硅光异质集成项目代工服务采购延期公告
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硅光异质集成项目代工服务采购延期公告
| 项目名称 | 硅光异质集成项目代工服务采购 | 项目编号 | XHGD-CG-* |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | * | 公告截止日期 | * |
| 采购单位 | 西湖大 (略) | 付款方式 | 合同签订后预付30%，验收后付70% |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 无 |
| 预 算 | *.0 | ||
| 收货地址 | 无 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 硅光异质集成项目代工服务 | 1 | 项 | 无 |
| 品牌 | 无 |
|---|---|
| 型号 | 无 |
| 品牌2 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 品牌3 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 预算 | *.0 |
| 技术参数及配置要求 | 硅光异质集成项目对电子束曝光（EBL）精度需求为：1.最小线宽精度≤50 nm；2.最大曝光面积≥15 mm×15 mm；3.提供EBL曝光剂量优化调整服务；4.可提供4寸晶圆规模套刻电子束曝光，套刻精度20 nm以内；硅光异质集成项目对深紫外（DUV）曝光精度需求为：5.最小线宽精度≤200 nm；6.最大曝光晶圆≥4英寸；7.提供DUV曝光剂量优化调整服务；8.可提供4寸晶圆规模套刻DUV曝光，套刻精度20 nm以内； |
| 售后服务 | 质保期:一年;收到样品后需在一个星期内完成代工服务; |
| 项目名称 | 硅光异质集成项目代工服务采购 | 项目编号 | XHGD-CG-* |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | * | 公告截止日期 | * |
| 采购单位 | 西湖大 (略) | 付款方式 | 合同签订后预付30%，验收后付70% |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 无 |
| 预 算 | *.0 | ||
| 收货地址 | 无 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 硅光异质集成项目代工服务 | 1 | 项 | 无 |
| 品牌 | 无 |
|---|---|
| 型号 | 无 |
| 品牌2 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 品牌3 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 预算 | *.0 |
| 技术参数及配置要求 | 硅光异质集成项目对电子束曝光（EBL）精度需求为：1.最小线宽精度≤50 nm；2.最大曝光面积≥15 mm×15 mm；3.提供EBL曝光剂量优化调整服务；4.可提供4寸晶圆规模套刻电子束曝光，套刻精度20 nm以内；硅光异质集成项目对深紫外（DUV）曝光精度需求为：5.最小线宽精度≤200 nm；6.最大曝光晶圆≥4英寸；7.提供DUV曝光剂量优化调整服务；8.可提供4寸晶圆规模套刻DUV曝光，套刻精度20 nm以内； |
| 售后服务 | 质保期:一年;收到样品后需在一个星期内完成代工服务; |
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