“高压LED驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED驱动电路”等4件专利申请权转让
“高压LED驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED驱动电路”等4件专利申请权转让
项目名称 | “高压LED 驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED (略) ”(*.9)等4件专利申请权转让 | 项目编号 | Z* |
项目类型 | 技术转让 | 交易专板 | |
挂牌起始日 | 2025-01-13 | 挂牌截止日 | 2025-01-20 |
是否为技术成果组合 | 是 | 技术成果数量 | 4 |
标的名称 | 高压LED 驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED (略) (*.9) 高压线性LED 光源及其应用(*.6) 恒流模块及其应用(*.5) 恒流 (略) 结构(*.2) | ||
技术领域 | 电子信息 | ||
标的权证类型 | 其他 专利申请权 |
权证编号 | 序号 | 名称 | 权证编号 | 申请日 | 授权日 | 失效日 |
1 | 高压线性LED 光源及其应用 | *.6 | 2022-12-19 | |||
2 | 恒流模块及其应用 | *.5 | 2024-11-29 | |||
3 | 高压LED 驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED (略) | *.9 | 2023-03-01 | |||
4 | 恒流 (略) 结构 | *.2 | 2024-11-29 |
获得资助情况 (国家计划课题等) | 无 | ||
项目阶段 | 研制 | ||
技术成熟度(TRL) | TRL6 | 比TRL5更加完善的典型系统或原型,已通过模拟环境测试。 | |
样品/样机 | 无 | ||
是否有试用报告 | 否 | ||
项目简介 |
| ||
技术效果与指标 | 照明系统驱动效率大于95%。 | ||
技术推广及应用前景效益(风险和效益) | 有望在工业照明领域得到广泛应用,能为企业节约30%的照明能耗。其最大风险:由于本技术须使用500V的高电压,与常规220V电压差异较大,市场接受过程可能较长。 | ||
技术团队结构 | |||
技术团队名称 | 宽带隙半导体电子器件实验室 | ||
技术团队人数 | 10人以下 | ||
技术团队简介 | 本团队致力于研究新型宽带隙半导体器件及相关应用,包括:GaN基LED、HEMT等。发表科技论文100余篇,申请专利50余项。 | ||
技术负责人姓名 | 蔡勇 | ||
技术负责人联系方式 | * | ||
技术团队负责人(附简历) | 蔡勇,博士, (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、博士生导师。 1993年于东南大学电子工程系毕业,获得半导体物理与器件专业学士学位。1993~1998年在南京电子器件研究所五中心,从事硅双极型微波功率晶体管研究工作。于2003年获得北京大学微电子学与固体电子学专业博士学位。2003~2006年在香港科技大学电子电机系做博士后,致力于III族氮化物器件 (略) 研究。2006~2008年在香港应 (略) LED器件组任研发经理。2008年加 (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所。 专注于GaN LED及GaN电子器件芯片、封装、应用研究。先后主持和参与国家级、省部级、企业委托等项目30余项。入选200 (略) 引进紧缺高层次人才,2013年江苏省“333”人才工程。获2016年度广西科学技术奖二等奖、2021年度江苏省科学技术奖二等奖。 | ||
重要信息披露 | |||
是否为职务发明创造 | 是 | ||
是否存在共有情况 | 否 |
转让方类型 | 法人 | ||
基本情况 | 法人名称 | (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | |
注册地(地址) | 苏州 (略) (略) 398号 | ||
注册资本(万元) | 3600.* | ||
企业类型 | 其他组织机构 |
交易类型 | 转让 | ||
转让交易条件 | 交易金额 | 交易入门费/交易底价(万元) | 70.00 |
是否包含产品销售分成 | 否 | ||
产品销售分成说明 | |||
结算方式 | 场内结算 | ||
价款支付方式 | 分期付款 | ||
付款要求 | 合同签订15个工作日内付50%,余款在一年内付清。 | ||
与交易相关的其他条件 | 无 | ||
受让方资格条件 |
| ||
保证金事项 | 是否交纳保证金 | 否 |
信息发布公告期(工作日) | 5 | |
信息披露期满后,如未征集到意向受让方 | 延长信息披露:不变更信息披露内容,按照5个工作日为一个周期延长,直至征集到意向受让方。 | |
信息发布期满,如征集到两个及以上符合条件的意向受让方组织交易方式 | 在线竞价 | |
会同转让方审查意向方资格 | 否 |
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项目名称 | “高压LED 驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED (略) ”(*.9)等4件专利申请权转让 | 项目编号 | Z* |
项目类型 | 技术转让 | 交易专板 | |
挂牌起始日 | 2025-01-13 | 挂牌截止日 | 2025-01-20 |
是否为技术成果组合 | 是 | 技术成果数量 | 4 |
标的名称 | 高压LED 驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED (略) (*.9) 高压线性LED 光源及其应用(*.6) 恒流模块及其应用(*.5) 恒流 (略) 结构(*.2) | ||
技术领域 | 电子信息 | ||
标的权证类型 | 其他 专利申请权 |
权证编号 | 序号 | 名称 | 权证编号 | 申请日 | 授权日 | 失效日 |
1 | 高压线性LED 光源及其应用 | *.6 | 2022-12-19 | |||
2 | 恒流模块及其应用 | *.5 | 2024-11-29 | |||
3 | 高压LED 驱动方法、高压恒流恒功率芯片及高压LED (略) | *.9 | 2023-03-01 | |||
4 | 恒流 (略) 结构 | *.2 | 2024-11-29 |
获得资助情况 (国家计划课题等) | 无 | ||
项目阶段 | 研制 | ||
技术成熟度(TRL) | TRL6 | 比TRL5更加完善的典型系统或原型,已通过模拟环境测试。 | |
样品/样机 | 无 | ||
是否有试用报告 | 否 | ||
项目简介 |
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技术效果与指标 | 照明系统驱动效率大于95%。 | ||
技术推广及应用前景效益(风险和效益) | 有望在工业照明领域得到广泛应用,能为企业节约30%的照明能耗。其最大风险:由于本技术须使用500V的高电压,与常规220V电压差异较大,市场接受过程可能较长。 | ||
技术团队结构 | |||
技术团队名称 | 宽带隙半导体电子器件实验室 | ||
技术团队人数 | 10人以下 | ||
技术团队简介 | 本团队致力于研究新型宽带隙半导体器件及相关应用,包括:GaN基LED、HEMT等。发表科技论文100余篇,申请专利50余项。 | ||
技术负责人姓名 | 蔡勇 | ||
技术负责人联系方式 | * | ||
技术团队负责人(附简历) | 蔡勇,博士, (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、博士生导师。 1993年于东南大学电子工程系毕业,获得半导体物理与器件专业学士学位。1993~1998年在南京电子器件研究所五中心,从事硅双极型微波功率晶体管研究工作。于2003年获得北京大学微电子学与固体电子学专业博士学位。2003~2006年在香港科技大学电子电机系做博士后,致力于III族氮化物器件 (略) 研究。2006~2008年在香港应 (略) LED器件组任研发经理。2008年加 (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所。 专注于GaN LED及GaN电子器件芯片、封装、应用研究。先后主持和参与国家级、省部级、企业委托等项目30余项。入选200 (略) 引进紧缺高层次人才,2013年江苏省“333”人才工程。获2016年度广西科学技术奖二等奖、2021年度江苏省科学技术奖二等奖。 | ||
重要信息披露 | |||
是否为职务发明创造 | 是 | ||
是否存在共有情况 | 否 |
转让方类型 | 法人 | ||
基本情况 | 法人名称 | (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | |
注册地(地址) | 苏州 (略) (略) 398号 | ||
注册资本(万元) | 3600.* | ||
企业类型 | 其他组织机构 |
交易类型 | 转让 | ||
转让交易条件 | 交易金额 | 交易入门费/交易底价(万元) | 70.00 |
是否包含产品销售分成 | 否 | ||
产品销售分成说明 | |||
结算方式 | 场内结算 | ||
价款支付方式 | 分期付款 | ||
付款要求 | 合同签订15个工作日内付50%,余款在一年内付清。 | ||
与交易相关的其他条件 | 无 | ||
受让方资格条件 |
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保证金事项 | 是否交纳保证金 | 否 |
信息发布公告期(工作日) | 5 | |
信息披露期满后,如未征集到意向受让方 | 延长信息披露:不变更信息披露内容,按照5个工作日为一个周期延长,直至征集到意向受让方。 | |
信息发布期满,如征集到两个及以上符合条件的意向受让方组织交易方式 | 在线竞价 | |
会同转让方审查意向方资格 | 否 |
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