成功交付完成的案例）。 非单 * 产品采购项目，以核心产品销售业绩为准。 提供合同扫描件，并加盖公章，原件备查。 评分中出现无证明资料或 (略) 提供资料判断是否得分的情况， * (略) 理。 |
产品的综合性能 | * | 满分 * 分，所有标注“▲”的重要参数每项负偏离扣4分， * 般参数每项负偏离扣1分，正偏离不加分，扣完为止。 | 产品的综合性能 | * | 满分 * 分，所有标注“▲”的重要参数每项负偏离扣7分， * 般参数每项负偏离扣2分，正偏离不加分，扣完为止。 |
原内容 | 现更正内容 |
(略) 系统（1.1-1. * ） ▲1.1用于中子散射实验分立线圈对超导 (略) 强度：9T； | (略) 系统（1.1-1. * ） ▲1.1用于中子散射实验分立线圈对超导 (略) 强度：9T；其中支撑分裂对磁体的骨架，必须经过有限元分析验证强度的设计在安全范围内，并出示分析报告，其中包含设计中预估的受力、变形大小，含有限元分析报告，并出具工程师对于结构是否安全的结论，原件备查。 |
▲1.2 磁场均匀性：在直径 * mm*高度 * mm (略) 强度的变化不超过总强度的1%； | ▲1.2 磁场均匀性：在直径 * mm*高度 * mm (略) 强度的变化不超过总强度的1%。并请出 (略) 分布， * Guass轴向半径<1.8m，径向半径<1.5m.并请出示实际设计分析软 (略) 分布图，包含 * Gauss， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass， * Guass 。 |
▲1.9 散射中子通过路径中Al的厚度不超过5.5mm； | ▲1.9 散射中子通过路径中Al的厚度不超过5.5mm，列出散射中子通道上每 * 层铝的厚度（注意，该厚度不是中子直射进入和出射的通道）； |
1. * 样品环境：静态氦气； | ▲1. * 样品环境：静态氦气，并提供证明样品在静态氦气中的产品彩页，原件备查； |
1. * 磁体电源具有防失超保护功能； | ▲1. * 磁体电源具有防失超保护功能，且具有温度互锁功能（如果磁体温度高，不允许励磁）；为保证安全性，磁体和电源须为同 * 品牌，电源不接受贴牌产品（用第 * 方电源贴牌），需提供专用电源的详细说明书，并提供产品彩页及实物照片，原件备查； |
低温制冷功能单元（1. * -1. * ） 1. * 水冷式压缩机1台：氦气管线长度不小于 * 米； | 低温制冷功能单元（1. * -1. * ） 1. * 水冷式压缩机1台：氦气管线长度不小于 * 米； |
原内容 | 现更正内容 |
1. * 冷却VTI的氦气循环为闭路循环，不接触样品； | ▲1. * 冷却VTI的氦气循环为闭路循环，不接触样品，并提供设 (略) 说明和产品彩页，原件备查； |
1. * 控温仪可通过压力、加热器PID回路控制变温样品杆的温度； | ▲1. * 控温仪可通过压力、加热器PID回路控制变温样品杆的温度，为保证安全性，控温仪和磁体为同 * 品牌，不接受贴牌产品，需提供详细的温控仪说明书，并提供产品彩页及实物照片，原件备查； |
▲ 1. * (略) 装样的方式， (略) 于静态低温的氦气环境中，需提供产品彩页，原件备查。 | |
▲1. * 为保证系统的稳定性和测试的准确性，低温系统与磁体必须为 * 体化设计，不接受两套独立系统拼凑，需提供产品彩页，原件备查。 | |
/ | ▲1. * 由于本系统未来将升级稀释制冷机插件，请提供配套稀释制冷机极低温插件的方案和价格，并且稀释制冷机最低温度：<= * mK，并在此套系统预留接口用于下 * 步升级。（投标人需提供稀释制冷机的图纸与产品彩页等相关资料，原件备查） |
/ | ▲1. * 提供配套He3极低温插件的方案，并在此套系统预留接口用于下 * 步升级。（投标人需提供He3极低温插件的图纸与产品彩页等详细资料，原件备查） He3插杆的最低温度：<= * mK |
/ | 1. * 变温 (略) 材料为钒，且在中子区域厚度不超过1.0 mm |
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评分项目 | 权重 | 评分准则 | 评分项目 | 权重 | 评分准则 |
近 * 年销售业绩 | 3 | 近 * 年（以投标截止日期为准，前推3年）每提供 * 个相关业绩，得1分，满分3分。销售业绩指与投标产品相同品牌相同类型的产品。 非单 * 产品采购项目，以核心产品销售业绩为准。 提供合同扫描件，并加盖公章，原件备查。 评分中出现无证明资料或 (略) 提供资料判断是否得分的情况， * (略) 理。 | 近 * 年销售业绩 | 3 | 近 * 年（以投标截止日期为准，前推5年）每提供 * 个相关业绩，得1分，满分3分。近 * 年成功完成安装的系统的案例，销售业绩指与投标产品相同品牌相同类型的产品（必须为中子散射应用领域，分裂时磁体， (略) 不小于9T且已成功交付完成的案例）。 非单 * 产品采购项目，以核心产品销售业绩为准。 提供合同扫描件，并加盖公章，原件备查。 评分中出现无证明资料或 (略) 提供资料判断是否得分的情况， * (略) 理。 |
产品的综合性能 | * | 满分 * 分，所有标注“▲”的重要参数每项负偏离扣4分， * 般参数每项负偏离扣1分，正偏离不加分，扣完为止。 | 产品的综合性能 | * | 满分 * 分，所有标注“▲”的重要参数每项负偏离扣7分， * 般参数每项负偏离扣2分，正偏离不加分，扣完为止。 |
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