上海交通大学磁控溅射式原子层沉积系统国际招标澄清或变更公告(1)-0773-2241SHHW0017
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序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 磁控溅射式原子层沉积系统 | 1套 | ★2.1圆柱体304 S/S不锈钢超高真空圆柱形主反应腔室,主腔室尺寸≤400 mm高×360 mm直径,底部采用金属密封,极限真空压强≤5×10E-8 Torr;工艺腔体内样品台可在氧气环境下加热,最高加热温度在850 ℃以上,PID温控精度≤±1 ℃;镀膜均匀性:直径100 mm硅片镀制SiO2或TiN薄膜,薄膜不均匀性≤±2.5%(去掉5 mm边缘),均匀性计算公式:±均匀性=((最大–最小)/(2×平均))×100%。薄膜重复性:同样镀膜工艺重复率偏差≤±2.5% 。其余详见“第八章货物需求一览表及技术规格”。 | 预算金额:人民币 点击查看>> 万元。最高限价:人民币 点击查看>> 万元。(最高限价包含设备交货使用前的一切相关费用,投标单位的投标报价须充分考虑包括设备本身费用、税费以及相伴随的外贸进口等费用)交货期:签订合同并收到信用证后7个月内。交货地点: (略) 用户指定地点 |
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 磁控溅射式原子层沉积系统 | 1套 | ★2.1圆柱体304 S/S不锈钢超高真空圆柱形主反应腔室,主腔室尺寸≤400 mm高×360 mm直径,底部采用金属密封,极限真空压强≤5×10E-8 Torr;工艺腔体内样品台可在氧气环境下加热,最高加热温度在850 ℃以上,PID温控精度≤±1 ℃;镀膜均匀性:直径100 mm硅片镀制SiO2或TiN薄膜,薄膜不均匀性≤±2.5%(去掉5 mm边缘),均匀性计算公式:±均匀性=((最大–最小)/(2×平均))×100%。薄膜重复性:同样镀膜工艺重复率偏差≤±2.5% 。其余详见“第八章货物需求一览表及技术规格”。 | 预算金额:人民币 点击查看>> 万元。最高限价:人民币 点击查看>> 万元。(最高限价包含设备交货使用前的一切相关费用,投标单位的投标报价须充分考虑包括设备本身费用、税费以及相伴随的外贸进口等费用)交货期:签订合同并收到信用证后7个月内。交货地点: (略) 用户指定地点 |
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