电子元器件存储器招标变更
发送至邮箱
电子元器件存储器招标变更
| 延期理由： | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2023-11-22 23:00 |
|---|
| 项目名称 | 电子元器件（存储器） | 项目编号 | HITJJ-* |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | 2023-11-22 10:43:02 | 公告截止日期 | 2023-11-22 23:00:00 |
| 采购单位 | 哈尔滨工业大学 | 付款方式 | 货到付款 |
| 联系人 | 成交后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 成交后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后3个工作日内 | 到货时间要求 | |
| 预算总价 | ￥ *.00 | ||
| 发票要求 | |||
| 收货地址 | (略) (略) 南岗区一匡街2号 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 公告说明 | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2023-11-22 23:00 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 电子元器件（存储器） | 8 | 个 | 无 |
| 品牌 | XWS |
|---|---|
| 型号 | LSSR20M40VS6R1 |
| 预算单价 | ￥ 60500.00 |
| 技术参数及配置要求 | 1、器件性能指标要求： 1.1特性指标要求： 1)工作电压：+3.3V±0.3V； 2)存储容量（存储结构）：20M(512K×40)bit； 3)访问时间：15ns（max）； 4)TTL兼容的输入、输出； 5)静态存储器：无时钟和刷新要求； 6)ESDS：1级，1000V； 7)湿敏等级： -3； 8)辐照指标： 抗总剂量：大于100krad(Si)； 单粒子锁定（SEL）LET阈值：大于81.4MeV·cm2/mg； 单粒子翻转（SEU）LET阈值：小于8.94MeV·cm2/mg； 9)封装形式：SOP84-0.508； 10)重量：10.0g±1.0g； 11)工作温度范围：-55℃～+125℃； 12)存储温度范围：-65℃～+150℃。 1.2绝对最大额定值指标要求： 1)电源电压（VCC）：-0.5V～4.6V； 2)引出端耐电压（VT）：-0.5V～VCC +0.5V； 3)功耗（PD）：3W； 4)回流焊峰值温度（TSOL）：215℃（模块侧面温度）； 5)引线耐焊接温度（Th）：250℃（5s）； 6)结-壳热阻（RTH(J-C)）1）：8℃/W。 1.3 性能指标要求： 在-55℃～+125℃条件下产品批产测试保证的电性能要求指标如下： 1)工作电流极限值最大200mA 2)TTL待机电流值最大192mA 3)CMOS待机电流极限值24mA 2、其它要求 1)质量等级： YB优先（或满足航天要的其它宇航级） 2)付款方式：一次全款支付（备注：808质保验收合格后支付） 3)质保期：验收合格后两年以上。 |
哈尔滨工业大学招标与采购管理中心
2023-11-22 10:43:02
| 延期理由： | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2023-11-22 23:00 |
|---|
| 项目名称 | 电子元器件（存储器） | 项目编号 | HITJJ-* |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | 2023-11-22 10:43:02 | 公告截止日期 | 2023-11-22 23:00:00 |
| 采购单位 | 哈尔滨工业大学 | 付款方式 | 货到付款 |
| 联系人 | 成交后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 成交后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后3个工作日内 | 到货时间要求 | |
| 预算总价 | ￥ *.00 | ||
| 发票要求 | |||
| 收货地址 | (略) (略) 南岗区一匡街2号 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 公告说明 | 由于该项目报价情况不满足要求，本项目延期至2023-11-22 23:00 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 电子元器件（存储器） | 8 | 个 | 无 |
| 品牌 | XWS |
|---|---|
| 型号 | LSSR20M40VS6R1 |
| 预算单价 | ￥ 60500.00 |
| 技术参数及配置要求 | 1、器件性能指标要求： 1.1特性指标要求： 1)工作电压：+3.3V±0.3V； 2)存储容量（存储结构）：20M(512K×40)bit； 3)访问时间：15ns（max）； 4)TTL兼容的输入、输出； 5)静态存储器：无时钟和刷新要求； 6)ESDS：1级，1000V； 7)湿敏等级： -3； 8)辐照指标： 抗总剂量：大于100krad(Si)； 单粒子锁定（SEL）LET阈值：大于81.4MeV·cm2/mg； 单粒子翻转（SEU）LET阈值：小于8.94MeV·cm2/mg； 9)封装形式：SOP84-0.508； 10)重量：10.0g±1.0g； 11)工作温度范围：-55℃～+125℃； 12)存储温度范围：-65℃～+150℃。 1.2绝对最大额定值指标要求： 1)电源电压（VCC）：-0.5V～4.6V； 2)引出端耐电压（VT）：-0.5V～VCC +0.5V； 3)功耗（PD）：3W； 4)回流焊峰值温度（TSOL）：215℃（模块侧面温度）； 5)引线耐焊接温度（Th）：250℃（5s）； 6)结-壳热阻（RTH(J-C)）1）：8℃/W。 1.3 性能指标要求： 在-55℃～+125℃条件下产品批产测试保证的电性能要求指标如下： 1)工作电流极限值最大200mA 2)TTL待机电流值最大192mA 3)CMOS待机电流极限值24mA 2、其它要求 1)质量等级： YB优先（或满足航天要的其它宇航级） 2)付款方式：一次全款支付（备注：808质保验收合格后支付） 3)质保期：验收合格后两年以上。 |
哈尔滨工业大学招标与采购管理中心
2023-11-22 10:43:02
招投标大数据
最近搜索
无
热门搜索
无
