流片服务延期公告
流片服务延期公告
项目名称 | 流片服务 | 项目编号 | ZJLAB-FS-BX* |
---|---|---|---|
公告开始日期 | * | 公告截止日期 | * |
采购单位 | 之江实验室 | 付款方式 | 【境内】合同签订后预付40%货款,验收合格后付60%货款。 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 无 |
预 算 | *.0 | ||
收货地址 | 无 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
---|---|---|---|
定制有源MPW流片服务 | 2 | 项 | 其他研究和试验开发服务 |
品牌 | 无 |
---|---|
型号 | 无 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *.0 |
技术参数及配置要求 | 1.提供标准SOI无源工艺,包含(70nm, 130nm, 220nm刻蚀工艺);Passive + Heater全流程波导损耗<1.5 dB/cm,Active全流程波导损耗<2.0 dB/cm。2.提供不少于6种掺杂浓度(P, N, P+, N+, P++, N++);同时提供Ge上的离子注入。3.提供有源以及无源PDK器件库(热移相器、调制器、探测器等)(调制带宽≥25GHz, 探测器带宽≥25GHz, 暗电流≤50nA, 响应度≥0.75A/W)4. 提供端面耦合器以及光栅耦合器PDK,端面耦合器损耗≤4dB/facet (Oband, Cband), 光栅耦合器损耗≤4dB/facet(Oband, Cband),1dB带宽≥25nm;5. 芯片面积≥60mm2,数量≥20片/block。6. 提供出厂测试报告;流片完成后提供相应的测试报告,测试数据为流片中使用的PDK器件和波导损耗。7. 回片周期不晚于版图交付后5个月。 |
售后服务 | 提供PDK测试咨询服务; |
项目名称 | 流片服务 | 项目编号 | ZJLAB-FS-BX* |
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公告开始日期 | * | 公告截止日期 | * |
采购单位 | 之江实验室 | 付款方式 | 【境内】合同签订后预付40%货款,验收合格后付60%货款。 |
联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 无 |
预 算 | *.0 | ||
收货地址 | 无 | ||
供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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定制有源MPW流片服务 | 2 | 项 | 其他研究和试验开发服务 |
品牌 | 无 |
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型号 | 无 |
品牌2 | 无 |
型号 | 无 |
品牌3 | 无 |
型号 | 无 |
预算 | *.0 |
技术参数及配置要求 | 1.提供标准SOI无源工艺,包含(70nm, 130nm, 220nm刻蚀工艺);Passive + Heater全流程波导损耗<1.5 dB/cm,Active全流程波导损耗<2.0 dB/cm。2.提供不少于6种掺杂浓度(P, N, P+, N+, P++, N++);同时提供Ge上的离子注入。3.提供有源以及无源PDK器件库(热移相器、调制器、探测器等)(调制带宽≥25GHz, 探测器带宽≥25GHz, 暗电流≤50nA, 响应度≥0.75A/W)4. 提供端面耦合器以及光栅耦合器PDK,端面耦合器损耗≤4dB/facet (Oband, Cband), 光栅耦合器损耗≤4dB/facet(Oband, Cband),1dB带宽≥25nm;5. 芯片面积≥60mm2,数量≥20片/block。6. 提供出厂测试报告;流片完成后提供相应的测试报告,测试数据为流片中使用的PDK器件和波导损耗。7. 回片周期不晚于版图交付后5个月。 |
售后服务 | 提供PDK测试咨询服务; |
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