铌酸锂薄膜无源光波导制备---6寸铌酸锂衬底招标变更
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铌酸锂薄膜无源光波导制备---6寸铌酸锂衬底招标变更
| 延期理由： | 由于该项目报价供应商数量不满足要求，本项目延期至2023-07-26 18:00 | ||
|---|---|---|---|
| 项目名称 | 铌酸锂薄膜无源光波导制备---6寸铌酸锂衬底 | 项目编号 | ZJLAB-FS-BX* |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2023-07-21 17:15:48 | 公示截止日期 | 2023-07-26 18:00:00 |
| 采购单位 | 之江实验室 | 付款方式 | (境内外供货) 【境外】 CIP之江实验室，人民币包干价，人民币免税报价，90%不可撤销信用证凭卖方装运单据议付，10%货款凭之江实验室固定资产验收结果报告电汇；【境内】合同签订后预付40%货款，验收合格后付60%货款 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 到货时间要求 | 签约后20个工作日内 | |
| 预算 | ￥112,000 | ||
| 收货地址 | 之江实验室 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 公告说明 | 由于该项目报价供应商数量不满足要求，本项目延期至2023-07-26 18:00 | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 6寸硅上铌酸锂 单晶薄膜 | 4 | 个 | 贵金属化合物，相关基础化学品 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | 6 inch X-cut LN: 600nm/ SiO2:4.7um/ Si substrate:0.675mm(SSP, 100, high resi) 平边 57.5mm | ||
| 预算 | ￥28,000 | ||
| 技术参数 | 1.6 inch X-cut LN： 600nm； 2.SiO2:4.7um； 3.Si substrate:0.675mm(SSP, 100, high resi)； 4.flat:57.5mm; 5.可耐温度：≤ 650℃； 6.出厂包装要求：真空单片盒包装，包装上有明显生产厂商logo。每片有唯一可工艺回溯的SN编码及对应条码。 7.中标商能提供后续之江实验室在此衬底上工艺开发的技术响应支持，具体如可切割晶向，铌酸锂薄膜电阻率或者电阻率测量方案等。 8.质检标准：显微镜下质检小坑气泡划痕+目检；随货必须有对应的质检报告，质检报告需有9点以上顶层铌酸锂单晶薄膜厚度值，厚度值域区间限定580~620nm。 | ||
| 售后服务 | 送货到之江；能提供后续之江实验室工艺开发的技术响应支持。; | ||
之江实验室
2023-07-21 17:15:48
| 延期理由： | 由于该项目报价供应商数量不满足要求，本项目延期至2023-07-26 18:00 | ||
|---|---|---|---|
| 项目名称 | 铌酸锂薄膜无源光波导制备---6寸铌酸锂衬底 | 项目编号 | ZJLAB-FS-BX* |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2023-07-21 17:15:48 | 公示截止日期 | 2023-07-26 18:00:00 |
| 采购单位 | 之江实验室 | 付款方式 | (境内外供货) 【境外】 CIP之江实验室，人民币包干价，人民币免税报价，90%不可撤销信用证凭卖方装运单据议付，10%货款凭之江实验室固定资产验收结果报告电汇；【境内】合同签订后预付40%货款，验收合格后付60%货款 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 到货时间要求 | 签约后20个工作日内 | |
| 预算 | ￥112,000 | ||
| 收货地址 | 之江实验室 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 公告说明 | 由于该项目报价供应商数量不满足要求，本项目延期至2023-07-26 18:00 | ||
| 采购物品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 6寸硅上铌酸锂 单晶薄膜 | 4 | 个 | 贵金属化合物，相关基础化学品 |
| 推荐品牌 | |||
|---|---|---|---|
| 推荐规格型号 | 6 inch X-cut LN: 600nm/ SiO2:4.7um/ Si substrate:0.675mm(SSP, 100, high resi) 平边 57.5mm | ||
| 预算 | ￥28,000 | ||
| 技术参数 | 1.6 inch X-cut LN： 600nm； 2.SiO2:4.7um； 3.Si substrate:0.675mm(SSP, 100, high resi)； 4.flat:57.5mm; 5.可耐温度：≤ 650℃； 6.出厂包装要求：真空单片盒包装，包装上有明显生产厂商logo。每片有唯一可工艺回溯的SN编码及对应条码。 7.中标商能提供后续之江实验室在此衬底上工艺开发的技术响应支持，具体如可切割晶向，铌酸锂薄膜电阻率或者电阻率测量方案等。 8.质检标准：显微镜下质检小坑气泡划痕+目检；随货必须有对应的质检报告，质检报告需有9点以上顶层铌酸锂单晶薄膜厚度值，厚度值域区间限定580~620nm。 | ||
| 售后服务 | 送货到之江；能提供后续之江实验室工艺开发的技术响应支持。; | ||
之江实验室
2023-07-21 17:15:48
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