序号

更正项

更正前内容

更正后内容

1

3.1.3

3.1.3

#3.1.3（增加“#”）

2

3.2.3

#3.2.3具有消除二次放电系统，配备铂质屏蔽矩，真实接地彻底杜绝二次放电，同时精确控制离子能量1 eV以内（须提供屏蔽矩实物图），否则视为负偏离。若是虚拟接地，须配2套射频线圈以备更换；

3.2.3具有消除二次放电系统，配备铂质屏蔽矩；或者采用虚拟接地技术，接地彻底杜绝二次放电；

3

3.3.1

3.3.1接口：镍质采样锥和截取锥组成主流双锥接口设计，锥数量≤2个。具有≤1.0 mm的采样锥孔、≤0.50 mm的截取锥孔，减少高基体样品进入仪器真空腔，保证质谱系统的长期稳定性，减少真空腔内的维护。锥上不得施加任何电压，采样锥和截取锥之间不得通入任何气体；

3.3.1接口：镍质采样锥和截取锥组成主流双锥接口设计。具有≤1.1 mm的采样锥孔、≤0.80 mm的截取锥孔，减少高基体样品进入仪器真空腔，保证质谱系统得长期稳定性，减少真空腔内的维护；

4

3.4.1

#3.4.1配备碰撞反应池，八极杆设计，碰撞反应池具有温控功能，保证运行稳定性并能有效耐污染，池内温度范围50~95 ℃，0.1℃连续可调，须提供池温控软件截图证明；

#3.4.1配备碰撞反应池，碰撞反应池具有温控功能，保证运行稳定性并能有效耐污染，池内温度范围50~95 ℃，0.1℃连续可调，须提供池温控软件截图证明；

5

3.6.1

3.6.1 脉冲模拟双模式电子倍增器，且为正交设计即待测离子通过四极杆质滤器后，偏转90度再进入检测器，须提供检测器实物图证明；

3.6.1 脉冲模拟双模式或者全数字电子倍增器，且为正交设计即待测离子通过四极杆质滤器后，再进入检测器，须提供检测器实物图证明；

6

3.6.2

3.6.2

#3.6.2（增加“#”）

7

4.2

#4.2 检出限：9Be ≤ 0.2 ppt，115In ≤ 0.1ppt，209Bi ≤ 0.1ppt（提供官方性能指标出版彩页证明）；

#4.2 检出限：9Be ≤ 0.5 ppt，115In ≤ 0.1ppt，209Bi ≤ 0.1ppt (提供官方性能指标出版彩页证明)；

序号

更正项

更正前内容

更正后内容

1

3.1.3

3.1.3

#3.1.3（增加“#”）

2

3.2.3

#3.2.3具有消除二次放电系统，配备铂质屏蔽矩，真实接地彻底杜绝二次放电，同时精确控制离子能量1 eV以内（须提供屏蔽矩实物图），否则视为负偏离。若是虚拟接地，须配2套射频线圈以备更换；

3.2.3具有消除二次放电系统，配备铂质屏蔽矩；或者采用虚拟接地技术，接地彻底杜绝二次放电；

3

3.3.1

3.3.1接口：镍质采样锥和截取锥组成主流双锥接口设计，锥数量≤2个。具有≤1.0 mm的采样锥孔、≤0.50 mm的截取锥孔，减少高基体样品进入仪器真空腔，保证质谱系统的长期稳定性，减少真空腔内的维护。锥上不得施加任何电压，采样锥和截取锥之间不得通入任何气体；

3.3.1接口：镍质采样锥和截取锥组成主流双锥接口设计。具有≤1.1 mm的采样锥孔、≤0.80 mm的截取锥孔，减少高基体样品进入仪器真空腔，保证质谱系统得长期稳定性，减少真空腔内的维护；

4

3.4.1

#3.4.1配备碰撞反应池，八极杆设计，碰撞反应池具有温控功能，保证运行稳定性并能有效耐污染，池内温度范围50~95 ℃，0.1℃连续可调，须提供池温控软件截图证明；

#3.4.1配备碰撞反应池，碰撞反应池具有温控功能，保证运行稳定性并能有效耐污染，池内温度范围50~95 ℃，0.1℃连续可调，须提供池温控软件截图证明；

5

3.6.1

3.6.1 脉冲模拟双模式电子倍增器，且为正交设计即待测离子通过四极杆质滤器后，偏转90度再进入检测器，须提供检测器实物图证明；

3.6.1 脉冲模拟双模式或者全数字电子倍增器，且为正交设计即待测离子通过四极杆质滤器后，再进入检测器，须提供检测器实物图证明；

6

3.6.2

3.6.2

#3.6.2（增加“#”）

7

4.2

#4.2 检出限：9Be ≤ 0.2 ppt，115In ≤ 0.1ppt，209Bi ≤ 0.1ppt（提供官方性能指标出版彩页证明）；

#4.2 检出限：9Be ≤ 0.5 ppt，115In ≤ 0.1ppt，209Bi ≤ 0.1ppt (提供官方性能指标出版彩页证明)；