等离子体增强化学沉积机台 招标变更
等离子体增强化学沉积机台 招标变更
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
包1 | 自动曝光机 | 8 | 单台月产能大于 * 0片,计算方法:WPH* * * * *0. * (系数) (含套刻产能:5秒曝光时间,及基片厚度补偿时间) | |
包2 | 匀胶机 | 7 | 产能:单台月产能≥ * 0片单台月产能计算公式:WPH( * 小时产量)* * (小时)* * (天)*0. * (系数) ≥ * 0片 | |
包3 | 显影机 | * | 显影CUP单元≥4组 | |
包4品目1 | 去胶清洗机 | * | 制程槽:SPR(循环)*2、IPA(循环)*1、QDR | |
包4品目2 | 去蜡清洗设备 | 2 | 去蜡清洗设备必须手动自动可切换操作 | |
包5品目1 | ACE清洗机(4槽) | 2 | 制程槽:ACE(循环)*4、QDR*4 | |
包5品目2 | ACE清洗机(2槽) | 1 | 制程槽:ACE(循环)*2、QDR*2 | |
包5品目3 | 酸类清洗机(2槽BOE+2槽ITO) | 1 | 制程槽:BOE*2(循环)、ITO*2(循环)、QDR*4 | |
包5品目4 | 酸类清洗机(4槽BOE) | 1 | 制程槽:BOE(循环)*4,QDR*4 | |
包5品目5 | 酸类清洗机(2槽 * +2槽HCL) | 1 | 制程槽: * *2(循环)、HCL*2(循环)、HQDR*2,QDR*2 | |
包5品目6 | 酸类清洗机(3槽 * +1槽 * 洗版) | 1 | 制程槽: * (循环)*4,HQDR*4 | |
包5品目7 | 酸类清洗机(1槽 * +1槽 * 洗版) | 1 | 制程槽: * (循环)*2,HQDR*2 | |
包5品目8 | 去蜡清洗设备 | 1 | 管路系统配置于设备后下方之管路区 | |
包6 | 旋干机 | * | 机台马达需采用无碳刷直流马达 | |
包7 | 旋干机 | * | 机台马达需采用无碳刷直流马达 | |
包8 | 自动干法刻蚀机 | * | 单台两套ICP工艺腔室 | |
包9 | ITO溅射镀膜机 | 3 | 靶材与衬底之间有挡板保护(工艺步骤前挡板开启保护,保证低离子损伤)。 | |
包 * | 快速退火炉(9片机) | 9 | 芯片承载盘(SiC) :SiC材料可放置4吋晶片9片(含)及以上 | |
包 * | 电子束蒸发机 | * | 蒸发源坩埚材质:钨( * cc*6),蒸镀过程相邻坩埚不会互相污染。 | |
包 * | 合金炉管 | 4 | 可加工管数 :3个以上(含3个) | |
包 * | 等离子体增强化学沉积机台 | * | 气体流量计包括但不限于SiH4, N2O, O2, NH3, CF4, N2气体。 | |
包 * | 分布式布拉格反射镜 | 3 | 射频中和器:最大射频功率: * W( * . * MHz)最大中和電流: * mA | |
包 * | 等离子去胶机(Asher) | * | 生产治具: * 用 * 备 | |
包 * | 膜厚仪器 | 2 | 测量厚度:5nm~ * um | |
包 * | 金相显微镜 | 9 | 最大可放置样品高度: * mm,实现更大高度样品观察; | |
包 * | 全自动目检机COW(AOI) | 7 | 可用于4英寸晶片尺寸使用,同时兼容6寸 | |
包 * | 金属溅射镀膜机 | 2 | 具有单独DC,单独RF电源 | |
包 * | 椭偏仪 | 1 | 微光斑( * °入射角):最小尺寸≤ * um X * um。 | |
包 * 品目1 | 高温老化试验机( * mA/1K/ * V) | 2 | 配LED PCB专用测试排线(含耐高温连接器,最高耐温不小于 * 度) | |
包 * 品目2 | 常温老化试验机( * mA/1K/ * V) | 2 | 配LED PCB专用测试排线(含耐高温连接器,最高耐温不小于 * 度) | |
包 * 品目3 | 高压老化电流源( * mA/1K/ * V) | 3 | 试验数据可以保存于PC 机中,便于调用,可输出试验报表,绘制数据变化曲线。 | |
包 * | 自动推力机 | 2 | 用途:适用于2寸片、4寸片及6寸片推力及拉力作业,以验证电极结合度状况 | |
包 * 品目1 | 氮气纯化器 | 3 | 纯化对象及纯化后纯度:氮气/ * . 点击查看>> % | |
包 * 品目2 | 氢气纯化器 | 2 | 纯化对象及纯化后纯度:氢气/ * . 点击查看>> % | |
包 * 品目3 | 氨气纯化器 | 8 | 纯化对象及纯度:NH3/ * . 点击查看>> % |
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
包1 | 自动曝光机 | 8 | 单台月产能大于 * 0片,计算方法:WPH* * * * *0. * (系数) (含套刻产能:5秒曝光时间,及基片厚度补偿时间) | |
包2 | 匀胶机 | 7 | 产能:单台月产能≥ * 0片单台月产能计算公式:WPH( * 小时产量)* * (小时)* * (天)*0. * (系数) ≥ * 0片 | |
包3 | 显影机 | * | 显影CUP单元≥4组 | |
包4品目1 | 去胶清洗机 | * | 制程槽:SPR(循环)*2、IPA(循环)*1、QDR | |
包4品目2 | 去蜡清洗设备 | 2 | 去蜡清洗设备必须手动自动可切换操作 | |
包5品目1 | ACE清洗机(4槽) | 2 | 制程槽:ACE(循环)*4、QDR*4 | |
包5品目2 | ACE清洗机(2槽) | 1 | 制程槽:ACE(循环)*2、QDR*2 | |
包5品目3 | 酸类清洗机(2槽BOE+2槽ITO) | 1 | 制程槽:BOE*2(循环)、ITO*2(循环)、QDR*4 | |
包5品目4 | 酸类清洗机(4槽BOE) | 1 | 制程槽:BOE(循环)*4,QDR*4 | |
包5品目5 | 酸类清洗机(2槽 * +2槽HCL) | 1 | 制程槽: * *2(循环)、HCL*2(循环)、HQDR*2,QDR*2 | |
包5品目6 | 酸类清洗机(3槽 * +1槽 * 洗版) | 1 | 制程槽: * (循环)*4,HQDR*4 | |
包5品目7 | 酸类清洗机(1槽 * +1槽 * 洗版) | 1 | 制程槽: * (循环)*2,HQDR*2 | |
包5品目8 | 去蜡清洗设备 | 1 | 管路系统配置于设备后下方之管路区 | |
包6 | 旋干机 | * | 机台马达需采用无碳刷直流马达 | |
包7 | 旋干机 | * | 机台马达需采用无碳刷直流马达 | |
包8 | 自动干法刻蚀机 | * | 单台两套ICP工艺腔室 | |
包9 | ITO溅射镀膜机 | 3 | 靶材与衬底之间有挡板保护(工艺步骤前挡板开启保护,保证低离子损伤)。 | |
包 * | 快速退火炉(9片机) | 9 | 芯片承载盘(SiC) :SiC材料可放置4吋晶片9片(含)及以上 | |
包 * | 电子束蒸发机 | * | 蒸发源坩埚材质:钨( * cc*6),蒸镀过程相邻坩埚不会互相污染。 | |
包 * | 合金炉管 | 4 | 可加工管数 :3个以上(含3个) | |
包 * | 等离子体增强化学沉积机台 | * | 气体流量计包括但不限于SiH4, N2O, O2, NH3, CF4, N2气体。 | |
包 * | 分布式布拉格反射镜 | 3 | 射频中和器:最大射频功率: * W( * . * MHz)最大中和電流: * mA | |
包 * | 等离子去胶机(Asher) | * | 生产治具: * 用 * 备 | |
包 * | 膜厚仪器 | 2 | 测量厚度:5nm~ * um | |
包 * | 金相显微镜 | 9 | 最大可放置样品高度: * mm,实现更大高度样品观察; | |
包 * | 全自动目检机COW(AOI) | 7 | 可用于4英寸晶片尺寸使用,同时兼容6寸 | |
包 * | 金属溅射镀膜机 | 2 | 具有单独DC,单独RF电源 | |
包 * | 椭偏仪 | 1 | 微光斑( * °入射角):最小尺寸≤ * um X * um。 | |
包 * 品目1 | 高温老化试验机( * mA/1K/ * V) | 2 | 配LED PCB专用测试排线(含耐高温连接器,最高耐温不小于 * 度) | |
包 * 品目2 | 常温老化试验机( * mA/1K/ * V) | 2 | 配LED PCB专用测试排线(含耐高温连接器,最高耐温不小于 * 度) | |
包 * 品目3 | 高压老化电流源( * mA/1K/ * V) | 3 | 试验数据可以保存于PC 机中,便于调用,可输出试验报表,绘制数据变化曲线。 | |
包 * | 自动推力机 | 2 | 用途:适用于2寸片、4寸片及6寸片推力及拉力作业,以验证电极结合度状况 | |
包 * 品目1 | 氮气纯化器 | 3 | 纯化对象及纯化后纯度:氮气/ * . 点击查看>> % | |
包 * 品目2 | 氢气纯化器 | 2 | 纯化对象及纯化后纯度:氢气/ * . 点击查看>> % | |
包 * 品目3 | 氨气纯化器 | 8 | 纯化对象及纯度:NH3/ * . 点击查看>> % |
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