非接触电阻率测量仪延期公告
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非接触电阻率测量仪延期公告
| 项目名称 | 非接触电阻率测量仪 | 项目编号 | A-WZBX1052 |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | (略) | 公告截止日期 | (略) |
| 采购单位 | 厦门大学 | 付款方式 | 无 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 签约后30个工作日内 |
| 预 算 | (略).0 | ||
| 收货地址 | 厦门大学 (略) | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 非接触电阻率测量仪 | 1 | 台 | 无 |
| 品牌 | 无 |
|---|---|
| 型号 | 无 |
| 品牌2 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 品牌3 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 预算 | (略).0 |
| 技术参数及配置要求 | 名称：非接触电阻率测量仪： 主要技术规格：*方阻量程0.01 ohm/square至3200 ohm/sq 货期：合同签订后 6个月内到招标指定地点并安装完毕。 一、技术规格及要求 1． 货物描述 1.1名称：半自动无损方阻测试仪 1.2数量：1套 1.3用途：是半导体生产工艺控制、产品质量监测和提高产品良率的检测设备，包括对GaN与GaAs晶片如外延层、半绝缘衬底、掺杂衬底、退火离子注入、硅晶片如体硅、外延、离子注入、在高阻衬底上掺有POCl3及金属薄膜的加工进行全面有效监测。 2． 规格及技术参数 2.1*测量晶圆尺寸：2” (50mm) to 8” (200mm) wafers 2.2*探头传感器尺寸：14 mm （全量程范围） 2.3*测量点数：≥217点，Mapping; 电阻率二维等高线图和3D图 2.4 各量程去边不大于7 mm 2.5*量程测量范围为：方块电阻0.01 至 3200 ohms/sq 2.6*全量程范围内线性度优于3% 2.7*标准偏差满足：0.7% 2.8*配备3个厂家标准片 2.9*带通风装置遮光罩 2.10先进的Mapping软件可以提供多点测量的2D和3D图形用于打印或JPG文件输出 2.11配备无损方阻测试软件； 2.12*测量能力：300到800微米厚的衬底，可调整探头间隙以测量更厚的衬底 2.13系统自带精密电源 2.14配备测量系统：包括主机、PC控制器、真空泵、厂家标准片 2.15 Mapping软件允许操作者自行建立recipe：同圆心多点测试模式recipe，规则的方形分布测试模式recipe，与无规律的随机点位测试模式recipe。 2.16 无损方阻测试软件的SPC chart 功能包括：最大，最小，平均值。 2.17 测量数据通过CSV格式文件保存，并可通过Excel编辑数据。 2.18 设备自带真空监控功能，能判别真空度不合格并软件提示。 2.19 单点测试时间:<2秒/点 （不计机械运动时间，仅计测试时间）。 2.20 设备除了电源线接地，还能外壳接地，避免风险。 3.其他要求: 3.1*系统本身国内国外无专利侵权 3.2*保养周期可达>(略)小时 |
| 售后服务 | 商品承诺:送货上门/安装调试/技术培训; |
| 项目名称 | 非接触电阻率测量仪 | 项目编号 | A-WZBX1052 |
|---|---|---|---|
| 公告开始日期 | (略) | 公告截止日期 | (略) |
| 采购单位 | 厦门大学 | 付款方式 | 无 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 无 | 到货时间要求 | 签约后30个工作日内 |
| 预 算 | (略).0 | ||
| 收货地址 | 厦门大学 (略) | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|
| 非接触电阻率测量仪 | 1 | 台 | 无 |
| 品牌 | 无 |
|---|---|
| 型号 | 无 |
| 品牌2 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 品牌3 | 无 |
| 型号 | 无 |
| 预算 | (略).0 |
| 技术参数及配置要求 | 名称：非接触电阻率测量仪： 主要技术规格：*方阻量程0.01 ohm/square至3200 ohm/sq 货期：合同签订后 6个月内到招标指定地点并安装完毕。 一、技术规格及要求 1． 货物描述 1.1名称：半自动无损方阻测试仪 1.2数量：1套 1.3用途：是半导体生产工艺控制、产品质量监测和提高产品良率的检测设备，包括对GaN与GaAs晶片如外延层、半绝缘衬底、掺杂衬底、退火离子注入、硅晶片如体硅、外延、离子注入、在高阻衬底上掺有POCl3及金属薄膜的加工进行全面有效监测。 2． 规格及技术参数 2.1*测量晶圆尺寸：2” (50mm) to 8” (200mm) wafers 2.2*探头传感器尺寸：14 mm （全量程范围） 2.3*测量点数：≥217点，Mapping; 电阻率二维等高线图和3D图 2.4 各量程去边不大于7 mm 2.5*量程测量范围为：方块电阻0.01 至 3200 ohms/sq 2.6*全量程范围内线性度优于3% 2.7*标准偏差满足：0.7% 2.8*配备3个厂家标准片 2.9*带通风装置遮光罩 2.10先进的Mapping软件可以提供多点测量的2D和3D图形用于打印或JPG文件输出 2.11配备无损方阻测试软件； 2.12*测量能力：300到800微米厚的衬底，可调整探头间隙以测量更厚的衬底 2.13系统自带精密电源 2.14配备测量系统：包括主机、PC控制器、真空泵、厂家标准片 2.15 Mapping软件允许操作者自行建立recipe：同圆心多点测试模式recipe，规则的方形分布测试模式recipe，与无规律的随机点位测试模式recipe。 2.16 无损方阻测试软件的SPC chart 功能包括：最大，最小，平均值。 2.17 测量数据通过CSV格式文件保存，并可通过Excel编辑数据。 2.18 设备自带真空监控功能，能判别真空度不合格并软件提示。 2.19 单点测试时间:<2秒/点 （不计机械运动时间，仅计测试时间）。 2.20 设备除了电源线接地，还能外壳接地，避免风险。 3.其他要求: 3.1*系统本身国内国外无专利侵权 3.2*保养周期可达>(略)小时 |
| 售后服务 | 商品承诺:送货上门/安装调试/技术培训; |
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