射频微系统样件制造延期公告
射频微系统样件制造延期公告
项目名称 | 射频微系统样件制造 | 项目编号 | XF-WSBX-* |
---|---|---|---|
公告开始日期 | * | 公告截止日期 | * |
采购单位 | 浙江大学 | 付款方式 | 合同签署后支付90%,制造完成测试验收后支付剩余10% |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后7个工作日内 | 到货时间要求 | 无 |
预 算 | *.0 | ||
收货地址 | 无 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
---|---|---|---|
射频微系统样件制造 | 1 | 项 | 电子、通信与自动控制技术研究服务 |
品牌 | 无 |
---|---|
型号 | 无 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *.0 |
技术参数及配置要求 | 提供8英寸标准硅晶圆基板进行射频微系统样件制造,具体技术指标要求如下: 1) 单个组件由下层转接板厚度200um,中间围框转接板厚度为250um和顶层转接板厚度为250三层硅转接板组成; 2) 转接板内带有直径为30um实心填充的TSV;提供60um半实心TSV可选; 3) 提供3层RDL,最小线间距20um,最大电流400mA; 4) 组件顶层外观面金属结构为Ti/Cu/Ni/Au;组件底部外观面金属结构为Ti/Cu/Ni/Au; 5) BGA尺寸为0.2~0.5mm可选,间隔0.05mm; 6) 转接板之间通过铜锡焊接键合,并采用晶圆级键合; 7) 组件需要实现气密性等级10-9mbar.l/s; 8) 提供当前工艺的设计辅助工具包PDK版本及对应DRC检查; 9) 提供片上无源元件(电容、电感、电阻)的设计指导并提供至少3组设计实例; 10) 提供单个组件的封装服务,组件尺寸最小为10mmx10mm,要求采用陶瓷或者塑料管壳进行封装,数量为单张8英寸晶圆产出的所有组件。 11) 提供单个组件的DC/RF测试服务(含测试夹具、测试基板),数量为第10技术点要求数量; |
售后服务 | 电话支持:7x24小时;质保期:3年;服务时限:报修后4小时; |
项目名称 | 射频微系统样件制造 | 项目编号 | XF-WSBX-* |
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公告开始日期 | * | 公告截止日期 | * |
采购单位 | 浙江大学 | 付款方式 | 合同签署后支付90%,制造完成测试验收后支付剩余10% |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后7个工作日内 | 到货时间要求 | 无 |
预 算 | *.0 | ||
收货地址 | 无 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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射频微系统样件制造 | 1 | 项 | 电子、通信与自动控制技术研究服务 |
品牌 | 无 |
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型号 | 无 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *.0 |
技术参数及配置要求 | 提供8英寸标准硅晶圆基板进行射频微系统样件制造,具体技术指标要求如下: 1) 单个组件由下层转接板厚度200um,中间围框转接板厚度为250um和顶层转接板厚度为250三层硅转接板组成; 2) 转接板内带有直径为30um实心填充的TSV;提供60um半实心TSV可选; 3) 提供3层RDL,最小线间距20um,最大电流400mA; 4) 组件顶层外观面金属结构为Ti/Cu/Ni/Au;组件底部外观面金属结构为Ti/Cu/Ni/Au; 5) BGA尺寸为0.2~0.5mm可选,间隔0.05mm; 6) 转接板之间通过铜锡焊接键合,并采用晶圆级键合; 7) 组件需要实现气密性等级10-9mbar.l/s; 8) 提供当前工艺的设计辅助工具包PDK版本及对应DRC检查; 9) 提供片上无源元件(电容、电感、电阻)的设计指导并提供至少3组设计实例; 10) 提供单个组件的封装服务,组件尺寸最小为10mmx10mm,要求采用陶瓷或者塑料管壳进行封装,数量为单张8英寸晶圆产出的所有组件。 11) 提供单个组件的DC/RF测试服务(含测试夹具、测试基板),数量为第10技术点要求数量; |
售后服务 | 电话支持:7x24小时;质保期:3年;服务时限:报修后4小时; |
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