1.需求解决的技术问题

需将不同功能、不同性能、不同制程、不同材料、不同工艺等诸多芯片、元件，通过共封装集成设计，形成具有小型化、标准化、模块化能力的存储微系统系列化芯片。使用该芯片进行PCB设计减少器件种类和数量，相比于同容量的分立器件，节省约79%的面积，降低了PCB设计难度，缩短了系统设计周期。

2.技术需求提出背景及技术应用领域

近年来，我国军工应用领域需求和发展非常之快，特别在存储系统方面，从全球D (略) (略) 域来看，中国是全球第二大D (略) 场，仅于美国，据统计，我国仅在国防领域的同类芯片年需求约200亿元，年出货量超过百万只。同时，我国存储企业较少，且起步较晚，大量需求仍然依赖于进口，而受中美关系影响，货源缺口很大，且价格不稳定，严重影响了国防应用与国家安全，国产化或国产替代已是必然趋势。

为此，本项目面向国防、工业应用的综合电子系统，研制一种应用于弹载、无人机载、星载以及工业控制等领域的轻量化、小型化、高集成以及全国产、标准化、模块化存储微系统芯片产品，取代同类进口芯片，服务于国防、工业应用领域。

3.技术难点

本项目技术团队发挥自身优势，在关键领域、开展种源“卡脖子”技术攻关，突破了一系列相关技术难题，形成了一定的自主核心技术。主要的核心关键技术难点如下：

（1）跨尺度多物理场耦合机理与演变规律。通过对多物理量耦合的机理分析，构建可数字化的数学基础模型，其为技术难点之一。

（2）多材质/多物理/多功能异质融合集成设计技术。异质异构系统必然是元件的多样化，故而会带来有源、无源器件的融合问题，不同工艺、不同制程器件的融合问题，不同规格、不同介质材料的融合问题，其为技术难点之二。

（3）基于IBIS模型的三维集成微系统封装的精确建模和仿真测试技术。IBIS模型参数精确度越高，保证了仿真对准确性方面的高要求，因此如何提升模型参数的高精度，其为技术难点之三。

（4）高密度集成微系统芯片的可靠性测试与批量测试技术。芯片测试技术兼顾功能测试和可靠性测试，大批量的芯片测试按照单芯片的测试方案通常是不可行的，因此，如何形成大批量的快速且可靠的测试技术，其为技术难点之四。

4.主要技术指标

①存储容量（72bit位宽芯片）：DDR3SDRAM2GB，FLASH2Gb；

②存储容量（16bit位宽芯片）：DDR3SDRAM1GB；

③读写速率：最大1866Mb/s；

④位宽结构：支持最大72bit（带ECC校验），同时可支持32bit和40bit分组使用；

⑤温度范围：-55℃～+125℃；

1.需求解决的技术问题

需将不同功能、不同性能、不同制程、不同材料、不同工艺等诸多芯片、元件，通过共封装集成设计，形成具有小型化、标准化、模块化能力的存储微系统系列化芯片。使用该芯片进行PCB设计减少器件种类和数量，相比于同容量的分立器件，节省约79%的面积，降低了PCB设计难度，缩短了系统设计周期。

2.技术需求提出背景及技术应用领域

近年来，我国军工应用领域需求和发展非常之快，特别在存储系统方面，从全球D (略) (略) 域来看，中国是全球第二大D (略) 场，仅于美国，据统计，我国仅在国防领域的同类芯片年需求约200亿元，年出货量超过百万只。同时，我国存储企业较少，且起步较晚，大量需求仍然依赖于进口，而受中美关系影响，货源缺口很大，且价格不稳定，严重影响了国防应用与国家安全，国产化或国产替代已是必然趋势。

为此，本项目面向国防、工业应用的综合电子系统，研制一种应用于弹载、无人机载、星载以及工业控制等领域的轻量化、小型化、高集成以及全国产、标准化、模块化存储微系统芯片产品，取代同类进口芯片，服务于国防、工业应用领域。

3.技术难点

本项目技术团队发挥自身优势，在关键领域、开展种源“卡脖子”技术攻关，突破了一系列相关技术难题，形成了一定的自主核心技术。主要的核心关键技术难点如下：

（1）跨尺度多物理场耦合机理与演变规律。通过对多物理量耦合的机理分析，构建可数字化的数学基础模型，其为技术难点之一。

（2）多材质/多物理/多功能异质融合集成设计技术。异质异构系统必然是元件的多样化，故而会带来有源、无源器件的融合问题，不同工艺、不同制程器件的融合问题，不同规格、不同介质材料的融合问题，其为技术难点之二。

（3）基于IBIS模型的三维集成微系统封装的精确建模和仿真测试技术。IBIS模型参数精确度越高，保证了仿真对准确性方面的高要求，因此如何提升模型参数的高精度，其为技术难点之三。

（4）高密度集成微系统芯片的可靠性测试与批量测试技术。芯片测试技术兼顾功能测试和可靠性测试，大批量的芯片测试按照单芯片的测试方案通常是不可行的，因此，如何形成大批量的快速且可靠的测试技术，其为技术难点之四。

4.主要技术指标

①存储容量（72bit位宽芯片）：DDR3SDRAM2GB，FLASH2Gb；

②存储容量（16bit位宽芯片）：DDR3SDRAM1GB；

③读写速率：最大1866Mb/s；

④位宽结构：支持最大72bit（带ECC校验），同时可支持32bit和40bit分组使用；

⑤温度范围：-55℃～+125℃；