0733-154641410301激光拉曼光谱仪国际招标项目国际招标变更公告(3)
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0733-154641410301激光拉曼光谱仪国际招标项目国际招标变更公告(3)
| 序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
| 1 | 激光拉曼光谱仪 | 1 | *2.1.2 具备一定的扩展能力：1)扫描电镜联用做原位拉曼分析； 2)与原子力显微镜/近场光学显微镜联用；3) 与X射线衍射联用；4) 可升级到采用窄带虑光片技术的拉曼光谱二维直接成像；5) 可升级到紫外（到244）或红外波段（到1064）的更多激发波长。*2.2.1 532nm激发波长，激光器功率不低于50 mW*2.2.2 632.8nm激发波长，激光器功率不低于17 mW*2.2.3 785nm激发波长，激光器功率不低于280 mW*2.2.5 不同激发波长采用独立的，按波长独立优化的激光入射光路，以保证每个波长均有最优的通光效率，避免互相影响*2.2.7 要求各个波长均配有激光扩束器，使激光光斑尺寸连续可调，并能连续改变到样品上的激光功率密度，以方便信号弱且怕烧样品的检测。并使二维直接成像功能得以实现*2.3.1 光谱仪设计：无像散，单级光谱仪，焦距在240mm以上*2.3.3 高灵敏度：硅三阶峰（约在1440 cm-1）的信噪比好于20:1，并能观察到四阶峰。检测条件：使用单晶硅片，波长532 nm，激光输出功率20mW，狭缝宽度（或针孔）<= 50微米，需使用1800线高分辨光栅，曝光时间100秒，累加次数3次（或曝光时间60秒，累加次数5次），binning等于1，显微镜头为x50或x100倍*2.3.4 光谱范围：200nm 到1050nm，全光谱范围内可快速连续扫描，无接谱。其中：532nm激发波长，光谱范围： 点击查看>> cm-1632.8nm激发波长，光谱范围： 点击查看>> cm-1。785nm激发波长，光谱范围： 点击查看>> cm-1。*2.3.8 光谱重复性：≤ ±0.1cm-1。采用光栅尺反馈控制系统控制光栅的精确定位和重复性。检验标准：使用表面抛光的单晶硅做样品，采用50×物镜，扫描范围100～4000cm-1，重复50次。观测硅拉曼峰（520cm-1）， (略) 位置重复性≤±0.1 cm-1*2.3.10 CCD探测器：应使用紫外和近红外同时增强深耗散层型CCD探测器，优质芯片，半导体制冷到-70oC,为确保图像质量*2.4.1 切换波长时，采用计算机控制全自动切换*2.5.3 空间分辨率：在x100倍镜头下，横向分辨率 <= 0.5微米 ，光轴方向纵向分辨率<= 2微米，共焦深度连续可调。检测条件：横向分辨率：使用表面抛光的单晶硅锐利边缘做样品，在共焦条件下，采用100×物镜，沿垂直于锐利边缘的方向由单晶硅表面扫描至单晶硅外，步长为0.1um， (略) (略) 有 (略) 拟合，得到硅峰信号强度的变化曲线。Si强度变化的带边宽度即XY平面的分辨率应 < 0.5微米。纵向分辨率：使用表面抛光的单晶硅做样品，在共焦条件下，采用100×物镜，沿垂直于单晶硅平面方向，由单晶硅表面上方扫描 (略) ，步长为0.1um， (略) (略) 有 (略) 拟合，得到硅峰信号强度的变化曲线， 硅520 cm-1峰 的强度形成的曲线的半高宽即Z 方向分辨率 < 2微米*2.7.1 性能好于Intel i5以上机型， 4G RAM，500 GB 硬盘，DVD-RW刻录机， (略) 卡，27英寸液晶显示器， Windows 7 操作系统，可观察和存储显微镜下的白光像。Windows下光谱专业软件包－包括仪器控制、数据采集、 (略) 理及曲线拟合等各项功能。*2.8.5 采用光栅尺反馈控制系统自动控制克服反向间隙，保证原始点的重复性*2.9.1 不同波长自动控制切换的线聚焦组件，和自动聚焦的信号收集透镜组*2.10.2 (略) 3D逐层扫描成像*2.12.6 独立温度控制 |
| 序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
| 1 | 激光拉曼光谱仪 | 1 | *2.1.2 具备一定的扩展能力：1)扫描电镜联用做原位拉曼分析； 2)与原子力显微镜/近场光学显微镜联用；3) 与X射线衍射联用；4) 可升级到采用窄带虑光片技术的拉曼光谱二维直接成像；5) 可升级到紫外（到244）或红外波段（到1064）的更多激发波长。*2.2.1 532nm激发波长，激光器功率不低于50 mW*2.2.2 632.8nm激发波长，激光器功率不低于17 mW*2.2.3 785nm激发波长，激光器功率不低于280 mW*2.2.5 不同激发波长采用独立的，按波长独立优化的激光入射光路，以保证每个波长均有最优的通光效率，避免互相影响*2.2.7 要求各个波长均配有激光扩束器，使激光光斑尺寸连续可调，并能连续改变到样品上的激光功率密度，以方便信号弱且怕烧样品的检测。并使二维直接成像功能得以实现*2.3.1 光谱仪设计：无像散，单级光谱仪，焦距在240mm以上*2.3.3 高灵敏度：硅三阶峰（约在1440 cm-1）的信噪比好于20:1，并能观察到四阶峰。检测条件：使用单晶硅片，波长532 nm，激光输出功率20mW，狭缝宽度（或针孔）<= 50微米，需使用1800线高分辨光栅，曝光时间100秒，累加次数3次（或曝光时间60秒，累加次数5次），binning等于1，显微镜头为x50或x100倍*2.3.4 光谱范围：200nm 到1050nm，全光谱范围内可快速连续扫描，无接谱。其中：532nm激发波长，光谱范围： 点击查看>> cm-1632.8nm激发波长，光谱范围： 点击查看>> cm-1。785nm激发波长，光谱范围： 点击查看>> cm-1。*2.3.8 光谱重复性：≤ ±0.1cm-1。采用光栅尺反馈控制系统控制光栅的精确定位和重复性。检验标准：使用表面抛光的单晶硅做样品，采用50×物镜，扫描范围100～4000cm-1，重复50次。观测硅拉曼峰（520cm-1）， (略) 位置重复性≤±0.1 cm-1*2.3.10 CCD探测器：应使用紫外和近红外同时增强深耗散层型CCD探测器，优质芯片，半导体制冷到-70oC,为确保图像质量*2.4.1 切换波长时，采用计算机控制全自动切换*2.5.3 空间分辨率：在x100倍镜头下，横向分辨率 <= 0.5微米 ，光轴方向纵向分辨率<= 2微米，共焦深度连续可调。检测条件：横向分辨率：使用表面抛光的单晶硅锐利边缘做样品，在共焦条件下，采用100×物镜，沿垂直于锐利边缘的方向由单晶硅表面扫描至单晶硅外，步长为0.1um， (略) (略) 有 (略) 拟合，得到硅峰信号强度的变化曲线。Si强度变化的带边宽度即XY平面的分辨率应 < 0.5微米。纵向分辨率：使用表面抛光的单晶硅做样品，在共焦条件下，采用100×物镜，沿垂直于单晶硅平面方向，由单晶硅表面上方扫描 (略) ，步长为0.1um， (略) (略) 有 (略) 拟合，得到硅峰信号强度的变化曲线， 硅520 cm-1峰 的强度形成的曲线的半高宽即Z 方向分辨率 < 2微米*2.7.1 性能好于Intel i5以上机型， 4G RAM，500 GB 硬盘，DVD-RW刻录机， (略) 卡，27英寸液晶显示器， Windows 7 操作系统，可观察和存储显微镜下的白光像。Windows下光谱专业软件包－包括仪器控制、数据采集、 (略) 理及曲线拟合等各项功能。*2.8.5 采用光栅尺反馈控制系统自动控制克服反向间隙，保证原始点的重复性*2.9.1 不同波长自动控制切换的线聚焦组件，和自动聚焦的信号收集透镜组*2.10.2 (略) 3D逐层扫描成像*2.12.6 独立温度控制 |
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