聚焦离子束微纳加工系统招标变更
聚焦离子束微纳加工系统招标变更
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 聚焦离子束微纳加工系统 | 1 | 4技术要求及参数4.1离子束及辅助气体注入系统技术要求4.1.1离子束系统: 离子源种类:液态Ga离子源; 分辨率: ≤4.0nm @ * kV 加速电压:1.0kV - * kV ★束流强度:1pA - * nA ( * 孔光阑条) 离子源寿命:不低于 * 小时 备用 * 套Ga离子源(含人工费)4.1.2辅助气体注入系统: 具备金属沉积系统,可在离子束、电子 (略) W、C等沉积; 每种气体配备独立的气体注入器,防止不同气体交叉污染。4.2电子束技术要求4.2.1电子枪类型:肖特基(ZrO/W)场发射灯丝 ★4.2.2分辨率:≤1.2nm @ * kV;≤1.6nm @ 1kV 4.2.3样品加工后,能快速切换到电子束检查与成像 4.2.4加速电压: * V~ * KV (连续可调) ★4.2.5束流强度:最大束流 * nA 4.2.6放大倍数: * ~ * 万 ★4.2.7电子枪寿命:保证使用3年 4.2.8备用 * 根电子枪(含人工费) |
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 聚焦离子束微纳加工系统 | 1 | 4技术要求及参数4.1离子束及辅助气体注入系统技术要求4.1.1离子束系统: 离子源种类:液态Ga离子源; 分辨率: ≤4.0nm @ * kV 加速电压:1.0kV - * kV ★束流强度:1pA - * nA ( * 孔光阑条) 离子源寿命:不低于 * 小时 备用 * 套Ga离子源(含人工费)4.1.2辅助气体注入系统: 具备金属沉积系统,可在离子束、电子 (略) W、C等沉积; 每种气体配备独立的气体注入器,防止不同气体交叉污染。4.2电子束技术要求4.2.1电子枪类型:肖特基(ZrO/W)场发射灯丝 ★4.2.2分辨率:≤1.2nm @ * kV;≤1.6nm @ 1kV 4.2.3样品加工后,能快速切换到电子束检查与成像 4.2.4加速电压: * V~ * KV (连续可调) ★4.2.5束流强度:最大束流 * nA 4.2.6放大倍数: * ~ * 万 ★4.2.7电子枪寿命:保证使用3年 4.2.8备用 * 根电子枪(含人工费) |
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