中国工程物理研究院应用电子学研究所离子注入机【第2次】采购项目更正公告
中国工程物理研究院应用电子学研究所离子注入机【第2次】采购项目更正公告
一、项目基本情况
原公告的采购项目编号:0410YB*(2022-667)
原公告的采购项目名称:离子注入机【第2次】
首次公告日期:2023年03月03日
二、更正信息
更正事项:采购公告、采购文件
更正内容:
序号 | 原采购公告、采购文件内容 | 更正后的采购公告、采购文件内容 | |
1 | 采购公告及第一章磋商邀请四、响应文件提交截止时间: 2023年03月20日 09:00:00(北京时间) | 采购公告及第一章磋商邀请四、响应文件提交截止时间: 2023年03月27日 09:00:00(北京时间) | |
2 | 采购公告及第一章磋商邀请五、开启时间: 2023年03月20日 09:00:00(北京时间) | 采购公告及第一章磋商邀请五、开启时间: 2023年03月27日 09:00:00(北京时间) | |
3 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求.(4.1.3)条及第七章合同草案条款第七项第4.(4.1.3)条: 4.1.3 *方代表参与交货前检验及签署交货前检验记录的行为,不视为对合同货物质量的确认,不影响*方交货后*方依照合同约定对合同货物提出质量异议和(或)退货的权利,也不免除*方依照合同约定对合同货物所应承担的任何义务或责任。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求.(4.1.3)条及第七章合同草案条款第七项第4.(4.1.3)条: 4.1.3预验收阶段,*方需要在*方的见证下对设备H+离子注入能力进行验证,验证方法为:首先检查气路是否配备了H2气源,然后引出H+离子,确定H+粒子的质量数。记录束流大小 mA以及H+粒子质量数,并出具相应验证报告,验证报告作为终验收报告的组成部分。 | |
4 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备可注入H、He离子 测试方法:使首先检查工艺气路是否配备了H2、He、BF3、Ar气体源,然后分别引出这些元素离子,确定各种粒子的质量数; 测试结果:B+ 束流为mA,质量数: H+束流为mA,质量数: He+束流为mA,质量数: | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备可注入He离子 测试方法:使首先检查工艺气路是否配备了He气体源,然后引出He元素离子,确定He+粒子的质量数; 测试结果: He+束流为mA,质量数: | |
5 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量>400keV 能量为>400keV,引出的H+束流进行试验,稳定工作30分钟,试验过程中出现的打火故障以不中断引束流为准; 测试结果:。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量>400keV 能量为>400keV,引出的He+束流进行试验,稳定工作30分钟,试验过程中出现的打火故障以不中断引束流为准; 测试结果:。 | |
6 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 注入均匀性优于1% 测试方法:6"圆片、N型,111晶向,氧化层200?,硅片电阻率≥3kΩ·cm; 注入参数:注入元素为B+,能量为100keV,剂量1.75E14ions/cm2,注入角度为7°,取同批注入中相同工艺参数的任意1片硅片利用高温退火炉退火,退火后用四探针测试仪测方块电阻,按照相对标准方差的统计规律,计算出均匀性参数,仪器相对偏差≤0.2%,每片测量49个点(49个点在去掉边缘3mm后的范围内取); 测试结果:实际测量注入剂量均匀性为1σ≤ %。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 注入均匀性优于1% 测试方法:6"圆片、N型,111晶向,氧化层200?,硅片电阻率≥3kΩ·cm; 注入参数:注入元素为He+,能量为100keV,剂量1.75E14ions/cm2,注入角度为7°,取同批注入中相同工艺参数的任意1片硅片利用高温退火炉退火,退火后用四探针测试仪测方块电阻,按照相对标准方差的统计规律,计算出均匀性参数,仪器相对偏差≤0.2%,每片测量49个点(49个点在去掉边缘3mm后的范围内取); 测试结果:实际测量注入剂量均匀性为1σ≤ %。 | |
7 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 剂量范围 测试方法:引B+到靶,设备引出100μA或更小的束流,设置注入剂量为1E12,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最小剂量注入要求。设备引出1mA或更大的束流,设置注入剂量为5E15,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最大剂量注入要求。 测试结果:。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 剂量范围 测试方法:引He+到靶,设备引出100μA或更小的束流,设置注入剂量为1E12,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最小剂量注入要求。设备引出1mA或更大的束流,设置注入剂量为5E15,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最大剂量注入要求。 测试结果:。 | |
8 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备辐射剂量要求 测试方法:用γ射线测量仪,在能量为400keV,H+束流为3000μA的情况下在机器的四周均匀取点,距离机器外壳10cm测量。要求辐射剂量≤0.6μSv/hr。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备辐射剂量要求 测试方法:用γ射线测量仪,在能量为400keV,He+束流为2000μA的情况下在机器的四周均匀取点,距离机器外壳10cm测量。要求辐射剂量≤0.6μSv/hr。 | |
9 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 离子注入束流稳定性 测试方法:分别引出H+、He+两种离子,在100keV与300keV能量下将束流引出到达靶后,稳定30分钟后开始测量,测量时每5分钟记录一次束流值,持续记录1小时,根据记录的束流值计算束流的变化率,需<10%/小时; 测试结果:。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 离子注入束流稳定性 测试方法:引出He+离子,在100keV与300keV能量下将束流引出到达靶后,稳定30分钟后开始测量,测量时每5分钟记录一次束流值,持续记录1小时,根据记录的束流值计算束流的变化率,需<10%/小时; 测试结果:。 | |
10 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量精度 测试方法:分别引出H+、He+两种离子,在100keV~400keV范围内调节束流能量,单次步进50keV,记录实际能量大小与设定能量大小,能量偏离不大于±1%; 测试结果: 。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量精度 测试方法:引出He+离子,在100keV~400keV范围内调节束流能量,单次步进50keV,记录实际能量大小与设定能量大小,能量偏离不大于±1%; 测试结果: 。 | |
11 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 新增颗粒 测试方法:取4片硅片,用表面颗粒探测仪对需要测试的晶片进行颗粒检测,记录数据,然后分4批装载进入设备进行注入工艺,注入工艺参数如下:6″硅片,H+,400keV, 2mA, 1E16ions/cm2 。注入完成后再进行颗粒检测(去除边缘3mm范围),前后数据的差值为颗粒污染值。 测试结果: | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 新增颗粒 测试方法:取4片硅片,用表面颗粒探测仪对需要测试的晶片进行颗粒检测,记录数据,然后分4批装载进入设备进行注入工艺,注入工艺参数如下:6″硅片,He+, 400keV, 2mA, 1E16ions/cm2 。注入完成后再进行颗粒检测(去除边缘3mm范围),前后数据的差值为颗粒污染值。 测试结果: |
更正日期:2023年03月17日
三、其他补充事宜:
无。
四、凡对本次公告内容提出询问,请按以下方式联系。
1.采购人信息
名称:中国工 (略) 应用电子学研究所
地址: (略) 绵山路64号
联系方式:*﹑0816-*
2.采购代理机构信息
名称:中国工 (略) 物资部
地址: (略) 游仙区 (略) 物资部
联系方式:0816-*
3.项目联系方式
项目联系人:赵莉军
电 话:0816-*
一、项目基本情况
原公告的采购项目编号:0410YB*(2022-667)
原公告的采购项目名称:离子注入机【第2次】
首次公告日期:2023年03月03日
二、更正信息
更正事项:采购公告、采购文件
更正内容:
序号 | 原采购公告、采购文件内容 | 更正后的采购公告、采购文件内容 | |
1 | 采购公告及第一章磋商邀请四、响应文件提交截止时间: 2023年03月20日 09:00:00(北京时间) | 采购公告及第一章磋商邀请四、响应文件提交截止时间: 2023年03月27日 09:00:00(北京时间) | |
2 | 采购公告及第一章磋商邀请五、开启时间: 2023年03月20日 09:00:00(北京时间) | 采购公告及第一章磋商邀请五、开启时间: 2023年03月27日 09:00:00(北京时间) | |
3 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求.(4.1.3)条及第七章合同草案条款第七项第4.(4.1.3)条: 4.1.3 *方代表参与交货前检验及签署交货前检验记录的行为,不视为对合同货物质量的确认,不影响*方交货后*方依照合同约定对合同货物提出质量异议和(或)退货的权利,也不免除*方依照合同约定对合同货物所应承担的任何义务或责任。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求.(4.1.3)条及第七章合同草案条款第七项第4.(4.1.3)条: 4.1.3预验收阶段,*方需要在*方的见证下对设备H+离子注入能力进行验证,验证方法为:首先检查气路是否配备了H2气源,然后引出H+离子,确定H+粒子的质量数。记录束流大小 mA以及H+粒子质量数,并出具相应验证报告,验证报告作为终验收报告的组成部分。 | |
4 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备可注入H、He离子 测试方法:使首先检查工艺气路是否配备了H2、He、BF3、Ar气体源,然后分别引出这些元素离子,确定各种粒子的质量数; 测试结果:B+ 束流为mA,质量数: H+束流为mA,质量数: He+束流为mA,质量数: | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备可注入He离子 测试方法:使首先检查工艺气路是否配备了He气体源,然后引出He元素离子,确定He+粒子的质量数; 测试结果: He+束流为mA,质量数: | |
5 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量>400keV 能量为>400keV,引出的H+束流进行试验,稳定工作30分钟,试验过程中出现的打火故障以不中断引束流为准; 测试结果:。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量>400keV 能量为>400keV,引出的He+束流进行试验,稳定工作30分钟,试验过程中出现的打火故障以不中断引束流为准; 测试结果:。 | |
6 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 注入均匀性优于1% 测试方法:6"圆片、N型,111晶向,氧化层200?,硅片电阻率≥3kΩ·cm; 注入参数:注入元素为B+,能量为100keV,剂量1.75E14ions/cm2,注入角度为7°,取同批注入中相同工艺参数的任意1片硅片利用高温退火炉退火,退火后用四探针测试仪测方块电阻,按照相对标准方差的统计规律,计算出均匀性参数,仪器相对偏差≤0.2%,每片测量49个点(49个点在去掉边缘3mm后的范围内取); 测试结果:实际测量注入剂量均匀性为1σ≤ %。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 注入均匀性优于1% 测试方法:6"圆片、N型,111晶向,氧化层200?,硅片电阻率≥3kΩ·cm; 注入参数:注入元素为He+,能量为100keV,剂量1.75E14ions/cm2,注入角度为7°,取同批注入中相同工艺参数的任意1片硅片利用高温退火炉退火,退火后用四探针测试仪测方块电阻,按照相对标准方差的统计规律,计算出均匀性参数,仪器相对偏差≤0.2%,每片测量49个点(49个点在去掉边缘3mm后的范围内取); 测试结果:实际测量注入剂量均匀性为1σ≤ %。 | |
7 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 剂量范围 测试方法:引B+到靶,设备引出100μA或更小的束流,设置注入剂量为1E12,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最小剂量注入要求。设备引出1mA或更大的束流,设置注入剂量为5E15,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最大剂量注入要求。 测试结果:。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 剂量范围 测试方法:引He+到靶,设备引出100μA或更小的束流,设置注入剂量为1E12,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最小剂量注入要求。设备引出1mA或更大的束流,设置注入剂量为5E15,完成均匀性建立,测试注入是否正常运行。能够正常注入,则设备能够满足最大剂量注入要求。 测试结果:。 | |
8 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备辐射剂量要求 测试方法:用γ射线测量仪,在能量为400keV,H+束流为3000μA的情况下在机器的四周均匀取点,距离机器外壳10cm测量。要求辐射剂量≤0.6μSv/hr。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 设备辐射剂量要求 测试方法:用γ射线测量仪,在能量为400keV,He+束流为2000μA的情况下在机器的四周均匀取点,距离机器外壳10cm测量。要求辐射剂量≤0.6μSv/hr。 | |
9 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 离子注入束流稳定性 测试方法:分别引出H+、He+两种离子,在100keV与300keV能量下将束流引出到达靶后,稳定30分钟后开始测量,测量时每5分钟记录一次束流值,持续记录1小时,根据记录的束流值计算束流的变化率,需<10%/小时; 测试结果:。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 离子注入束流稳定性 测试方法:引出He+离子,在100keV与300keV能量下将束流引出到达靶后,稳定30分钟后开始测量,测量时每5分钟记录一次束流值,持续记录1小时,根据记录的束流值计算束流的变化率,需<10%/小时; 测试结果:。 | |
10 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量精度 测试方法:分别引出H+、He+两种离子,在100keV~400keV范围内调节束流能量,单次步进50keV,记录实际能量大小与设定能量大小,能量偏离不大于±1%; 测试结果: 。 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 能量精度 测试方法:引出He+离子,在100keV~400keV范围内调节束流能量,单次步进50keV,记录实际能量大小与设定能量大小,能量偏离不大于±1%; 测试结果: 。 | |
11 | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 新增颗粒 测试方法:取4片硅片,用表面颗粒探测仪对需要测试的晶片进行颗粒检测,记录数据,然后分4批装载进入设备进行注入工艺,注入工艺参数如下:6″硅片,H+,400keV, 2mA, 1E16ions/cm2 。注入完成后再进行颗粒检测(去除边缘3mm范围),前后数据的差值为颗粒污染值。 测试结果: | 采购文件第五章技术、服务需求二、具体需求或要求2、商务及其他要求(4.2.2)入所验收离子注入机检验规程及第七章合同草案条款合同附件1离子注入机检验规程: 新增颗粒 测试方法:取4片硅片,用表面颗粒探测仪对需要测试的晶片进行颗粒检测,记录数据,然后分4批装载进入设备进行注入工艺,注入工艺参数如下:6″硅片,He+, 400keV, 2mA, 1E16ions/cm2 。注入完成后再进行颗粒检测(去除边缘3mm范围),前后数据的差值为颗粒污染值。 测试结果: |
更正日期:2023年03月17日
三、其他补充事宜:
无。
四、凡对本次公告内容提出询问,请按以下方式联系。
1.采购人信息
名称:中国工 (略) 应用电子学研究所
地址: (略) 绵山路64号
联系方式:*﹑0816-*
2.采购代理机构信息
名称:中国工 (略) 物资部
地址: (略) 游仙区 (略) 物资部
联系方式:0816-*
3.项目联系方式
项目联系人:赵莉军
电 话:0816-*
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