序号

设备名称

技术指标

单位

数量

预算金额（万元）

1

紫外纳米压印光刻机

* 、货物清单（含硬件及软件）:

1. 紫外光刻机  1台；

2. 纳米压印机  1台；

3. 离子束辅助溅射薄膜沉积模块  1套；

4. 匀胶烘干系统  1套；

5. 超净工作间（万级）；

6. 真空泵 * 台（无油泵）；

7. 空压机 * 台（静音泵）；

8. 控制软件 1套；

9. 说明书、光盘各1套。

* 、技术指标：

紫外光刻机

1、曝光面积： * mm x * mm；

2、曝光波长： * nm；

*3、分辨力：0.8-1um（胶厚1 mm的正胶）；

*4、对准精度：±0. 6um；

5、掩模样片整体运动范围：X：≥ * mm;Y: ≥ * mm；

6、掩模尺寸：3英寸、4英寸、5英寸、7英寸；

7、样片尺寸：直径f * mm-- f * mm（各种不规则片）；

               厚度0.1mm--5mm(可拓展至 * mm) ；

8、曝光方式：定时（倒计时方式），0.1s- * .9s；

9、具备真空接触曝光、硬接触曝光以及接近式曝光 * 种功能；

* 、照明不均匀性：

2.5%（f * mm 范围）

5%（f * mm范围）；

* * 、 (略) 对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 * 倍，光学+电子放大 * 倍；

* 、物镜 * 对：4倍、 * 倍、 * 倍；

* 、目镜 * 对： * 倍、 * 倍、 * 倍；

* 、调平接触压力通过传感器（光电开关）保证重复；

* * 、数字设定对准间隙和曝光间隙；

* * 、具备压印模块接口；

* 、掩模相对 (略) 程：

     X: ≥±5mm;   Y: ≥±5mm;  q:  ≥±6度；

* 、最大胶厚： * um(SU8胶) ；

* 、 (略) 性：1.2°；

* 、曝光能量密度：≥ * mW/cm2；

* 、冷却方式：循环水+风冷；

* 、曝光面温度：< * °；

* * 、汞灯功率： * W（直流，进口）（2个）；

* 、2- * um级掩膜版6片；

* 、SU8光刻胶1瓶，4英寸硅片 * 片；

纳米压印机

1、 固化波长： * nm；

2、 压印分辨力： * nm（用户提供压印模板）；

3、 压印模板尺寸：4英寸；

4、 压印样片尺寸：1英寸、2英寸、Φ * mm（或3英寸）；

5、 照明强度：≥ * mW/ * * nm；

6、 压力范围：0MPa-0.7MPa；

7、 可适用软模及硬模工艺；

8、 按键式操作模式完成纳米压印工艺；

离子束辅助溅射薄膜沉积模块

1、 系统为双离子束溅射镀膜系统；

2、主溅射离子源口径Φ * mm的聚焦型考夫曼离子源， 离子能量范围：0～ * eV；束流范围： * ～ * mA；

3、辅助离子源为口径Φ * mm的准直型考夫曼离子源，能量范围：0～ * eV，束流范围： * ～ * mA;

4、主溅射离子源和辅助离子源均配置匹配等离子体浓度分布的Mo质离子双栅光学系统；

5、配备两套全自动控制离子源电源，电源内置的智能逻辑控制单元可实时监测离子束流和离子能量并实时做出反馈调整；

6、每台离子源各配备电子中和器接口 * 套；

7、样品台的台面直径Ф * mm，最大可放置 * mm基片1片，向下兼容；

8、样品台可自转，旋转速度 * RPM；

9、真空室选用优质 * 不锈钢材料制造，氩弧焊接， (略) 工艺电解抛 (略) 理；

* 、装靶数： 4 靶，靶尺寸 Φ * mm×3mm；换靶方式：外部手动；离子束溅射靶温＜ * ℃， 靶台冷却水温 5℃～ * ℃可调；标准溅射角 0°~ * °可调。

* 、系统采用计算机控制，触摸显示屏操作，Windows会话界面，可实现真空系统及工艺过程全自动化操作，控制系统可选择全自动及非全自动模式；

* 、统配置两套恒温水循环系统，分别供分子泵和离子源室冷却，可单独按需调节和控制水温，水温控制范围为5～ * ℃， 流量≥5L/min， 出水口压力≥0. * MPa；

* 、工作气路：系统配备3路工作气体（2路氩气，1路氧气接口），气体流量质量流量控制器（MFC）控制；

* 、高纯Ar气（≥5N）， * L钢瓶或管道供气，减压阀配Ф6mm不锈钢双卡套接头；

提供高纯（ * . * %） * cm直径靶材：金（0.2mm）银（0.2mm）铂（0.2mm），钛板（3mm）铜（3mm）钛（5mm）C靶（5mm），ITO（5mm）， * 氧化锰（5mm）；灯丝 * 套，离子源定位针6根， 离子源拆装工具1 套。

* 、控制和数据采集系统1套。

超净工作间（万级，百级工作台）

1．面积 * m2；

2．提供实验台。

套

1

*

序号

设备名称

技术指标

单位

数量

预算金额（万元）

1

红外热成像仪

1.主机: * / * mm红外热像仪主机，

新 * 代非制冷微量热型焦平面探测器

*红外探测器规格： * 像素

*光谱响应范围：7.5～ * ?m

红外成像速率： * Hz

*最高红外热图像实时采集速率：

* Hz（在满帧 * 像素时）、 * Hz（在满帧 * × * 像素时）、 * Hz（在半帧 * × * 像素下）、 * Hz（在1/4帧 * × * 像素下）

温度测量范围：- * ～+ * °C

内部量程分段校准，量程1：- * ～+ * °C；量程2：0～+ * °C；量程3：+ * ～+ * °C

可选测温范围扩展至：① + * °C；② + * °C

*热灵敏度：0. * °C（在 * °C时）

*测量精度：± 1.0°C（0~ * °C）；±1.0%（特定量程）

温度量程转换模式：手动、自动

调焦模式：手动、自动；内置高精密调焦电机，步进式调节

红外图像连续数字缩放，最大 * 倍

* * 位A/D模拟数字转换

自动功能：聚焦，成像，中心值，图像存储（超温报警触发，自定义时间/间隔）

显示功能：红外图像，使用指南，菜金属单，数值，状态，日期/时间

测量功能：任选9个可移动点或区域（矩形、圆形），全屏或定义区域内的最高最低温自动追踪显示，两点温差自动计算（时间、位置），线上温度分布曲线图，直方图

等温线功能：可显示最多6条色彩自由定义的高对比度等温线

主机接口：GigE-Vision，DVI-D，C-Video，RS *

供电方式：交流电源转换器，可选PoE

操作温度范围：- * ～ * °C

适用于工业环境的坚固壳体，IP * 防护等级

主机尺寸/ 重量： * × * × * mm/ 约1. * kg

2. 标准配件包括：

2.1 标准镜头  1个

   * mm标准镜头

    - 焦距比数                     1.0

    - 视场角（ * .4 x * .6）°

    - 视场（d=1 m）（ * x * ）cm

    - 空间分辨率                   0. * mrad.

    - 调焦范围约0.3 m到无限远

2.2主动热成像控制单元，含电源模块，包含两个卤素灯    1套

2.3 适配器   1个

通用供电电源： * ～ * V；电缆长度2.5 m，Lemo插头

2.4 连接电缆 * 套：GigE接口，电缆长度3.0 m，Lemo插头

2.5 保护箱 * 个：高质量、抗冲击、用于仪器的储存与运输

2.6 * 脚架 * 套：高质量、轻质

2.7 光盘 * 套：热像仪的介绍和安装

2.8 操作手册2套：中英文

3. 软件包括：

3.1 IRBIS® 3.1 online 热像仪在线控制、实时测量分析和数据高速采集软件

3.2 IRBIS® view 红外图像浏览、转换和管理软件

3.3 IRBIS® 3.1plus 增强版红外热图像分析与报告生成软件

3.4 IRBIS® 3.1active主动热成像软件

4、标配上位机1套

其他要求

投标人若为代理商， (略) 期 (略) 代理证明文件或者针对该项目可追溯的独家授权证明文件。

套

1

*

序号

设备名称

技术指标

单位

数量

预算金额（万元）

1

霍尔效应测试仪

* 、货物清单：

（1）变温霍尔效应测试仪；

（2）低温变温磁体组及附件；

（3）低温变温样品系统；

（4）高温变温磁体组及高温样品系统；

（5）常温测试附件样品夹具：6mm*6mm及 * mm* * mm，保证样品测试时的欧姆接触；弹簧样品夹具，保证样品测试时的欧姆接触；常温测试磁体盖板，数据传输线等。

* 、技术指标：

*（1）测量材料：所有半导体材料包括Si, ZnO, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N型&P型均可测量) 。

*（2）测量材料参数：体载流子浓度、表面载流子浓度； 迁移率、霍尔系数； 电阻率； 磁致电阻； 电阻的纵横比率；伏安特性曲线。

*（3）迁移率：(cm2/Volt·sec):1- * 。

*（4）电阻率：(ohms·cm): * -4- * 。

*（5）载流子浓度：(cm-3): 点击查看>> 。

*（6）变温测试温度： * K- * K。

套

1

*