高真空磁控溅射镀膜机设备采购项目更正

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高真空磁控溅射镀膜机设备采购项目更正

采购信息

项目编号 BA* 项目名称 高真空磁控溅射镀膜机设备采购项目
经办人单位 材料科 (略) 经办人 王东
预算金额 *.00 人民币 成交金额 *.00 人民币
成交供应商 沈阳 (略) 质保期 12 月
联系地址 (略) - (略) -沈北新区蒲河大道888号西十一区5号(5号)1楼34室 采购单位 吉林大学材料科 (略)
付款方式 货到验收合格办理相关手续后100%付款。
供应商联系手机 * 交货时间 成交单签订后10天内交货
交货地址 (略) - (略) -朝阳区前进大街2699号吉林大学前卫南区唐敖庆楼D区129
交货方式 *方免费将产品送达*方用户单位指定地点。
包装及运费 由*方免费提供及承担
验收方式 以成交单为准,参考相关内容进行验收。验收程序以*方职能部门规定为准。
售后服务要求 验收合格后质保12个月,详细内容见附件。
采购材料 自主采购评审报告-高真空磁控溅射镀膜机.pdf

明细清单

采购品目 其他电工、电子专用生产设备 品牌名称 沈阳天德
名称 高真空磁控溅射镀膜机 产地及生产商 中国-沈阳 (略)
规格型号 TD-CK450 数量 1
计量单位 保修年限 1 年
单价 *.00 人民币 总价 *.00 人民币
主要技术参数 主要技术指标: 1. 设备主要配置: 1 磁控室 1.1 磁控室腔体 1台 主溅射室真空腔体为内尺寸约400x400mm卧式圆形腔体,材质为高真空专业不锈钢,内外表喷丸,电解抛光处理。前后开门结构,真空室下方法兰接基片加热器及转架与基片挡板机构。门与腔体间采用胶圈密封。真空室侧边有一个CF150刀口法兰连接卧室-620型高性能分子泵。腔体周围有CF35法兰七个,一个连接CF35气动角阀、一个连接四芯引线法兰、一个连接电阻规管,一个连接金属电离规管。一个备用。上盖面有3个永磁靶位。腔体除大法兰密封口采用胶圈密封外,其余各口采用无氧铜垫圈密封。真空室壁带有匀气环。前后开门结构。 1.2 磁控靶 3台 其中Ф2英寸圆形磁控溅射永磁靶射频和直流兼容,都可沿轴向在线(高真空工作环境下)手动移动,移动距离范围(相对于衬底)40~80mm,金属密封结构。靶安装有气动挡板。靶面尺寸Ф2英寸,水磁分离结构,靶面为铜材质,冷却效果好。在真空室内部分,可以手动调整摆头,摆头角度0~15度。磁控靶之间有隔板隔开,防止交叉污染。预留靶位上盖可单独拆卸,更换为PE靶头功能。 1.3 样品架一套 单工位样品架。带有样品总挡板。可放置Ф80mm 样品一片。可以电动旋转,转速0~30转/分,连续可调。样品架边缘,自动样品挡板,样品加热温度最高800℃。 1.4 PLC一套 韩国LG-PLC,控制真空系统,前级,机械泵,样品台旋转控制。样品运行控制, 设备安全报警。 1.5 触摸屏+软件包 1套 昆仑通泰,10寸触摸屏,彩屏,在屏幕在可以进行下列操作:真空系统,镀膜系统(不含溅射电源控制),样品架的旋转控制。压力控制。 2.设备主要技术指标: 2.1 溅射室极限真空度: 5×10-5pa 2.2 设备总体漏率:关机停泵12小时后,真空度优于3pa 2.3系统真空检漏漏率:≤5.0x10-8 Pa.l/S 2.4基片尺寸:Φ70mm 一片(可根据客户需求定制) 2.5靶到基片的手动可调间距:40~80mm 2.6基片加热器加热温度:800℃,控温精度±1℃ 2.7基片转速:0~30转/分连续可调 2.8质量流量控制器量程:(镀膜室):100SCC

信息咨询

吉林大学招标与备案(采购)管理中心

设 备 类:林老师: 0431-*

工 程 类:白老师: 0431-*

服务及其他货物:李老师: 0431-*

采购信息

项目编号 BA* 项目名称 高真空磁控溅射镀膜机设备采购项目
经办人单位 材料科 (略) 经办人 王东
预算金额 *.00 人民币 成交金额 *.00 人民币
成交供应商 沈阳 (略) 质保期 12 月
联系地址 (略) - (略) -沈北新区蒲河大道888号西十一区5号(5号)1楼34室 采购单位 吉林大学材料科 (略)
付款方式 货到验收合格办理相关手续后100%付款。
供应商联系手机 * 交货时间 成交单签订后10天内交货
交货地址 (略) - (略) -朝阳区前进大街2699号吉林大学前卫南区唐敖庆楼D区129
交货方式 *方免费将产品送达*方用户单位指定地点。
包装及运费 由*方免费提供及承担
验收方式 以成交单为准,参考相关内容进行验收。验收程序以*方职能部门规定为准。
售后服务要求 验收合格后质保12个月,详细内容见附件。
采购材料 自主采购评审报告-高真空磁控溅射镀膜机.pdf

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采购品目 其他电工、电子专用生产设备 品牌名称 沈阳天德
名称 高真空磁控溅射镀膜机 产地及生产商 中国-沈阳 (略)
规格型号 TD-CK450 数量 1
计量单位 保修年限 1 年
单价 *.00 人民币 总价 *.00 人民币
主要技术参数 主要技术指标: 1. 设备主要配置: 1 磁控室 1.1 磁控室腔体 1台 主溅射室真空腔体为内尺寸约400x400mm卧式圆形腔体,材质为高真空专业不锈钢,内外表喷丸,电解抛光处理。前后开门结构,真空室下方法兰接基片加热器及转架与基片挡板机构。门与腔体间采用胶圈密封。真空室侧边有一个CF150刀口法兰连接卧室-620型高性能分子泵。腔体周围有CF35法兰七个,一个连接CF35气动角阀、一个连接四芯引线法兰、一个连接电阻规管,一个连接金属电离规管。一个备用。上盖面有3个永磁靶位。腔体除大法兰密封口采用胶圈密封外,其余各口采用无氧铜垫圈密封。真空室壁带有匀气环。前后开门结构。 1.2 磁控靶 3台 其中Ф2英寸圆形磁控溅射永磁靶射频和直流兼容,都可沿轴向在线(高真空工作环境下)手动移动,移动距离范围(相对于衬底)40~80mm,金属密封结构。靶安装有气动挡板。靶面尺寸Ф2英寸,水磁分离结构,靶面为铜材质,冷却效果好。在真空室内部分,可以手动调整摆头,摆头角度0~15度。磁控靶之间有隔板隔开,防止交叉污染。预留靶位上盖可单独拆卸,更换为PE靶头功能。 1.3 样品架一套 单工位样品架。带有样品总挡板。可放置Ф80mm 样品一片。可以电动旋转,转速0~30转/分,连续可调。样品架边缘,自动样品挡板,样品加热温度最高800℃。 1.4 PLC一套 韩国LG-PLC,控制真空系统,前级,机械泵,样品台旋转控制。样品运行控制, 设备安全报警。 1.5 触摸屏+软件包 1套 昆仑通泰,10寸触摸屏,彩屏,在屏幕在可以进行下列操作:真空系统,镀膜系统(不含溅射电源控制),样品架的旋转控制。压力控制。 2.设备主要技术指标: 2.1 溅射室极限真空度: 5×10-5pa 2.2 设备总体漏率:关机停泵12小时后,真空度优于3pa 2.3系统真空检漏漏率:≤5.0x10-8 Pa.l/S 2.4基片尺寸:Φ70mm 一片(可根据客户需求定制) 2.5靶到基片的手动可调间距:40~80mm 2.6基片加热器加热温度:800℃,控温精度±1℃ 2.7基片转速:0~30转/分连续可调 2.8质量流量控制器量程:(镀膜室):100SCC

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