碳化硅外延片更正
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碳化硅外延片更正
| 项目编号 | BA* | 项目名称 | 碳化硅外延片 |
|---|---|---|---|
| 经办人单位 | (略) | 经办人 | *景彬 |
| 预算金额 | *.00 人民币 | 成交金额 | *.00 人民币 |
| 成交供应商 | (略) (略) | 质保期 | 6 月 |
| 联系地址 | 广东省- (略) -惠州大亚湾霞涌河西五巷12号504房 | 采购单位 | 吉林 (略) |
| 付款方式 | 成交单签订后预付成交单总金额的30%，货到验收合格办理相关手续后付余款。(适用于加工定制类) | ||
| 供应商联系手机 | * | 交货时间 | 成交单签订后30天内交货 |
| 交货地址 | 吉林省- (略) -前进大街吉林大学中心校区物理楼130室 | ||
| 交货方式 | *方免费将产品送达*方用户单位指定地点。 | ||
| 包装及运费 | 由*方免费提供及承担 | ||
| 验收方式 | 以成交单为准，参考相关内容进行验收。验收程序以*方职能部门规定为准。 | ||
| 售后服务要求 | 本合同质保期为0.5年，自货物交付之日开始计算。 售后服务要供应商协助提供所列文字材料（1）：研究报告1份；（2）：协助申请发明专利5项（包括说明书、说明书摘要、说明书附图、权力要求书、摘要附图）；（3）：封装方案1份。 | ||
| 采购材料 | 自主采购评审报告.pdf | ||
| 采购品目 | 其他信息化学品 | 品牌名称 | 碳化硅芯片 |
|---|---|---|---|
| 名称 | 碳化硅外延片 | 产地及生产商 | 中国- (略) (略) |
| 规格型号 | 6inch | 数量 | 8 |
| 计量单位 | 个 | 保修年限 | 1 年 |
| 单价 | *.00 人民币 | 总价 | *.00 人民币 |
| 主要技术参数 | NO. 表征 单位 规格 备注 1 晶型 - 4H 2 表面 - 硅面 (0001)silicon-face 3 主平边长度 mm 47.5±1.5 4 衬底电阻率 Ohm·cm 0.015~0.025 5 偏角方向<11-20> - 4±0.5° 6 主参考面晶向 - <11-20>±0.5° 7 衬底微管密度 cm-2 ≤0.2 16 缺陷 可用面积 (2x2 mm2 Die) - ≥95% 表面缺陷包括但不限于三角形、掉落物、彗星缺陷和胡萝卜缺陷 cm-2 ≤0.5 基平面位错BPD cm-2 ≤0.5 划痕 Scratch - 总长度≤0.5个直径 崩边或裂痕(不去边) edge chip or Cracks - zero 17 表面 粗糙度(Ra,10x10 μm2) nm 0.5 18 背面 背抛 μm ≤10.0 19 背面 刮痕距边缘位置 mm ≤2.0 20 背面 异物(去边2mm) - zero 21 平面度 总厚度变化TTV μm ≤10.0 局部厚度变化-最大值LTV-Max μm ≤3.0 局部厚度变化-平均值LTV-Avg μm ≤2.0 弯曲度BOW μm ±30.0 翘曲度WARP μm ≤40.0 平均厚度 μm (350±25)+11 22 金属污染 Na,K,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni, Cu,Zn,Au,Ag,V,Hg,W atoms/cm-2 ≤5E+10 23 碳化硅基β辐射伏特效应核电池设计及封装方案在理论上应满足下列指标标准： 指标1、封装后器件体积 < 20*10*5 mm； 指标2、电子束测试样机输出功率 > 100 μW。 | ||
| 吉林大学招标与备案(采购)管理中心 | 设 备 类：林老师: 0431-* 工 程 类：白老师: 0431-* 服务及其他货物：李老师: 0431-* |
|---|
| 项目编号 | BA* | 项目名称 | 碳化硅外延片 |
|---|---|---|---|
| 经办人单位 | (略) | 经办人 | *景彬 |
| 预算金额 | *.00 人民币 | 成交金额 | *.00 人民币 |
| 成交供应商 | (略) (略) | 质保期 | 6 月 |
| 联系地址 | 广东省- (略) -惠州大亚湾霞涌河西五巷12号504房 | 采购单位 | 吉林 (略) |
| 付款方式 | 成交单签订后预付成交单总金额的30%，货到验收合格办理相关手续后付余款。(适用于加工定制类) | ||
| 供应商联系手机 | * | 交货时间 | 成交单签订后30天内交货 |
| 交货地址 | 吉林省- (略) -前进大街吉林大学中心校区物理楼130室 | ||
| 交货方式 | *方免费将产品送达*方用户单位指定地点。 | ||
| 包装及运费 | 由*方免费提供及承担 | ||
| 验收方式 | 以成交单为准，参考相关内容进行验收。验收程序以*方职能部门规定为准。 | ||
| 售后服务要求 | 本合同质保期为0.5年，自货物交付之日开始计算。 售后服务要供应商协助提供所列文字材料（1）：研究报告1份；（2）：协助申请发明专利5项（包括说明书、说明书摘要、说明书附图、权力要求书、摘要附图）；（3）：封装方案1份。 | ||
| 采购材料 | 自主采购评审报告.pdf | ||
| 采购品目 | 其他信息化学品 | 品牌名称 | 碳化硅芯片 |
|---|---|---|---|
| 名称 | 碳化硅外延片 | 产地及生产商 | 中国- (略) (略) |
| 规格型号 | 6inch | 数量 | 8 |
| 计量单位 | 个 | 保修年限 | 1 年 |
| 单价 | *.00 人民币 | 总价 | *.00 人民币 |
| 主要技术参数 | NO. 表征 单位 规格 备注 1 晶型 - 4H 2 表面 - 硅面 (0001)silicon-face 3 主平边长度 mm 47.5±1.5 4 衬底电阻率 Ohm·cm 0.015~0.025 5 偏角方向<11-20> - 4±0.5° 6 主参考面晶向 - <11-20>±0.5° 7 衬底微管密度 cm-2 ≤0.2 16 缺陷 可用面积 (2x2 mm2 Die) - ≥95% 表面缺陷包括但不限于三角形、掉落物、彗星缺陷和胡萝卜缺陷 cm-2 ≤0.5 基平面位错BPD cm-2 ≤0.5 划痕 Scratch - 总长度≤0.5个直径 崩边或裂痕(不去边) edge chip or Cracks - zero 17 表面 粗糙度(Ra,10x10 μm2) nm 0.5 18 背面 背抛 μm ≤10.0 19 背面 刮痕距边缘位置 mm ≤2.0 20 背面 异物(去边2mm) - zero 21 平面度 总厚度变化TTV μm ≤10.0 局部厚度变化-最大值LTV-Max μm ≤3.0 局部厚度变化-平均值LTV-Avg μm ≤2.0 弯曲度BOW μm ±30.0 翘曲度WARP μm ≤40.0 平均厚度 μm (350±25)+11 22 金属污染 Na,K,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni, Cu,Zn,Au,Ag,V,Hg,W atoms/cm-2 ≤5E+10 23 碳化硅基β辐射伏特效应核电池设计及封装方案在理论上应满足下列指标标准： 指标1、封装后器件体积 < 20*10*5 mm； 指标2、电子束测试样机输出功率 > 100 μW。 | ||
| 吉林大学招标与备案(采购)管理中心 | 设 备 类：林老师: 0431-* 工 程 类：白老师: 0431-* 服务及其他货物：李老师: 0431-* |
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